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oe1(光电查) - 科学论文

10 条数据
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  • 通过引入局域内建电场调控溶液法制备紫外光电探测器的电荷传输特性

    摘要： 氧化锌（ZnO）在紫外（UV）光电探测器领域的应用受限于较低响应度，这源于其大激子结合能导致的强带间直接复合，以及缺陷态引发的缺陷辅助电荷复合。本研究采用溶液法制备的ZnO:聚[90-十七烷基-2,7-咔唑-alt-5,5-(40,70-二-2-噻吩基-20,10,30-苯并噻二唑)]（PCDTBT）复合光敏层来克服这些缺陷。通过掺杂PCDTBT可构建局域内建电场，有效促进无退火ZnO层中光生激子解离；同时暗态下形成的耗尽区降低了多数载流子浓度，从而减小了探测器暗电流。此外，PCDTBT的吸收光谱与ZnO的荧光光谱完美重叠，有利于通过荧光共振能量转移实现载流子复合能量的再利用。研究表明ZnO中的电荷复合损耗限制了光响应性能，并为提升紫外光电探测器的光探测能力指明了方向。

    关键词： 氧化锌，紫外光探测器，溶液法制备，聚[2,6-(4,4-双-(2-乙基己基)-4H-环戊二烯并[2,1-b;3,4-b']二噻吩)-alt-4,7-(2,1,3-苯并噻二唑)]，内建电场

    更新于2025-11-14 15:27:09

  • 用于功率电子器件的高击穿强度电沉积氧化锌肖特基二极管

    摘要： 通过优化的电沉积法合成ZnO薄膜，实现了800 kV/cm的临界电场强度。该数值比单晶硅高出2至3倍，源自铂基底上电沉积柱状结构ZnO薄膜垂直肖特基二极管的应用。该器件展现出2.5×10^15 cm^-3的自由载流子浓度、3×10^8的整流比以及1.10的理想因子——这一数值在溶液法制备的ZnO中极为罕见。高击穿强度与高厚度加工能力使这种环保工艺成为电力电子和能量收集领域的重要选择。

    关键词： 击穿电压、电沉积、氧化锌、临界电场、溶液法制备、肖特基二极管、功率二极管、理想因子

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 基于染料敏化和硫化铅胶体量子点的四端串联太阳能电池

    摘要： 本工作通过采用染料敏化太阳能电池（DSSC）作为顶电池、硫化铅（PbS）胶体量子点太阳能电池（CQDSC）作为底电池，制备了高性能四端溶液法叠层太阳能电池。对于染料敏化顶电池，使用三种不同染料组合并移除二氧化钛（TiO2）散射层以最大化透光率；对于PbS底电池，则比较了不同尺寸的量子点。采用XL染料混合物与890纳米PbS量子点时，实现了超过12%的光电转换效率（PCE），相比单一DSSC或CQDSC子电池显示出显著的效率提升。

    关键词： 染料敏化太阳能电池、量子点太阳能电池、硫化铅、四端串联、溶液法制备

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 通过溶液法可控合成高效Cu2BaSnS4太阳能电池

    摘要： 通过低成本溶液法合成了高质量的高纯度Cu2BaSnS4薄膜。采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等手段对所得薄膜进行了系统表征。表征结果表明：通过硫族元素蒸汽下的顺序退火步骤，获得了高纯度且完全覆盖的Cu2BaSnS4薄膜。该Cu2BaSnS4太阳能电池效率达1.99%，是目前溶液法制备获得的最高效率值，这一高效性可能与高纯度的Cu2BaSnS4物相有关。本研究为获得高效Cu2BaSnS4太阳能电池提供了有效途径。

    关键词： 薄膜、太阳能电池、Cu2BaSnS4、溶液法制备

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 采用准核壳技术对全无机钙钛矿量子点进行表面工程以实现高性能光电探测器

    摘要： 具有良好表面形貌的全无机卤化铅钙钛矿在光电器件领域展现出广阔前景。然而配位烷基胺配体（如油酸和油胺）的阴离子交换会导致配体脱落并产生更多界面陷阱位点，进而降低器件性能。本文因此提出一种简便的溶液法制备准核壳结构CsPbBr3-甲脒碘（FAI=CH(NH2)2I）胶体量子点（CQDs），并通过精确控制配体交换将其作为光电探测器活性层。傅里叶变换红外光谱证实FAI=CH(NH2)2I存在于CsPbBr3表面。实验结果显示，在1.5V偏压下经3mW cm-2 405nm光照时，ITO/ZnO (100nm)/CsPbBr3 (150nm)/Au探测器比探测率超过1013 Jones，响应度达19 A W-1。数据表明器件性能提升源于FAI钝化过程中烷基胺配体脱落较少，使CsPbBr3 CQDs结晶度提高且表面缺陷减少，从而改善了薄膜载流子迁移率。该方法为高性能溶液法制备全无机CsPbBr3基光电器件提供了可行途径。

    关键词： CsPbBr3钙钛矿纳米晶体，溶液法制备，表面钝化，复合过程

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 自给自足且高效的金夹层上转换纳米复合激光器，适用于可拉伸及生物应用

    摘要： 多功能镧系掺杂上转换纳米粒子（UCNP）已在柔性光电子学和生物医学应用领域大展身手。当前持续面临的挑战在于实现基于UCNP、能在超低阈值下产生连续波（CW）激光的纳米复合材料。本研究展示了一种金夹层UCNP纳米复合材料{金（Au1）-UCNP-金（Au2）}，该材料在连续波激发下能呈现超低阈值激光发射。镧系元素的亚稳态能级特性有利于实现粒子数反转。理论模拟证实，该纳米复合材料中基于局域表面等离子体共振的电磁热点，以及多重散射导致的散射系数大幅增强，共同促进了相干闭合回路的形成，从而推动受激辐射过程。通过光捕获效应，这些纳米复合材料被应用于可拉伸系统以增强激光发射（阈值约0.06 kW/cm2）。利用新设计的Au1-UCNP-Au2纳米复合材料，本研究还展示了其在HeLa细胞生物成像和抗菌活性（光热治疗）方面的应用。

    关键词： 可拉伸激光器、电磁热点、随机激光、上转换激光、溶液法制备、连续波激光

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 一种简便合成二维CsPb2Br5纳米/微米片用于高性能溶液法制备光电探测器的方法

    摘要： 本文提出了一种在室温下合成二维全无机CsPb2Br5纳米/微米片材的简便方法及其作为溶液法制备高性能光电探测器活性层的应用。所得CsPb2Br5纳米/微米片材显示出522 nm的光致发光发射峰（半高宽窄至约17 nm，表明其具有高色彩纯度）以及307 nm的吸收峰和339 nm的肩峰。随后将这些CsPb2Br5纳米/微米片材用作光电导探测器的活性层，在405 nm波长16 μW/cm2光照条件下，Au/CsPb2Br5(85μm)/Au光电导探测器实现了1.0×1012 Jones的高比探测率、0.02 A/W的光响应度以及~10-12 A的超低暗电流。进一步探讨了性能提升的物理机制，从而为高性能CsPb2Br5光电探测器抑制暗电流提供了新方法。

    关键词： 溶液法制备、低暗电流、CsPb2Br5纳米/微米片光电探测器

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 利用电流体喷射喷涂优化量子点薄膜以制备溶液法加工的量子点发光二极管

    摘要： 电流体动力学（EHD）喷射喷涂工艺是制备发光二极管（LED）中量子点（QD）层的有效方法。然而，控制量子点层的形貌及实现大规模制备对于获得高性能全溶液法加工的QD-LED至关重要。研究采用三种EHD喷射喷涂技术：大圆形薄膜法、螺旋线法和直线法，以获得均匀性良好的量子点薄膜。其中直线喷涂法最有望实现大面积均匀量子点层，采用该方法制备的QD-LED性能更优——开启电压低至3.0V，亮度达7801 cd/m2，最大电流效率为2.93 cd/A。

    关键词： 溶液法制备、量子点、电流体动力学喷射印刷、薄膜、量子点发光二极管

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 通过掺杂异价钕阳离子的杂化钙钛矿实现溶液法制备超高探测率光电探测器

    摘要： 混合钙钛矿材料因其优异的光电性能，在实现高性能光伏器件方面引起了显著关注。但大多数研究聚焦于原始钙钛矿CH3NH3PbI3。本研究采用新开发的CH3NH3PbI3:xNd3+（x=0.5 mol%）薄膜作为溶液法钙钛矿光电探测器的光活性层，其中Pb2+被不等价Nd3+阳离子部分取代。研究发现，所得CH3NH3PbI3:xNd3+（x=0.5 mol%）薄膜具有优异的成膜形貌、增强且平衡的载流子迁移率以及抑制的陷阱密度，使得采用该薄膜的钙钛矿光电探测器光电流增强而暗电流降低。因此，室温工作的溶液法钙钛矿光电探测器在350-800 nm光谱范围内展现出超过1014 cm Hz1/2 W?1的光电探测率、超过100 dB的线性动态范围及快速响应特性。这些结果表明，通过Pb2+被不等价Nd3+阳离子部分取代的新型混合钙钛矿材料，可实现高性能溶液法钙钛矿光电探测器。

    关键词： 溶液法制备、钕阳离子、异价取代、光电探测器、杂化钙钛矿

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 基于聚[(9,9-二正辛基芴-2,7-二基)-交替-(苯并[2,1,3]噻二唑-4,8-二基)]：聚乙烯吡咯烷酮复合材料的溶液法制备柔性非易失性阻变器件及其导电机理

    摘要： 近期，用于可穿戴电子器件的溶液法制备阻变开关因其工艺简便而备受关注，在不同应用领域展现出需求。本文提出一种基于两种聚合物——聚[(9,9-二正辛基芴-2,7-二基)-交替-(苯并[2,1,3]噻二唑-4,8-二基)](F8BT)与聚乙烯吡咯烷酮(PVP)复合材料的溶液法阻变存储器件，该器件通过旋涂技术在柔性氧化铟锡(ITO)包覆的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)衬底上制备而成。所制器件在±1.5V的小幅工作电压扫描下展现出优异的非易失性双极性阻变特性，其高阻态(HRS)和低阻态(LRS)电阻值分别为92678.89Ω和337.85Ω。为验证非易失性与长期稳定性，器件经700次以上耐久循环测试，期间HRS与LRS波动值分别为48Ω和37.35Ω。60天以上的保持时间测试显示ROFF/RON比值为274.31。器件可承受<10mm直径的弯曲形变，并采用场发射扫描电镜(FESEM)分析其形貌特征。通过log-log I-V斜率拟合曲线证实，该器件的导电机理符合空间电荷限制传导(SCLC)机制。研究结果表明，基于F8BT:PVP复合材料的阻变器件有望成为未来柔性低功耗非易失性阻变存储器的理想候选方案。

    关键词： 阻变效应、复合材料、F8BT、溶液法制备、柔性、非易失性、聚乙烯吡咯烷酮（PVP）、导电机理

    更新于2025-09-04 15:30:14