P-1.1：背沟道蚀刻a-IGZO薄膜晶体管中阈值电压对沟道宽度和漏极电压的异常依赖性

摘要： 制备了具有不同沟道宽度（Ws）的背沟道刻蚀（BCE）非晶InGaZnO薄膜晶体管。本研究发现阈值电压（VTH）的性能同时取决于沟道宽度（W）和漏极电压（VD）。结果表明，当W或VD相对较小时，二者均不会对VTH产生影响。然而，当W和VD都足够大时，会出现VTH随W增大或VD增大而异常升高的现象。该VTH与W、VD之间的异常依赖关系可通过自热效应来解释。