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oe1(光电查) - 科学论文

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出版时间
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
研究主题
  • 氮化镓
  • 氮化镓（GaN）
  • 发光二极管
  • 高电子迁移率晶体管
  • 氮化镓高电子迁移率晶体管
  • 金属有机化学气相沉积
  • 高电子迁移率晶体管（HEMT）
  • 光致发光
  • 量子点
  • 肖特基二极管
应用领域
  • 光电信息科学与工程
  • 电子科学与技术
  • 材料科学与工程
  • 电气工程及其自动化
  • 光电信息材料与器件
  • 物理学
  • 纳米材料与技术
  • 材料物理
  • 应用物理学
  • 微电子科学与工程
机构单位
  • Chinese Academy of Sciences
  • Xidian University
  • Arizona State University
  • Osaka University
  • Nanjing University
  • University of Chinese Academy of Sciences
  • Sony Corporation
  • Beijing University of Technology
  • Nagoya University
  • Shandong University
206 条数据
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  • 低偏压下γ辐射导致的GaN基蓝光LED退化研究

    摘要： 采用累计剂量高达2.5兆拉德（SiO?）的??Co γ射线辐照氮化镓多量子阱蓝光发光二极管（LED）。研究了器件在低偏压工作状态下辐射诱发的电流与1/f噪声退化现象。当累积剂量达2.5兆拉德（SiO?）时，电流增大2.31倍，1/f噪声增大275.69倍?；贖urkx陷阱辅助隧穿模型阐释了电流退化机理：γ射线在LED空间电荷区产生缺陷，这些作为复合中心的缺陷导致电流上升。此外，根据量子1/f噪声理论，1/f噪声退化同样可能源于这些缺陷——它们使Hooge常数增大并缩短载流子寿命。电流与1/f噪声的退化具有相同的物理成因。相较于电流参数，1/f噪声参数具有更高灵敏度，因此可用于评估氮化镓蓝光LED的抗辐射性能。

    关键词： 高常数、电流退化、1/f噪声退化、陷阱辅助隧穿、γ辐射、氮化镓、发光二极管

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 通过关联原子探针断层扫描与离轴电子全息术对GaN中Mg掺杂分布及电活性的三维测量

    摘要： 通过关联原子探针断层扫描（APT）和离轴电子全息术，研究了金属有机化学气相沉积法生长的氮化镓（GaN）中p型掺杂剂（镁）的分布与电学活性。APT结果显示高镁浓度会促进富镁团簇形成，这与锥形反型畴（PID）的产生相关。APT提供的团簇外直接掺杂浓度测量表明，当镁浓度超过7×101? cm?3时p型电学活性出现饱和。离轴电子全息术获得的静电势分布图证实：尽管APT检测到高密度富镁团簇存在，但最高载流子浓度仍出现在掺杂浓度为2×102? cm?3的区域。这些技术的关联分析表明，PID并非导致静电势降低的主要原因。

    关键词： 镁掺杂、氮化镓、原子探针断层扫描、电活性、离轴电子全息术

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • Cu掺杂闪锌矿结构GaN光学性质的第一性原理研究及其在新型光电子器件中的应用

    摘要： 当前计算研究聚焦于采用Wien2K软件中PBE-GGA近似方法计算掺铜闪锌矿GaN体系的光学性质。我们分别考虑了对应1×1×2、1×2×2、2×2×2超胞构型的6.25%、3.12%、1.56%三种铜掺杂浓度，每种浓度下均用一个铜原子取代一个镓原子，并系统对比了纯GaN与各掺铜浓度体系的光学性质。总态密度(TDOS)和分波态密度(PDOS)图谱揭示了镓p态、氮p态及铜d态的贡献。光学吸收谱较纯GaN出现红移，通过分析铜氮原子相互作用，我们观测到导带底或费米能级处存在局域化d态。因此，掺杂杂质铜后闪锌矿GaN的电光性能得到增强，该材料有望应用于光子学、功率电子器件、太阳能电池、光电子学、紫外光电探测器及LED等领域。

    关键词： 氮化镓，密度泛函理论计算，铜掺杂，光学性质，态密度

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 基于微轮腔的双频发光二极管

    摘要： 近年来，紧凑型宽带电致发光（EL）器件备受关注。本研究基于GaN微轮腔制备了峰值发射波长为438 nm的发光二极管（LED），通过在LED表面涂覆CH3NH3PbBr3材料实现了512 nm的另一发射峰。该微轮腔LED采用光刻和感应耦合等离子体刻蚀工艺制成，其光电性能通过EL光谱、发光强度、半高全宽及3 dB带宽等参数进行表征。与未添加CH3NH3PbBr3层的器件相比，本器件具有双波段照明特性和更高的3 dB带宽，在光通信领域具有应用潜力。

    关键词： CH3NH3PbBr3、双波段照明、氮化镓、微波轮腔、发光二极管

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 基于极性和非极性取向纤锌矿GaN的Ni/GaN肖特基势垒IMPATT二极管在太赫兹应用中的噪声特性

    摘要： 本文通过数值模拟研究了基于极性和非极性取向纤锌矿GaN的Ni/GaN肖特基势垒碰撞电离雪崩渡越时间（IMPATT）二极管的噪声性能。结果表明，非极性IMPATT二极管展现出对应低噪声系数（NM）的更宽高频段范围。当J0分别为1 kA/cm2、10 kA/cm2和100 kA/cm2时，与非极性器件相比，极性IMPATT二极管的低噪声频段上限分别从159.2 GHz提升至184.3 GHz、183.4 GHz提升至245.7 GHz以及212.2 GHz提升至285.6 GHz。分析证实该机制源于非极性取向纤锌矿GaN中负微分迁移率（NDM）特性的优异表现。特别值得注意的是，非极性器件在噪声与射频功率性能的协同性方面仍具优势，能显著提升太赫兹频段IMPATT二极管的稳定性。

    关键词： 负微分迁移率，镍/氮化镓，极化，噪声测量，负电阻

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 基于p-GaN/NiO纳米结构/n-GaN三明治结构的高灵敏度、快速响应、快速恢复紫外光电探测器

    摘要： 制备了一种高性能p-GaN/NiO纳米结构/n-GaN紫外（UV）三明治结构光电探测器，该器件由生长在n-GaN上的NiO纳米结构和p-GaN薄膜层组成?；贕aN p-GaN/NiO纳米结构/n-GaN三明治结构的器件展现出高响应度和快速响应特性。本研究为通过将GaN基材料与金属氧化物纳米结构结合来制备高响应度紫外光电探测器提供了一种方法。

    关键词： 三明治结构，氮化镓，氧化镍，光电探测器

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 基于扩散控制界面氧化技术的GaN基MOS异质结构界面特性与能带偏移研究

    摘要： 本文研究了采用扩散控制界面氧化（DCIO）处理的Al2O3/AlGaN/GaN金属-氧化物-半导体（MOS）异质结构的界面特性与能带偏移。在常规湿法清洗和氮化等离子体表面预处理后，通过原子层沉积制备了1 nm Al2O3层，随后进行30分钟原位等离子体辅助界面氧化。该界面氧化过程受氧化剂通过预沉积Al2O3层的扩散限制，有助于形成高质量结晶界面氧化层。对于24.1 nm Al2O3的MOS异质结构，采用DCIO技术获得了1.8 V的正阈值电压偏移。通过X射线光电子能谱（XPS）分析了Al2O3/AlGaN界面的能带结构与能带偏移，结果显示DCIO处理使导带偏移从2.29±0.37 eV增至2.92±0.36 eV。同时Al2O3能带斜率降低，表明内电场强度和界面电荷减少。这两种情况下的Al2O3能带可能在某点相交，由此确定栅氧临界厚度。总体而言，DCIO减少界面电荷导致正电压偏移，而当Al2O3厚度小于临界值时电压偏移符号将改变。有无DCIO处理的MOS异质结构均呈现阈值电压与Al2O3厚度的良好关系，临界氧化层厚度约1 nm。DCIO使线性函数斜率降低约0.08 V/nm，表明界面电荷减少了3.96×1012 cm-2。

    关键词： 金属氧化物半导体，氮化镓，界面氧化

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 高性能氮化镓基混合白光微发光二极管集成量子点

    摘要： 采用集成580纳米CIS（(CuInS2-ZnS)/ZnS）核壳量子点的蓝光微LED阵列，已成功制造出混合白光微柱结构发光二极管（LED）。所制备的混合白光微LED具有良好的电学特性，表现为较低的启亮电压和反向漏电流。经过系统优化后，该混合白光微LED展现出高质量的白光发射效果，其对应色坐标计算值为(0.3303, 0.3501)，色温计算为5596K。这一成果为高性能白光LED的实现提供了有效途径，在微显示、生物仪器及可见光通信等广泛领域具有重要的应用前景。

    关键词： 混合白光微型LED、氮化镓、量子点

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • ITO、AlInN、等离子体GaN及顶部金属化对半极性绿光边发射激光器影响的数值研究

    摘要： 本文展示了针对工作于绿光波段的连续波（CW）室温（RT）半极性InGaN/GaN边发射激光器（EELs）的计算分析结果。在计算中，我们聚焦于能增强光学模式限制的、最具前景的包层材料与设计方案。结构改进包括优化顶部金金属化层、部分用ITO替代p型GaN包层，以及引入低折射率晶格匹配的AlInN或等离子体激元GaN区域。基于数值模拟结果，我们证明通过对工作在约540纳米的绿光EELs采用新型材料改进方案，可将其连续波室温阈值电流密度从超过11千安/平方厘米降至低于7千安/平方厘米。

    关键词： 边发射激光器，氮化铟镓/氮化镓，数值模拟，半导体器件

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 用于微显示器和微型LED主显示屏的亚微米全彩LED像素

    摘要： 我们展示了一种自下而上的方法，用于构建横向尺寸小至150纳米的微型LED。通过分子束外延（MBE）技术，使用氮化铟镓（InGaN）材料制备出从蓝光到红光光谱范围的纳米结构LED，为整个RGB显示器提供单一材料体系。

    关键词： 纳米线、发光二极管、选择性区域生长、氮化镓、量子点、显示器

    更新于2025-09-23 15:19:57