具有渐变折射率基区的高性能双量子阱垂直腔面发射晶体管激光器设计

摘要： 分析了不同的限制结构，以实现具有渐变折射率分离限制异质结构的双量子阱垂直腔面发射晶体管激光器更高的光电性能。在电流密度的扩散项中加入漂移分量并求解新方程组后，获得了该器件改进的电光性能。对原始结构进行带隙工程预测，可同时提升电流增益（超过两倍）和-3 dB光学带宽（提高1.5 GHz）。通过在基区应用AlξGa1-ξAs渐变层，其他虽非关键但重要的性能指标（包括光输出功率和阈值电流）也获得最高达20%的改善。