- 标题
- 摘要
- 关键词
- 实验方案
- 产品
-
射频注入锁定下非锁定驱动光电振荡器锁相动力学的改进分析模型
摘要: 本文提出了一种改进的闭式大注入扰动解析模型,用于精确研究射频信号注入下光电振荡器(OEO)的锁相动力学与频率牵引现象。我们给出了适用于弱注入与强注入信号强度下、未锁定驱动OEO相位扰动程度的通用精确锁频范围公式及拍频公式,并推导了未锁定驱动振荡器的频谱分量闭式表达式。研究表明,该模型能有效预测锁相过程并估算弱/强注入信号强度下射频驱动OEO的频率牵引效应,其准确性已通过仿真验证。
关键词: 拍频、注入锁定、锁相动力学、锁定范围与光谱分量
更新于2025-09-23 15:23:52
-
[IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都 (2018.7.9-2018.7.13)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 用于数据传输的5.8GHz注入锁定磁控管研究
摘要: 实验表明,5.8GHz注入锁定磁控管能够传输数字数据。我们通过频移键控方式将电机控制信号调制到5.8GHz载波上,利用注入锁定方法将该调制信号注入5.8GHz磁控管,由磁控管作为发射机放大该调制信号。接收端解调信号后实现对电机的控制。该系统以9600bps速率传输数据且无误码。未来我们将构建基于相同微波频段的无线电能与数据同步传输系统。
关键词: 频移键控,5.8GHz磁控管,注入锁定
更新于2025-09-23 15:21:21
-
窄线宽晶体体块拉曼激光器的最新进展
摘要: 窄线宽固态拉曼激光器在众多应用中具有重要意义。过去十年间,人们采用了多种方法来抑制拉曼激光输出的光谱线宽。本综述总结了近期关于窄线宽和/或单频固态拉曼激光器的研究工作,阐述了相关机制与成果,同时分析了各项技术的优缺点,以便为读者针对特定应用选择合适的窄线宽方法提供参考。
关键词: F-P标准具、注入锁定、窄线宽激光器、单频激光器、拉曼激光器、空间烧孔
更新于2025-09-23 15:21:01
-
锥形纳米线自旋霍尔振荡器中多个自激振荡模式的注入锁定
摘要: 自旋霍尔振荡器(SHO)是高频信号产生、检测与放大的理想候选器件,其工作频率可通过宽范围调节实现调谐。该器件采用简单的双层结构设计,支持电学、磁学及光学多种读出方式。本研究通过实验探究了基于Pt(7 nm)/Ni80Fe20(5 nm)锥形纳米线的SHO器件中自激振荡的空间依赖性与光谱特性。利用布里渊光散射显微镜,我们观测到两个独立自局域化的自旋波子弹——它们以5.2 GHz和5.45 GHz两个不同频率振荡,并定位于SHO内相距约750 nm的不同位置。这种锥形SHO状态虽已被金兹堡-朗道自激振荡模型预测,但尚未获得直接实验证实。我们证明所观测的子弹可分别与外部微波信号同步,导致被选子弹出现频率牵引、线宽缩减及振荡幅度增强(其频率由微波信号决定),同时其他寄生模式的振幅降低,从而促进SHO的单模运行。最后研究了自旋波子弹同步特性随微波功率的变化规律。我们认为该发现有助于实现包含多个独立自旋波子弹的扩展型自旋霍尔振荡器,这些子弹可共同覆盖更宽的调谐范围。
关键词: 自旋波子弹、注入锁定、自激振荡、布里渊光散射显微镜、自旋霍尔振荡器
更新于2025-09-23 15:21:01
-
通过微波注入调节中红外量子级联激光器的自由光谱范围
摘要: 发射波长为4.7微米的量子级联激光器(QCLs)通过直接微波调制可实现自由光谱范围(FSR)的调谐。由于子带间跃迁固有的短载流子寿命以及阻抗匹配的电学封装,该器件能实现超过30GHz的高速调制。当射频(RF)注入频率接近腔体往返频率时,可观察到激光光谱显著展宽并趋于平坦。对激光器高分辨率光谱的精确分析表明:若调制频率处于器件的锁定范围内,无论是自由运转还是RF调制的QCLs都呈现梳状工作状态。相较于单纯研究微波区域的拍频信号,采集中红外高分辨率光谱的主要优势在于能够获取全部纵模信息,从而精确测量整个光学频谱范围内的FSR。采用高分辨率光谱技术可对微波调制下的激光光谱进行深入全面的分析。
关键词: 量子器件、中红外区域、注入锁定、自由光谱范围的调谐性、超快器件
更新于2025-09-23 15:19:57
-
通过扩展腔二极管激光器的注入锁定产生用于原子干涉仪的相位锁定光束
摘要: 我们报道了一种产生频率偏移为6.834 GHz的两束相位锁定光的新方法。主激光器的输出通过电光调制器(EOM)进行调制,然后注入从激光器——一台扩展腔二极管激光器(ECDL)。该ECDL可放大激光功率,并滤除可能干扰拉曼跃迁并因与主激光器干涉效应导致激光功率波动的无用模式(主要是反向边带和载波模式)。通过将所述从激光器注入锁定至调制后主激光束的一阶边带,我们在10 Hz至100 kHz频率范围内实现了低于?50 dBc/Hz的相位噪声。所产生的相位锁定光束可作为拉曼激光器应用于光脉冲原子干涉仪。
关键词: 扩展腔二极管激光器、锁相光束、注入锁定、原子干涉仪
更新于2025-09-23 15:19:57
-
太赫兹量子级联激光器中的光子驱动宽带发射与频率梳射频注入锁定
摘要: 我们展示了一种发射频率约3太赫兹的均匀量子级联激光器(QCLs),其带宽可达950吉赫兹并呈现单一稳定的拍频信号。该器件自发运行于谐波梳状态,在密集模式状态下能以低至-55分贝毫瓦的极小射频功率在腔往返频率处实现注入锁定。当工作在具有负微分电阻的电学不稳定区域时,器件展现出超过1.83太赫兹(Δf/f=50%)的超宽带运行特性并伴随高相位噪声,同时产生自持周期性电压振荡。其低连续波阈值(115安培/平方厘米)与宽带梳状运行(Δf/f=25%)特性,使这类光源成为片上频率梳应用的极具吸引力的方案。
关键词: 量子级联激光器、太赫兹、畴形成、注入锁定、频率梳
更新于2025-09-23 15:19:57
-
[IEEE 2019年欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议(CLEO/Europe-EQEC) - 德国慕尼黑(2019.6.23-2019.6.27)] 2019年欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议(CLEO/Europe-EQEC) - 向列相液晶中红外飞秒脉冲的热致非线性空间整形
摘要: 本文提出了一种基于注入锁相的全可综合锁相环(PLL),包含插值式相位耦合振荡器、电流输出数模转换器(DAC)和精细分辨率数字变容二极管。构成该PLL的所有电路均采用数字标准单元设计实现且未经任何修改,通过数字设计流程自动完成布局布线(P&R)而无需人工干预。该设计采用65 nm数字CMOS工艺实现,仅占用110 μm × 60 μm的版图面积,据作者所知是目前报道的最小尺寸PLL。测试结果表明,在900 MHz输出频率下该PLL实现1.7 ps均方根抖动的同时仅消耗780 μW直流功耗。
关键词: 标准单元、数字变容二极管、小面积、低功耗、门控注入、注入锁定、双环、锁相环、可综合、逻辑综合、边沿注入、低抖动、PVT(工艺-电压-温度)、AD-PLL、数模转换器、CMOS
更新于2025-09-19 17:13:59
-
[IEEE 2019欧洲激光与光电子学会议暨欧洲量子电子学会议(CLEO/Europe-EQEC) - 德国慕尼黑(2019.6.23-2019.6.27)] 2019欧洲激光与光电子学会议暨欧洲量子电子学会议(CLEO/Europe-EQEC) - 微环谐振器中超频拉曼梳孤子产生的卡皮查摆效应
摘要: 在现代射频片上系统(SoCs)中,数字电路占据了高达85%的芯片面积。近期集成多个射频-SoC核心的尝试,因受到剩余射频/模拟电路的强烈抵制而面临重重阻碍——这些电路会产生大量强干扰源与弱受扰对象,导致射频性能下降。其中关键机制在于:不同LC谐振振荡器之间以及它们与强发射机(TX)输出端之间的寄生耦合会引发注入牵引效应。任何共享同一晶圆的干扰源(即振荡器与TX输出端)与受扰对象(即振荡器)之间存在静态或动态频率邻近时,都会产生注入牵引,进而引发杂散信号和/或调制失真。本文提出并验证了一种多核发射机新型频率规划技术:通过基于相位旋转的数字小数分频器,打破射频传输通道内及各通道间受扰源/干扰源的整数谐波频率关系,使每个LC谐振振荡器与其他干扰源保持超出其牵引范围的间距。该方法可实现各振荡器中心频率约28%的小数分离,同时在相位旋转器输出端产生紧密相邻的频率。最终注入牵引杂散信号距离足够远(?80 dBc量级且与载波二次谐波重合),其影响可忽略不计。该技术在65纳米数字CMOS工艺的两通道系统中得到实验验证,每通道包含高摆幅C类振荡器、分频器和相位旋转器。
关键词: 数控振荡器(DCO)、数字小数分频器、射频片上系统(RF-SoC)、多核无线电、频率牵引、片上系统(SoC)、注入锁定
更新于2025-09-19 17:13:59
-
具有改进带宽的边缘耦合波导单元行载流子光电二极管设计指南
摘要: 本文提出了一种基于注入锁相的全可综合锁相环(PLL),包含插值式相位耦合振荡器、电流输出数模转换器(DAC)及高精度数字变容二极管。该PLL所有电路均采用标准数字单元设计实现,无需任何修改,并通过数字设计流程自动完成布局布线(P&R),无需人工干预?;?5 nm数字CMOS工艺实现时,本设计仅占用110 μm × 60 μm版图面积,据作者所知是目前报道的最小尺寸PLL。测试结果表明,在900 MHz输出频率下,该PLL实现1.7 ps均方根抖动的同时仅消耗780 μW直流功耗。
关键词: 标准单元、数字变容二极管、小面积、低功耗、门控注入、注入锁定、双环、锁相环、可综合、逻辑综合、边沿注入、低抖动、工艺电压温度(PVT)、全数字锁相环(AD-PLL)、数模转换器(DAC)、互补金属氧化物半导体(CMOS)
更新于2025-09-19 17:13:59