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oe1(光电查) - 科学论文

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出版时间
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
研究主题
  • 氮化镓
  • 氮化镓（GaN）
  • 发光二极管
  • 高电子迁移率晶体管
  • 氮化镓高电子迁移率晶体管
  • 金属有机化学气相沉积
  • 高电子迁移率晶体管（HEMT）
  • 光致发光
  • 量子点
  • 肖特基二极管
应用领域
  • 光电信息科学与工程
  • 电子科学与技术
  • 材料科学与工程
  • 电气工程及其自动化
  • 光电信息材料与器件
  • 物理学
  • 纳米材料与技术
  • 材料物理
  • 应用物理学
  • 微电子科学与工程
机构单位
  • Chinese Academy of Sciences
  • Xidian University
  • Arizona State University
  • Osaka University
  • Nanjing University
  • University of Chinese Academy of Sciences
  • Sony Corporation
  • Beijing University of Technology
  • Nagoya University
  • Shandong University
206 条数据
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  • 基于蓝宝石和硅衬底生长的氮化镓发光二极管中的效率下降与有效有源体积

    摘要： 我们比较了生长在硅(111)和c面蓝宝石衬底上的InGaN多量子阱(MQW)蓝光发光二极管(LED)结构的效率衰减特性，并采用有效有源体积缩减的速率方程模型分析了效率衰减特征。研究发现，硅衬底LED样品的效率衰减程度较相同结构的蓝宝石衬底LED样品显著降低。通过速率方程模型对实测外量子效率进行拟合时发现，硅衬底上MQW的有效有源体积约为蓝宝石衬底上的1.45倍。硅衬底LED较低的效率衰减可归因于其相比蓝宝石衬底LED具有更大的有效有源体积。模拟结果表明：随着内建电场增强，量子阱内电子与空穴分布的重叠度降低以及MQW中载流子分布不均匀，会导致有效有源体积减小。硅衬底与蓝宝石衬底LED的MQW内建电场差异可能是造成两者有效有源体积不同、进而导致效率衰减差异的主要原因。

    关键词： 效率下降、速率方程、量子阱、发光二极管、氮化镓

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [IEEE 2019年第五届电气工程进展国际会议(ICAEE) - 孟加拉国达卡 (2019.9.26-2019.9.28)] 2019年第五届电气工程进展国际会议(ICAEE) - 并网光伏系统无变压器逆变器拓扑结构比较研究

    摘要： 研究人员提出了一种电感耦合非接触式直流连接器，用于数据中心下一代380V直流配电系统。该方案采用氮化镓(GaN)功率晶体管的LLC谐振直流-直流转换器拓扑结构，实现了短距离高效非接触式电能传输。实验团队制作了1.2千瓦/384-192V原型连接器，在1000kHz工作频率下实测转换效率超过95%，功率密度达到8.1W/cm3。通过综合考虑GaN功率器件特性与变压器磁芯材料参数，设计分析表明该连接器有望实现10.0W/cm3的更高功率密度。这种非接触式直流连接器将隔离型直流-直流转换功能集成于连接器本体以节省空间，且基于电感耦合特性可在无电弧情况下切断直流电流。该创新设计有助于构建高效、紧凑且可靠的未来380V直流配电系统。

    关键词： 非接触式供电、直流-直流电源转换器、直流配电、氮化镓（GaN）

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [2017年IEEE第44届光伏专家会议（PVSC）- 华盛顿特区（2017年6月25日-6月30日）] 2017年IEEE第44届光伏专家会议（PVSC）- 钙钛矿/硅叠层电池的表征与重新设计

    摘要： 针对数据中心下一代380V直流配电系统，研究人员提出了一种感应耦合式非接触直流连接器。该方案采用氮化镓(GaN)功率晶体管的LLC谐振直流-直流变换器拓扑结构，实现了短距离高效非接触电能传输。实验团队制作了1.2千瓦384至192V原型连接器，在1000kHz工作频率下实测转换效率超过95%，功率密度达8.1W/cm3。通过综合考虑GaN功率器件特性与变压器磁芯材料参数，设计分析表明该结构具备实现10.0W/cm3功率密度的潜力。这种非接触直流连接器将隔离式直流-直流变换器功能集成于连接器本体以节省空间，且基于感应耦合原理可在无电弧情况下切断直流电流。该创新设计有助于构建高效、紧凑且可靠的未来380V直流配电系统。

    关键词： 直流配电、非接触式供电、直流-直流电源转换器、氮化镓（GaN）

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 化学剥离过程中自发形成的垂直系链实现微尺度发光二极管向非常规基底的转移

    摘要： 一种将氮化镓(GaN)发光二极管(LED)转移到玻璃、硅、聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚氨酯等特殊基板的简化方法被证实可行——该方法利用化学剥离(CLO)过程中自发形成的垂直系绳，无需牺牲层或额外工艺步骤。LED阵列附着于涂覆粘合层的印章上，当含LED的层转移至新基板后，用丙酮移除印章即完成制备。超过3×3平方厘米的LED阵列可无损、无偏转地转移至各类基板。研究还发现，由于内应力降低，转移后的光学和电学特性得到改善。这种简单实用的方法有望大幅推动可转移全彩GaN微LED在各类基板上的发展，且能实现极小损伤甚至零损伤转移。

    关键词： 转移，发光二极管，化学剥离，氮化镓

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 基于氮化镓的微发光二极管通过激光剥离工艺的性能分析

    摘要： 本研究采用倒装芯片技术制备了单色氮化镓基微发光二极管(μLED)阵列。通过激光剥离(LLO)工艺降低了蓝宝石(n=1.77)与氮化镓(n=2.4)折射率差异导致的光发散问题。与传统含蓝宝石衬底的倒装芯片μLED相比，LLO-μLED显著提升了光准直性能。我们特别强调LLO前后光学特性的重要性——去除蓝宝石衬底后光准直度提高了12%。该结果对理解LLO后μLED阵列的光学特性具有重要价值。

    关键词： 发光二极管、微发光二极管、激光剥离技术、氮化镓

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [2019年IEEE电力电子与可再生能源会议(CPERE) - 埃及阿斯旺市(2019.10.23-2019.10.25)] 2019年IEEE电力电子与可再生能源会议(CPERE) - 恒定功率发电运行下1500V直流光伏逆变器的热性能评估

    摘要： 本文描述了一种技术，用于在多个不同机制同时导致射频半导体器件性能退化时高效评估其可靠性。该技术对当前氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）器件具有重要意义，因为已有广泛报道显示多种退化机制会同时显现症状。该技术首先通过识别各机制对应的"特征性"直流参数，随后开展多温度条件下的独立直流应力寿命测试以获取这些特征参数的退化速率及相应阿伦尼乌斯曲线。接着进行单应力条件的射频应力寿命测试（同时监测所有特征参数和射频性能），据此确定直流寿命测试变化率与射频应用变化率之间的"比例系数"。将这些比例系数应用于原始阿伦尼乌斯曲线后，可得到包含多条不同退化机制曲线的射频应用综合阿伦尼乌斯图谱。通过持续监测相应特征参数并开展更多直流及射频寿命测试，该技术可扩展至分析更多退化机制。

    关键词： 半导体器件可靠性、寿命测试、氮化镓、高电子迁移率晶体管、失效分析

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [IEEE 2019年第21届透明光网络国际会议(ICTON) - 法国昂热(2019.7.9-2019.7.13)] 2019年第21届透明光网络国际会议(ICTON) - 单频蓝激光的应用

    摘要： 氮化镓（GaN）光源正日益成为现代社会的重要组成部分，如今已成为照明基础设施、通信系统及量子应用等领域的关键器件。特别是许多应用已从LED转向激光二极管，以利用更高功率、更宽带宽和更长的传输距离。激光通信系统已相当成熟，但在某些应用中，选择单一发射波长的能力极为重要，例如量子原子钟或滤波通信系统。分布式反?。―FB）激光器已实现单波长发射，其光栅结构刻蚀在脊形波导的侧壁上。开发这类激光器的主要动机是用于原子钟中的离子冷却，但其用于光通信的可行性也在探索中。窄线宽激光器备受青睐，本文将探讨如何实现这一目标。在直接调制、未滤波的系统中也实现了超过1 Gbit/s的数据速率。这些器件适用于波分复用和滤波光通信系统，本文将进一步分析相关应用。

    关键词： 氮化镓、光学原子钟、光通信、分布反馈激光器

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 微LED的发展

    摘要： 这一视角概述了微LED（microLED）技术的早期发展、当前状况及剩余挑战——该技术最早于2000年发表在《应用物理快报》[S. X. Jin, J. Li, J. Z. Li, J. Y. Lin 和 H. X. Jiang, "氮化镓微盘发光二极管," 应用物理快报 76, 631 (2000)]。如今，微LED被视为终极显示技术，也是全球增长最快的技术之一，科技巨头将其广泛应用于各类产品：从大型平板显示器、电视、可穿戴显示器、虚拟现实显示器，到神经接口与光遗传学光源。预计全球研发合力将不仅推动微LED产品进入大众消费电子市场，更将通过覆盖医疗/健康、能源、交通、通信和娱乐等领域，以最广泛的社会服务规模实现应用。

    关键词： 微发光二极管、光遗传学、显示技术、氮化镓、神经接口

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 基于III族氮化物的深紫外发光二极管能带工程研究综述

    摘要： III族氮化物深紫外（DUV）发光二极管（LED）被认为是水/空气净化、杀菌及生物传感应用中具有前景的高能效、环保且耐用的紫外光源。然而，由于内量子效率低、电流泄漏严重及高电流注入时效率骤降等问题，当前DUV LED的性能远未达到商业化要求。学界已投入大量精力通过合理设计此类发光器件的能带结构来提升其输出功率。本综述总结了DUV LED能带设计与工程化的最新进展，重点关注电子阻挡层、量子阱、量子垒的能带工程方法，以及隧道结、超薄量子异质结构等新型结构的应用以提升效率。这些创新方案为下一代更高效环保的实用化紫外光源铺平了道路。

    关键词： 量子阱，量子垒，深紫外发光二极管，超薄量子异质结构，能带工程，电子阻挡层，隧道结，氮化镓（III族氮化物）

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 采用感应耦合等离子体(ICP)优化准垂直GaN肖特基势垒二极管(SBD)的台面刻蚀工艺及器件特性

    摘要： 本研究全面探究了采用感应耦合等离子体（ICP）刻蚀技术对准垂直氮化镓（GaN）肖特基势垒二极管（SBD）台面刻蚀的优化方案，包括刻蚀掩模选择、ICP功率、射频（RF）功率、混合气体比例、流量及腔室压力等参数。特别地，通过结合ICP干法刻蚀与四甲基氢氧化铵（TMAH）湿法处理，消除了台面侧壁底部拐角处的微沟槽。最终利用优化后的刻蚀工艺实现了高各向异性的台面侧壁形貌，并制备出准垂直GaN SBD，在-10V反向偏压下获得10?? A/cm2的低反向电流密度。

    关键词： 准垂直、电感耦合等离子体（ICP）、氮化镓（GaN）、干法刻蚀、侧壁轮廓、台面结构、肖特基势垒二极管（SBD）

    更新于2025-09-19 17:13:59