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AlN/Si异质结的温度依赖性电学特性
摘要： 氮化铝（AlN）是许多基于硅的电子、光电子及机电设备的重要组成部分。载流子在AlN（0002）/Si（111）界面的输运及其复合过程，对这些器件的性能和可靠性起着关键作用。本研究通过分析AlN/Si异质结的温度依赖性电流-电压（I-V-T）特性以深入探究该现象。有趣的是，I-V-T特性分析表明肖特基势垒正向偏压下的开启电压具有温度依赖性。同时，正如预期，肖特基势垒本身也呈现温度依赖性。我们基于AlN/Si异质结处的陷阱态，对开启电压的温度依赖性进行了定性解释。
关键词： 电学特性、温度依赖性、AlN/Si异质结、肖特基势垒、陷阱态
更新于2025-09-10 09:29:36
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MoO?/GaAs(001)混合结构的温度依赖性界面稳定性
摘要： 我们报道了生长温度和生长后退火对GaAs(001)衬底上薄层MoO3薄膜界面形成及膜结构的影响，这对于未来作为III/V族半导体自旋电子学、光电子学或光伏器件中载流子选择性接触或扩散屏障的应用具有重要意义。生长和生长后退火过程采用模拟异质结构生长和光刻工艺的方式进行。高分辨透射电子显微镜显示，在200°C以下为纳米晶（"非晶"）生长，在约400°C时转变为多晶生长。能量色散X射线光谱的空间分辨化学分析表明，在薄膜沉积和退火过程中，MoO3/GaAs(001)界面均发生强烈互混。我们的结果证实了在沉积初始阶段界面形成过程中发生的互混具有重要作用。
关键词： 混合、温度依赖性、界面稳定性、GaAs(001)、扩散势垒、三氧化钼、载流子选择性接触
更新于2025-09-10 09:29:36
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磷硫属化物铁电体中的电子-声子非谐性及低热导率
摘要： 已研究了Sn(Pb)2P2S(Se)6铁电-半导体材料的热导率随温度的变化关系，结果显示其在250K以上具有超低热导率（0.5 W/m·K），并通过调节掺杂浓度可在低温区实现调控。该现象可通过多种物理机制的协同作用解释：与锡铅阳离子孤电子对立体活性相关的强电子-声子非谐性晶格中的跳跃式热传导，以及P2S(Se)6基团的价态涨落。此外，共价性更强的化合物中非公度相的存在、250K附近的三临界点位置以及化学键的特殊性质，均与观测到的实验行为相关联。
关键词： 铁电性、键合、热导率、结构-性能关系、温度依赖性
更新于2025-09-09 09:28:46
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温度对光子晶体中金属纳米颗粒纳米复合材料的影响
摘要： 我们理论研究了基于银纳米粒子复合物的一维光子晶体中的光子带隙。根据银纳米粒子等离子体频率的温度依赖性计算介电常数，并通过纳入纳米粒子的体积膨胀系数分析温度对这些结构的影响。观察了填充因子、纳米粒子半径和温度变化时光子带隙的行为。这些结果的演变有助于设计所需的光子晶体。
关键词： 光子晶体、纳米复合材料、光子带隙、温度依赖性、银纳米粒子
更新于2025-09-09 09:28:46
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C60氧化物的温度和压力诱导拉曼研究
摘要： 我们展示了通过光解法制备的C60氧化物（C60O）薄膜的温度、激光功率和压力依赖性拉曼光谱分析。评估了一阶温度、激光功率和压力对拉曼频率的影响系数，并用于计算C60O的热导率。测得其热导率为0.7 W m-1 K-1，略高于块体C60。对应于C-O和C-C键的拉曼频率随温度降低发生蓝移，这归因于C60O分子的热收缩。通过密度泛函计算优化了C60O结构，实验测得的不同温度下拉曼位移证实了C-O键长的收缩，并据此计算出C60O的线性膨胀系数。研究还阐明了压力诱导的C60O团簇压缩与聚合现象。该工作揭示了C60O团簇中热学与力学转变的相互作用，这种相互作用可能通过调节分子间相互作用来调控其热电性能。
关键词： 压力依赖性、热电性质、拉曼光谱、热导率、C60氧化物、激光功率依赖性、温度依赖性
更新于2025-09-09 09:28:46
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O12:铈闪烁体
摘要： 测量了Gd3Al2Ga3O12(GAGG):Ce单晶闪烁体在-100℃至室温范围内对0.662 MeV γ射线和5.48 MeV α射线的光产额(LY)及衰减动力学特性。随着温度降低，γ射线的光产额提升20%，在约-70℃时达到最大值；α射线的光产额则单调递增50%。上升时间和衰减时间均逐渐延长。此外结果表明，脉冲形状甄别技术在室温下效果最佳。
关键词： 脉冲形状甄别、光产额、温度依赖性、闪烁体、钆铝镓石榴石（GAGG）:铈、粒子探测器、衰减时间
更新于2025-09-04 15:30:14
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栅极电压和温度依赖的钛-石墨烯结电阻，助力直接形成p-n结
摘要： 高质量金属-石墨烯接触对于制造高性能石墨烯晶体管至关重要。尽管钛（Ti）因其优异的粘附性能被广泛用作石墨烯器件的金属电极，但钛/石墨烯（Ti/Gr）界面的接触电阻（Rc）通常较高，且变化幅度达三个数量级（约103至10? Ω·μm）。本研究系统探究了栅压（VG）和温度（T）对Ti/Gr界面Rc的影响。除显著依赖VG外，n型分支的Rc始终高于p型分支，表明钛会导致石墨烯n型掺杂。此外，Rc呈现异常的温度依赖性——随温度降低显著下降，在20K时低至约234 Ω·μm。这种Ti/Gr接触可调控费米能级达0.15 eV，并能无需额外栅极或化学掺杂直接形成明确的锐利p-n结。这些发现为开发新一代石墨烯基电子和光电器件铺平了道路。
关键词： 栅极电压、温度依赖性、钛-石墨烯结、p-n结、石墨烯、接触电阻
更新于2025-09-04 15:30:14