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oe1(光电查) - 科学论文

37 条数据
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  • [2019年欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC）- 德国慕尼黑（2019.6.23-2019.6.27）] 2019年欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC）- 非线性光子晶体中温度依赖级联频率转换的魔幻交叉点

    摘要： 在本研究中，我们基于二维周期性极化钽酸锂（2D-PPLT）方形晶格结构，探究了非线性光子晶体中级联参量产生的温度依赖性。在建立光学参量产生（OPG）[1]的多组同步频率转换后，发现信号光(ω?)、闲频光(ω?)与泵浦光的相互作用会进一步引发二次谐波产生（SHG）、和频产生（SFG）及差频产生（DFG）等级联非线性过程。后者表明在绘制非线性相互作用随温度变化曲线时存在所谓的"魔幻"交叉点。我们采用周期8.52μm、填充因子38%的二维PPLT方形晶格，晶体长度2cm、厚度0.5mm，使用峰值功率80kW、脉宽0.5ns的532nm脉冲绿光泵浦。在T=110°C晶温下测得的级联频率转换光谱显示10个波长峰：393nm、402nm、518nm、532nm、548nm、787nm、820nm、1518nm、1576nm和1642nm。更重要的是，当将参量产生波长映射为样品温度函数时（图1.a），在T=64°C处观察到有趣现象——四组波长在ω=399nm(λ?2)、532nm(λ?2)、798nm(λ?2)和1596nm(λ?2)处交汇。通过改变晶温可实现参量非线性光学过程在简并与非简并态间的切换。此外，这为通过二维非线性晶体中的参量下转换产生具有可控光谱特性的纠缠光子提供了新途径[2]。我们利用晶体折射率的Sellmeier方程评估温度对准相位匹配（QPM）参量过程的影响。研究表明必须谨慎采用文献报道的Sellmeier方程参数，微小的系数变化可能导致对实验数据的重大误解及高效QPM频率转换器件的错误设计，该效应在考虑级联非线性相互作用时影响更为显著。

    关键词： 温度依赖性、非线性光子晶体、魔幻交叉点、级联参量产生、塞耳迈耶尔方程

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • [2018年IEEE核科学研讨会与医学成像会议（NSS/MIC）- 澳大利亚悉尼（2018.11.10-2018.11.17）] 2018年IEEE核科学研讨会与医学成像会议论文集（NSS/MIC）- 钠碘探测器耦合光电倍增管与硅光电倍增管的比较

    摘要： 碘化钠闪烁体已广泛应用数十年。近年来，基于半导体技术的新型光电传感器——硅光电倍增管（SiPM）备受关注，并已在部分应用中开始取代传统光电倍增管（PMT）。本研究对比了两种同尺寸晶体NaI探测器的性能：一种耦合PMT，另一种耦合SiPM阵列。两种探测器响应均呈现良好线性，但NaI-SiPM探测器在高能伽马射线照射时出现饱和迹象。研究分析了-20至50℃温度范围内探测器的波形特征与能量分辨率。由于SiPM电容效应，NaI-SiPM探测器的波形衰减常数显著长于NaI-PMT探测器。固定成形时间下，两种探测器的能量分辨率均随温度变化，但通过根据温度合理选择成形时间，NaI-SiPM探测器的能量分辨率可达到与NaI-PMT探测器相当的水平。

    关键词： 碘化钠闪烁体、硅光电倍增管（SiPM）、能量分辨率、光电倍增管（PMT）、温度依赖性

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 基于氮化硼量子点宽范围光致发光强度的温度传感器及其光致发光机制

    摘要： 氮化硼纳米片（BNNSs）作为结构类似石墨的典型二维少层纳米材料之一，因其独特性能而受到广泛研究开发。近期基于氮化硼的温度传感器因其优异的高温化学稳定性激发了研究兴趣。本研究采用改进的自上而下法，以超薄BNNSs为前驱体制备了氮化硼量子点（BNQDs）。观测到BNNSs和BNQDs分别呈现强烈的蓝光和蓝绿光光致发光（PL），量子产率（QYs）分别为15.4%和10%。此外首次研究了BNQDs的温度依赖性PL特性，据此分析了热猝灭/布居的温度激活能及电子-声子相互作用变化。PL强度与温度的良好对应关系表明BNQDs可用于温度传感器。其优异的光稳定性、存储稳定性及良好可逆性，使BNQDs特别适用于基于稳定宽范围PL强度的温度传感器。

    关键词： 温度依赖性、氮化硼量子点、光致发光、传感器

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 电子-声子耦合对单胶体量子点发光光谱的贡献

    摘要： 在氮气环境下，对单个胶体量子点CdSe/ZnS进行了室温以上宽温度范围的光致发光光谱实验。检测并分析了由温度变化及光谱扩散过程引起的谱线展宽与位移现象。研究发现光谱峰位与线宽平方值之间存在线性关联，该依赖关系可通过考虑电子-声子耦合强度缓慢变化的模型得到解释。

    关键词： 温度依赖性、光谱扩散、发光光谱学、电子-声子耦合、胶体量子点

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 硅/锗硅量子点中的低频电荷噪声

    摘要： 硅中的电子自旋具有较长的相干时间，是极具前景的量子比特平台。然而半导体中的电场噪声对量子点自旋量子比特的大多数单比特和多比特操作构成挑战。我们研究了具有重叠栅极的Si/SiGe量子点中低频电荷噪声谱对温度和氧化铝栅介质厚度的依赖性。发现电荷噪声随氧化铝厚度增加而增强，并且不同量子点的噪声幅度及频谱的温度依赖性存在显著差异。这些结果表明每个量子点所受噪声源自具有非均匀热激活能分布的独特双能级系统集合体。综合来看，我们的研究证实Si/SiGe量子点中的电荷噪声至少部分源于半导体表面附近双能级系统的非均匀分布。

    关键词： 温度依赖性、双能级系统、栅极介电层厚度、硅/锗硅量子点、电荷噪声

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • [2019年IEEE欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议(CLEO/Europe-EQEC) - 德国慕尼黑(2019年6月23日至27日)] 2019年欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议(CLEO/Europe-EQEC) - I类中红外激光二极管中的激活俄歇过程及其波长依赖性

    摘要： 基于GaSb材料体系的一类量子阱（QW）激光器在中红外波段[1]展现出优异特性。然而当波长（λ）处于2-4微米范围时，由于俄歇复合效应增强[2]，其性能开始下降。在俄歇过程中，电子-空穴复合释放的能量会转移至第三个载流子。为制定抑制俄歇复合的策略，关键在于理解主导俄歇复合路径的强度与本质，及其对工作波长λ和温度（T）的依赖关系。量子阱结构中可发生两种本质不同的俄歇过程[3]：激活型俄歇过程中，初始与末态载流子均局域于量子阱平面内，该过程的复合速率因受能量与动量守恒导致的激活能影响而呈指数型温度依赖；无阈值俄歇过程中，初始载流子态可存在于带边附近（导带/价带底部），第三个载流子则沿垂直于阱平面的方向被激发至非束缚态连续区。由于无需激活能，无阈值俄歇过程仅呈现微弱温度依赖性。 本研究报道了工作波长1.95-3.2微米范围内一类量子阱器件阈值电流密度（Jth）的温度与波长依赖性。通过变温测量发现：从低温至转折温度点[4]，辐射复合占主导地位；超过该转折点后Jth的温度敏感性急剧上升，表明强温度敏感的激活型俄歇过程开始显现。利用静水压调节激光器工作波长以探究俄歇系数的λ依赖性。通过建模激光器的增益与损耗特性确定了阈值载流子浓度（nth）。鉴于载流子浓度计算对阈值增益高度敏感，我们采用分段接触法实验测定光学损耗。通过提取实验测得的Jth辐射分量并假设剩余非辐射电流（(cid:1836)(cid:1866)(cid:1870)=(cid:1829)(cid:1866)(cid:1872)?），计算得出系数C及其波长依赖性——尽管分析同时表明该依赖关系并非严格立方关系（即C受nth影响）。

    关键词： 温度依赖性、I型量子阱激光器、俄歇复合、中红外、波长依赖性、GaSb材料体系

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 激光辐照条件下温度对In<sub>0.3</sub>Ga<sub>0.7</sub>As光伏电池参数的影响

    摘要： 研究了工作波长为1070nm、激光强度为100mW/cm2的激光无线能量传输（LWPT）系统中，In0.3Ga0.7As光伏电池在5-90℃温度范围内的参数变化特性。采用授粉算法从各温度点的I-V曲线提取光电流、串联电阻、并联电阻、反向饱和电流和理想因子等参数。结果表明：短路电流随温度升高呈指数衰减，该特性与太阳辐照条件存在显著差异；转换效率和开路电压分别以0.095%/℃和1.89mV/℃的速率线性下降。研究还分析了串联/并联电阻、理想因子及填充因子与温度的依赖关系。该研究深化了对激光辐照条件下光伏电池的认知，为LWPT系统专用电池制造提供了方向指引。

    关键词： 激光无线能量传输、转换效率、In0.3Ga0.7As光伏电池、授粉算法、温度依赖性

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • [IEEE 2019欧洲激光与光电子学会议暨欧洲量子电子学会议(CLEO/Europe-EQEC) - 德国慕尼黑(2019.6.23-2019.6.27)] 2019年欧洲激光与光电子学会议暨欧洲量子电子学会议(CLEO/Europe-EQEC) - 铽镓石榴石晶体的磁导率温度依赖性及光学偏振旋转特性

    摘要： 法拉第隔离器（IF）广泛应用于高功率光纤激光器中，以消除激光运行期间背向反射的有害影响。由于铽镓石榴石（TGG）晶体具有合适的磁光特性，它是最广泛用于IF的材料之一。然而，磁光晶体因吸收激光辐射而产生的加热会降低IF的性能。非均匀加热会导致机械应力，进而引起非均匀的偏振畸变。TGG的光学吸收系数值在很大程度上取决于晶体生长技术。确定TGG晶体的光学吸收温度依赖性也是本研究的目标之一。通过激光量热法（即通过测量传输激光辐射加热的晶体温度）测量了直径d = 0.4 cm、长度l = 2 cm的圆柱形TGG样品在1060 nm波长下的光学吸收系数。晶体加热与传输光功率的依赖关系为1.1±0.1 K/W。通过求解热平衡方程计算了吸收系数。其值从22°C加热到43°C时从1.6*10?3 cm?1增加到1.9*10?3 cm?1。还通过实验估算了TGG的温度依赖性磁导率μ(T)对偏振旋转角β的贡献。使用共振阻抗光谱法实验测量了TGG晶体的磁导率温度依赖性。TGG磁导率在室温（20°C）下约为1.008，在晶体加热到80°C时降低了Δμ = -1.2*10??。在TGG样品均匀加热和通过传输线偏振激光辐射（最高30 W光功率，1064 nm波长，2 mm光束直径）非均匀加热的情况下，测量了偏振轴旋转角变化Δβ的温度依赖性。施加的磁场强度为0.4 T，偏振轴旋转的全角度为17.5°。考虑到测量误差，两种情况下的Δβ(T) ? (5 ± 0.25)*10?2 deg/°C。需要注意的是，较窄的激光光束可能会因较大的温度梯度而导致更大的差异。通过分析μ(T)和β(T)的测量结果发现，磁导率随温度变化的贡献对整体偏振旋转角变化的影响几乎比热致维尔德常数变化低90倍。然而，如果需要对偏振轴角度进行精确控制，则应考虑μ(T)的影响。

    关键词： 镓铽石榴石、法拉第隔离器、TGG、磁导率、温度依赖性、光学偏振旋转

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 强耦合量子阱中的库仑阻力：多体关联的温度依赖性

    摘要： 我们研究了强耦合GaAs/GaAlAs双量子阱中多体关联的温度依赖性对空穴-空穴库仑拖曳效应的影响。通过经典映射超链近似方法，我们获得了任意温度下的关联函数。将由此得到的拖曳电阻率qD(T)在不同密度下的温度依赖性与假设关联函数固定在零温时的计算结果进行对比，并与完全忽略关联的情况相比较后，我们确认关联效应会显著增强拖曳作用。研究发现拖曳效应对2倍费米温度（2TF）的温度依赖性变得敏感。我们的计算结果与现有实验数据高度吻合。

    关键词： 库仑阻力、多体关联、温度依赖性、量子阱

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • n-烷烃的近边X射线吸收精细结构谱的温度依赖性

    摘要： 正二十八烷（n-C28H58）正交晶系单晶在室温（298 K）和低温（93 K）条件下记录的近边X射线吸收精细结构（NEXAFS）谱图显示出显著差异。其室温NEXAFS谱中特征性的碳1s→σ*C-H能带比低温谱更宽且能量起始点更低。密度泛函理论模拟表明，核运动和分子无序性共同导致了观测到的谱线展宽现象，并且是室温谱中C-H能带低能起始点的成因。

    关键词： 温度依赖性、量子化学、正构烷烃、近边X射线吸收精细结构、分子结构、光谱学

    更新于2025-09-11 14:15:04