在量子点发光二极管中实现22.3%外量子效率和7倍寿命提升：通过混合聚合物TFB与可交联小分子构建耐溶剂空穴传输层

摘要： 聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-交替(4,4'-(N-(4-丁基苯基)))]（TFB）因其高空穴迁移率被广泛用作镉基量子点发光二极管（QLEDs）的空穴传输层（HTL）材料。然而，由于TFB的最高占据分子轨道（HOMO）能级为-5.4 eV，其向量子点（QDs）层的空穴注入势垒超过1.5 eV。QD/HTL界面如此高的氧化电位可能严重缩短器件寿命。此外，TFB不耐大多数溶剂，这限制了其在喷墨打印QLED显示器中的应用。本研究将含有TFB和可交联小分子4,4'-双(3-乙烯基-9H-咔唑-9-基)-1,1'-联苯（CBP-V）的混合HTL引入红色QLEDs，利用CBP-V较深的HOMO能级（-6.2 eV）。与纯TFB器件相比，采用混合HTL的器件外量子效率（EQE）从15.9%提升至22.3%，且旋涂制备器件的启亮电压未增加。进一步地，混合HTL将T90和T70寿命分别从5.4小时和31.1小时延长至39.4小时和148.9小时。这些寿命提升归因于HTL/QD界面较低的空穴注入势垒以及交联后混合HTL的高热稳定性。此外，交联后的混合HTL表现出优异的耐溶剂性，喷墨打印红色QLEDs的EQE达到16.9%。