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oe1(光电查) - 科学论文

8 条数据
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  • 2016年欧洲显微镜学大会：会议录 || 用于局部表面改性的原位低能氩离子源

    摘要： 已设计出一种用于样品表面改性的新型原位低能离子源。该离子源基于低能离子轰击原理，通过Ar+、N+或He+等离子束可实现对样品表面的局部改性。典型能量范围为10-100电子伏特，覆盖从化学反应到离子刻蚀直至离子注入的多种相互作用类型。其工作原理如下：灯丝发射的电子经灯丝与栅极间电势差加速后射向栅极，随后进入栅极与样品间的充气区域使气体电离，最终离子在栅极与样品间电势差作用下被加速轰击样品。该离子源可产生能量10-100电子伏特（半高宽7.1微米）的可调静态离子束，在100电子伏特时中心离子电流密度达0.019纳安/平方微米，与常规ICP源100电子伏特时的电流密度非常接近。通过调节偏置电压可精准控制低能离子的作用区域。该技术的首批应用包括对化学气相沉积制备的过渡金属二硫化物层状材料顶面进行抛光，或改善感应耦合等离子体制备的液相外延表面。图1展示了离子束作用的实例：采用100电子伏特氩离子在25秒内清除了硅表面的自然氧化层。

    关键词： Ar+、表面改性、低能离子源、化学反应、半高宽、原生氧化层去除、离子刻蚀、感应耦合等离子体、电流密度、静态束流、N+、离子轰击、过渡金属二硫化物、He+、液相外延、离子注入、原位、气体电离、灯丝、栅极、化学气相沉积

    更新于2025-09-24 06:15:23

  • InAs<sub>1-x-y</sub>Sb<sub>x</sub>P<sub>y</sub>梯度组分量子点在InAs(100)衬底上的成核时序与电子特性

    摘要： 我们对在InAs(100)衬底上以Stranski-Krastanov生长模式生长的In-As-Sb-P组分液相梯度成分量子点(GC-QDs)的成核过程、形貌特征及电子光学性质进行了系统研究。这些GCQDs直径为10-120纳米，高度为2-20纳米，其组分分布呈现顶部Sb含量最高约20%、底部P含量最高约15%的分离特征，因而预期空穴将在量子点上部区域形成局域态。通过采用考虑应变和内建静电势的八带k·p模型，我们计算了与实验观测体系高度吻合的多种InAs1?x?ySbxPy GCQDs的空穴基态能级与电荷密度。最终结合实验与理论数据，获得了GCQDs集合体的吸收光谱。实测与模拟吸收谱的高度一致性表明，这类GCQDs可通过理论指导设计实现特定器件的定向制备。

    关键词： 吸收光谱，成核过程，电子特性，半导体量子点，液相外延，自组装

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [IEEE 2018第四届国际新兴电子会议(ICEE) - 印度班加罗尔 (2018.12.17-2018.12.19)] 2018第四届IEEE国际新兴电子会议(ICEE) - 锗硅可控两步液相结晶优化研究

    摘要： 本研究提出了一种两步液相结晶工艺，用于在硅衬底上实现大晶粒外延锗（Ge）生长。该工艺始于硅（100）衬底上的非晶锗薄膜，通过两步退火处理实现。第一步将薄膜加热至950°C并保持5分钟（该温度高于锗的熔点），随后让薄膜冷却至930°C，并分别维持1至5小时以考察其对结晶过程的影响。实验表明950°C保持5分钟与930°C保持2小时的组合是获得高结晶度薄膜的最佳退火条件。扫描电子显微镜表征显示退火样品的表面晶粒尺寸介于2-5微米之间。通过拉曼光谱和X射线衍射（XRD）测量证实了薄膜的结晶性。样品的θ/2θ XRD测量在66.3°处显示出Ge(400)晶面的特征峰。XRD摇摆曲线进一步评估了沿Ge(400)晶面的晶粒取向度，最佳两步退火条件下该晶面半高宽仅为0.08°（即288角秒）。

    关键词： 液相外延、锗、外延生长、硅、硅上锗

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 氟化钇钙波导激光器

    摘要： 氟化钙是一种广为人知的光学元件材料，也适合掺杂稀土离子（如镱离子）。Yb:CaF?是1微米波段高功率超短脉冲体激光器的高效增益介质。我们报道了首个Yb:CaF?平面波导激光器——通过液相外延法在块状CaF?衬底上生长出具有高光学质量的掺镱氟化钙单晶波导薄膜。光谱研究表明，孤立Yb3?离子主要占据三角氧配位位点（C?v(T?)构型）。实验证实了Yb:CaF?波导的光学增益特性：采用1.4 at.%掺杂浓度的Yb:CaF?平面波导激光器在1037 nm波长输出114 mW功率，斜率效率达12.9%。该Yb:CaF?薄膜材料在功率可扩展的波导锁模激光器及放大器领域具有重要应用前景。

    关键词： 波导激光器，液相外延，光学增益，镱，氟化钙

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 具有改进量子效率的磷化镓太阳能电池结构

    摘要： 采用改进的液相外延（LPE）技术实现了量子效率提升的磷化镓（GaP）太阳能电池结构，并通过半透明肖特基接触形成二极管。性能提升源于在含镓磷的LPE熔体中添加少量铝元素——该元素能降低熔体中已知会导致GaP产生深能级陷阱态的氧背景浓度。研究还发现，在活性GaP层上方沉积富铝AlGaP层后选择性蚀刻，可显著改善活性层表面形貌。因此，这种改进的LPE技术消除了标准LPE方法中存在的弯月面线这一主要问题。

    关键词： 磷化镓，III-V族半导体，液相外延（LPE）

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 采用液相外延法生长的用于太阳能电池的GaAsSbN基p-i-n异质结构

    摘要： 我们首次研究了在GaAs衬底上通过低温液相外延(LPE)生长的四元GaAsSbN层及多层异质结构，旨在探索其在光伏应用中的潜力。我们选用Sn和Mg作为实用掺杂剂。掺杂实验可重复地证明能在器件制造适用范围内引入可控浓度的掺杂杂质。在低于600°C的温度下生长出了覆盖10^15至6×10^18 cm^-3宽载流子浓度范围的高质量n型、p型及近补偿GaAsSbN层。首次成功实现了基于近补偿i-GaAsSbN的p-i-n GaAs/GaAsSbN/GaAs异质结构的LPE生长。采用温度依赖光致发光和室温表面光伏无接触表征技术对生长结构进行研究，测量结果显示其具有高光学质量、低浓度局域态及红光响应极限延伸至1.2 eV的特性。

    关键词： 掺杂、砷镓锑氮、太阳能电池、表面光电压、光致发光、液相外延

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • [IEEE 2019欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议(CLEO/Europe-EQEC) - 德国慕尼黑(2019.6.23-2019.6.27)] 2019欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议(CLEO/Europe-EQEC) - 铒离子(Yb<sup>3+</sup>)掺杂氟化钙(CaF<sub>2</sub>)波导的液相外延生长、光谱特性及首次激光运转研究

    摘要： 掺镱氟化钙（Yb:CaF?）是被公认的约1微米波段短脉冲功率可扩展振荡器材料[1]。该材料既具备基质材料优异的热力学特性（热导率9.7 W/mK），又为Yb3?离子提供了平滑宽广的增益谱，支持激光发射的宽带调谐及锁模模式下产生亚100飞秒脉冲[1,2]。目前Yb:CaF?晶体已广泛应用于高功率块状连续波（CW）和脉冲激光器及放大器中。本研究旨在探索该材料在波导激光结构中的应用潜力。采用液相外延（LPE）法在直拉法生长的块状CaF?衬底上制备了单晶1.4 at.% Yb:CaF?薄膜，LPE生长溶剂选用CaCl?（图1(a)）?；竦玫腨b:CaF?光学质量层厚度为27±1微米（图1(b)）。光谱研究表明，与块状晶体不同[3]，孤立Yb3?离子主要呈三角氧配位构型C3v(T2)，仅含少量团簇（图1(c)）。最大受激发射截面σSE为0.70×10?2? cm2（对应974.9 nm零声子线跃迁），Yb3?离子寿命2.10毫秒。633 nm波长下测得掺杂引起的折射率变化?n = n层 – n衬底为5×10?3。

    关键词： 波导激光器、光谱学、激光运行、液相外延、掺镱氟化钙

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 液滴形成、蒸发及薄膜生长的数学建模——用于研究喷雾热解法沉积TiO<sub>2</sub>薄膜的微晶尺寸与膜厚

    摘要： 采用改进的喷雾热解系统成功在玻璃基底上沉积了纯TiO2薄膜。实验以0.075 M、0.1 M和0.125 M三种浓度的三氯化钛前驱体溶液，在350℃温度下制备TiO2薄膜；同时使用0.1 M浓度前驱体溶液分别在350℃、400℃和450℃不同沉积温度下制备薄膜。为提高结晶度，所有样品均在500℃退火处理2小时。XRD研究表明沉积的TiO2薄膜呈多晶结构，主要显示锐钛矿相且(101)晶面峰占主导。通过XRD计算得到的晶粒尺寸随前驱体溶液浓度增加而增大。研究建立了计算晶粒尺寸和薄膜厚度的数学模型，并将预测结果与实验数据进行对比，发现实验测得的晶粒尺寸与厚度与预测值高度吻合。文中详细讨论了TiO2薄膜数学模型及计算的具体细节。

    关键词： 生长、液相外延、结晶、氧化钛、X射线衍射、半导体薄膜

    更新于2025-09-09 09:28:46