修车大队一品楼qm论坛51一品茶楼论坛,栖凤楼品茶全国楼凤app软件 ,栖凤阁全国论坛入口,广州百花丛bhc论坛杭州百花坊妃子阁

oe1(光电查) - 科学论文

过滤筛选

出版时间
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
研究主题
  • 氮化镓
  • 氮化镓（GaN）
  • 发光二极管
  • 高电子迁移率晶体管
  • 氮化镓高电子迁移率晶体管
  • 金属有机化学气相沉积
  • 高电子迁移率晶体管（HEMT）
  • 光致发光
  • 量子点
  • 肖特基二极管
应用领域
  • 光电信息科学与工程
  • 电子科学与技术
  • 材料科学与工程
  • 电气工程及其自动化
  • 光电信息材料与器件
  • 物理学
  • 纳米材料与技术
  • 材料物理
  • 应用物理学
  • 微电子科学与工程
机构单位
  • Chinese Academy of Sciences
  • Xidian University
  • Arizona State University
  • Osaka University
  • Nanjing University
  • University of Chinese Academy of Sciences
  • Sony Corporation
  • Beijing University of Technology
  • Nagoya University
  • Shandong University
206 条数据
?? 中文（中国） ▾

  • 在多孔氮化镓电极上光沉积钯纳米颗粒用于葡萄糖的非酶电化学传感

    摘要： 本文描述了一种非酶电化学葡萄糖传感器，该传感器通过在多孔氮化镓（PGaN）电极上原位光沉积高密度且均匀分布的钯纳米颗粒（PdNPs）制备而成。采用循环伏安法和计时电流法对修饰电极的葡萄糖响应性能进行了表征。在0.1 M氢氧化钠溶液中，该传感器具有两个线性检测范围：1 μM至1 mM和1至10 mM，检测限为1 μM。该电极具有重复性好、灵敏度高、响应快速和长期稳定的特点。将其应用于血清葡萄糖定量分析时，显示出准确的电流响应信号。

    关键词： 电化学传感、氮化镓、光沉积、葡萄糖检测、钯纳米颗粒、多孔材料

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • GaN纳米线全包围栅极场效应晶体管结构表面与核心的陷阱效应及1/f噪声效应

    摘要： 我们通过电容、电导和噪声测量，研究了采用自上而下工艺制备的三角形一维（1D）氮化镓纳米线全包围栅场效应晶体管（GAA FET）表面及核心区域的陷阱行为。此类低维器件中的表面陷阱对器件性能起决定性作用。估算的表面陷阱密度随频率升高快速下降，从1 kHz时的6.07×1012 cm?2·eV?1降至1 MHz时的1.90×1011 cm?2·eV?1。噪声结果表明：功率谱密度随栅压增大而升高，在所有频率下积累区（Vgs>Vth=3.4V）均呈现明显的1/f噪声特征；在表面耗尽区（1.5V<Vgs<Vth），低频段由1/f噪声主导，当频率超过~5 kHz时则表现为1/f2噪声——该1/f2特性源于额外的产生-复合（G-R）噪声，主要来自纳米线表面耗尽区深陷阱的电子俘获/释放过程。当器件工作在深亚阈值区（Vgs<1.5V）时，1/f2噪声的截止频率进一步下移至102-103 Hz量级，此时深陷阱的电子俘获/释放过程扩展至完全耗尽的纳米线核心区域，整个纳米线沟道均以G-R噪声为主导。

    关键词： 环绕栅极场效应晶体管（FET）、陷阱、纳米线、氮化镓、1/f噪声

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • (Ga, Cr)N和(Ga, Cr, V)N化合物在自旋电子技术中的半金属铁磁行为：基于第一性原理与蒙特卡罗方法的研究

    摘要： 本文利用第一性原理和蒙特卡罗方法研究了掺杂单杂质与双杂质的氮化镓的磁性与电子特性。我们预测(Ga,Cr)N和(Ga,Cr,V)N化合物在费米能级处呈现100%自旋极化的铁磁性与半金属性。此外发现Ga1-xCrxN和Ga1-2xCrxVxN（x=0.04、0.05及0.06）具有二级铁磁相变且居里温度高于室温。这些预测使(Ga,Cr)N和(Ga,Cr,V)N化合物成为自旋电子技术的有力候选材料。

    关键词： 从头算计算、蒙特卡罗方法、稀磁半导体、自旋电子学、氮化镓

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 高沟道电导率、高击穿场强及低电流崩塌的AlGaN/GaN/Si δ掺杂AlGaN/GaN:C HEMTs

    摘要： 本文报道了一种基于硅衬底的高沟道电导率、高击穿场强（E?。┘暗偷缌鞅浪匦缘腁lGaN/GaN/Si δ掺杂AlGaN/GaN:C HEMT器件，该器件通过采用硅掺杂AlGaN背势垒实现性能优化。硅δ掺杂AlGaN背势垒用于补偿碳掺杂半绝缘GaN缓冲层导致的沟道电导率下降。最大漏极电流从412 mA/mm提升至720 mA/mm，峰值外置跨导从103 mS/mm提高至210 mS/mm。通过在GaN沟道中插入硅δ掺杂AlGaN背势垒层，有效降低了栅极与漏极间的电场强度，从而抑制了GaN:C缓冲层中碳诱导受主陷阱对沟道电子的俘获。结合硅δ掺杂AlGaN背势垒的高电导率与GaN:C缓冲层的高电阻特性，该器件展现出优异的高击穿场强和低比导通电阻特性。实验观测显示：在10 μA/mm（7微米栅漏间距）条件下，器件承受769 V栅漏电压时对应0.53 mΩ·cm2比导通电阻，此时栅漏间电场强度达1.1 MV/cm。

    关键词： 高沟道电导率、高压器件、硅δ掺杂AlGaN背势垒、氮化镓、电流崩塌（CC）

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • p栅极AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的栅极导通机制与寿命建模

    摘要： 通过温度相关的直流栅极电流测量，研究了p型氮化镓(GaN)/AlGaN/GaN增强型晶体管中的栅极导通机制。针对不同栅压区域分别建立物理模型并与实验对比：负栅偏压时，钝化介质内发生栅极到源极的泊松-弗伦克尔发射(PFE)；正栅偏压时，p-GaN/AlGaN/GaN"p-i-n"二极管处于正向工作模式，栅极电流受肖特基接触处空穴供给限制；低栅压下电流由位错线中肖特基势垒降低导致的热电子发射主导；提高栅压和温度会引发相同势垒的热辅助隧穿(TAT)。改进的栅极工艺降低了正栅压区栅极电流并消除了TAT起始现象，但在高正栅压下观察到源自金属/p-GaN界面PFE的电流急剧上升?；谔崛〉牡纪ɑ乒菇司返氖倜Ｐ停捎眯滦驼ぜひ罩票傅钠骷趖1%=10年条件下最大栅压达7.2V。

    关键词： 时间依赖性击穿（TDB）、p型氮化镓栅极、高电子迁移率晶体管（HEMT）、增强模式、氮化镓（GaN）、导电机制

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 一款紧凑型氮化镓单片微波集成电路多尔蒂功率放大器设计及基于X参数的5G通信系统级分析

    摘要： 本文介绍了一种采用0.25微米氮化镓高电子迁移率晶体管工艺制造的、工作于5G通信应用亚6GHz频段的单片微波集成电路多尔蒂功率放大器(DPA)。通过传输线网络和并联电容实现了紧凑的阻抗逆变器和输出匹配。同时优化了主辅放大器中功率单元的尺寸比例，以实现输出功率回退(OPBO)下的高效性能。实测数据显示：在5.9GHz频点，峰值输出功率(Pout)为38.7dBm，1dB压缩点(P1dB)为32.1dBm；在6dB输出功率回退时，功率附加效率达49.5%。未经数字预失真(DPD)处理时，该DPA对64正交幅度调制(QAM)和256-QAM信号分别能提供平均输出功率23.5dBm（误差矢量幅度EVM<-28dB）和21.5dBm（EVM<-32dB）?；谑挡釾参数进一步研究了DPA的非线性特性，并验证了传统功放表征/测量方法用于系统级设计和测试的准确性。X参数仿真结果还表明：采用DPD处理时，256-QAM信号的平均输出功率可提升至25.7dBm。

    关键词： 5G通信、单片微波集成电路（MMIC）、X参数、功率附加效率（PAE）、功率放大器（PA）、多尔蒂结构、氮化镓（GaN）

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 4H-SiC衬底小倾角对AlGaN/GaN异质结构外延生长及微观结构的影响

    摘要： 采用金属有机气相外延（MOVPE）技术在晶向"轴向"和2°偏轴的(0001)面4H-SiC衬底上生长了AlGaN/GaN异质结构。通过透射电子显微镜进行结构表征发现：轴向生长时位错密度较高，但在GaN层中逐渐降低并在下层形成位错环；偏轴情况下沿[11?00]方向排列的台阶会导致缺陷同步形成。轴向生长时几乎观察不到台阶存在，缺陷主要源自未完全融合的小尺寸AlN晶粒间晶界取向失配。AlN成核层中出现V形缺陷结构，偏轴情况下更为频繁（可能受台阶影响加剧）。这些V形结构在后续GaN沉积过程中被完全覆盖，在缺陷壁面呈现AlGaN区域表明层间发生了互扩散。轴向生长异质结构表面观察到V形缺陷，其中松弛GaN上的AlN间隔层与AlGaN（21%铝组分）厚度超过了临界松弛厚度；而偏轴情况未出现V形松弛（可能因AlGaN厚度较小<21%铝组分）。异质结构间生长的AlN间隔层具有均匀厚度和清晰界面。

    关键词： 透射电子显微镜（TEM）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、碳化硅衬底（SiC substrate）、异质结构（Heterostructure）、氮化铝镓/氮化镓（AlGaN/GaN）、高分辨透射电子显微镜（HRTEM）

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 氮化镓晶体的进展及其应用

    摘要： 本期特刊探讨了氮化镓(GaN)基晶体在纳米电子学和光电子学两大领域的潜在应用。内容聚焦于GaN基薄膜与纳米结构的制备与表征，共收录六篇论文，展示了GaN相关技术在高效可持续电子及光电器件领域的最新进展——包括AlN层在高性能AlGaN/GaN异质结构中对先进高迁移率电子应用的作用，以及基于GaN的纳米棒高效发光二极管在光电子应用中的模拟研究。通过这些成果，读者可以了解先进GaN基纳米结构晶体在纳米电子和光电器件制造方面的前沿知识与实践经验。

    关键词： MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）、AlN（氮化铝）、InN（氮化铟）、InGaN（氮化铟镓）、AlGaN（氮化铝镓）、LED（发光二极管）、GaN（氮化镓）

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • [2019年IEEE国防光子学研究与应用会议(RAPID) - 美国佛罗里达州米拉马尔海滩(2019.8.19-2019.8.21)] 2019年IEEE国防光子学研究与应用会议(RAPID) - 红外LED场景投影仪定制支持电子设备的小批量生产与测试

    摘要： 本信件报道了一种具有常关特性的氮化镓垂直沟槽金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）。通过选择性区域再生长n+型氮化镓源极层，避免了等离子体刻蚀对p型氮化镓体接触区的损伤。采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长的氮化铝/氮化硅介质叠层作为栅极"氧化层"。该独特工艺制备的0.5平方毫米有源区晶体管具有4.8V阈值电压、零栅压下600V耐压以及10V栅压下1.7欧姆导通电阻的特性。

    关键词： 氮化镓，垂直晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管，功率半导体器件

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 通过使用部分渐变量子势垒提高AlGaN基深紫外LED的效率和光功率

    摘要： 本文展示了一种新型AlGaN基深紫外发光二极管（D-UV LED）结构，并从理论上研究了其改进的电学输出特性。该新结构采用部分渐变量子垒（PQBs）替代传统LED中的阶梯式量子垒（SQBs）。仿真结果表明，在新D-UV LED结构中使用PQBs能显著提升内量子效率（IQE）、光输出功率（LOP）或发光功率，并增强深紫外波段的光谱功率密度。这种改进源于有源区中更高的载流子势垒，有助于改善量子阱中的载流子限制并促进辐射复合的显著增加。

    关键词： 氮化铝镓、效率、光功率、氮化镓、发光二极管

    更新于2025-09-23 15:21:01