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激光表面改性对铝与聚乙烯摩擦压接结合强度的影响
摘要： 摩擦压接是一种创新的连接工艺，可在无添加剂的情况下实现塑料-金属搭接结构的连接。为获得高结合强度，金属连接件需预先进行激光辐射处理。随后在连接过程中通过摩擦和压力产生热量，使热塑性材料熔化并附着于金属连接件。本研究分析了复合结构在连接过程中的温度分布特征，发现产生的温度及温差不仅取决于转速，还受进给速率影响。研究同时表明，摩擦面温度可作为基于模型的闭环控制间接控制变量。基于这些发现，我们研究了金属连接件多种表面改性方案对连接接头最大强度的影响，发现准混沌纳米结构可实现最高拉伸剪切强度。此外，通过金相切片对连接复合层进行表征，有助于识别接头中的特定区域。这些研究揭示了塑料与金属摩擦压接的巨大潜力，为基于模型的连接区温度控制奠定了基础。
关键词： 聚合物金属连接、异种材料连接、铝、混合键合、热塑性塑料、摩擦压接
更新于2025-09-12 10:27:22
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[IEEE 2018国际晶圆级封装会议（IWLPC） - 美国加州圣何塞（2018.10.23-2018.10.25）] 2018国际晶圆级封装会议（IWLPC） - 晶圆对晶粒与晶粒对晶粒应用的低温直接键合互连技术开发：堆叠、良率提升及可靠性评估
摘要： 直接键合互连技术（DBI），通常称为低温混合键合，是一种极具吸引力的键合技术，其可实现比任何基于焊料的微凸点键合更精细的间距和更高的吞吐量。介电键合在环境温度下进行，而金属互连（通常是铜-铜）则在150°C至300°C的低退火温度下形成。目前，6μm间距工艺已实现晶圆对晶圆（W2W）混合键合的大规模量产。Xperi公司正在开发芯片对晶圆（D2W）和芯片对芯片（D2D）组装技术。独特挑战包括：在5μm及以上尺寸的铜键合焊盘上制作浅层、均匀且可控的铜凹槽（该尺寸显著大于W2W键合常规规格），以及键合前芯片表面的颗粒最小化控制。Xperi设计的菊花链芯片与晶圆包含2至31356个互连链，芯片尺寸为7.96毫米×11.96毫米（与典型高带宽内存HBM芯片相近）。键合研究涵盖40μm间距上10μm/15μm直径焊盘及10μm间距上5μm直径焊盘，芯片厚度为50μm或200μm。本文重点介绍化学机械抛光（CMP）技术的最新进展——可在15μm圆形焊盘上制备均匀浅层铜凹槽。大尺寸焊盘放宽了对准要求，适配现有高吞吐量倒装芯片键合设备。同时探讨了适用于量产的键合工艺、D2W多层堆叠方案，以及键合良率与可靠性提升成果。
关键词： 2.5D、D2D、铜对铜键合、DBI?、芯片堆叠、D2W、3D、混合键合
更新于2025-09-04 15:30:14