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通过纳米级电子探针直接观测红外等离子体法诺反共振现象
摘要: 在本信中,我们利用单色化像差校正扫描透射电子显微镜(STEM)的最新突破,解析了单个纳米加工盘-棒二聚体中的红外等离子体法诺反共振现象。通过结合电子能量损失谱与理论建模,我们研究并表征了准离散与准连续局域表面等离子体共振之间弱耦合区域的一个子空间——该区域会出现红外等离子体法诺反共振。这项工作展示了STEM仪器在实验观测纳米尺度等离子体响应方面的能力,而此类响应此前仅能通过更高分辨率的红外光谱技术实现。
关键词: STEM(扫描透射电子显微镜)、红外、法诺反共振、等离子体、电子能量损失谱(EELS)
更新于2025-09-11 14:15:04
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[IEEE 2018国际半导体工艺与器件模拟会议(SISPAD) - 美国德克萨斯州奥斯汀市(2018年9月24日-26日)] 2018国际半导体工艺与器件模拟会议(SISPAD) - 双栅MOSFET中量子电流的模拟:电子输运中的涡旋现象
摘要: 双栅极(DG)场效应晶体管(FETs)和鳍式场效应晶体管(FinFETs)在缩小至纳米尺度时,其电子输运的量子模拟通常被认为是必要的。本文展示了利用模拟程序对这些器件中弹道量子输运进行建模所获得的结果。我们的量子模拟显示,在超薄体(UTB)硅DG MOSFETs的沟道中存在准束缚电子态,并且其输运行为中出现了法诺干涉现象。同时,在发生传输零点(反共振)的能量处,也观测到了电子波函数中的涡旋结构。
关键词: 法诺反共振、薛定谔、QTBM、DG MOSFET、量子干涉、电子输运
更新于2025-09-04 15:30:14