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oe1(光电查) - 科学论文

4 条数据
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  • [IEEE 2019国际三维系统集成会议(3DIC) - 日本仙台 (2019.10.8-2019.10.10)] 2019国际三维系统集成会议(3DIC) - 面向三维集成电路集成的激光辅助压缩键合(LABC)工艺开发

    摘要： 采用带非导电胶膜（NCF）的激光辅助加压键合（LABC）技术，实现了生产效率与工艺可靠性的同步提升。由于石英块在键合过程中对激光吸收极低，选用其作为压头向器件施加压力。专为LABC开发的新款NCF材料具有热台稳定性，在LABC键合过程中能实现焊料润湿、快速固化且无空洞，同时形成最佳焊角。以激光作为热源时，需确保各互连点获得均匀加热而不损伤芯片或基板。成功利用LABC技术与NCF薄膜，完成了厚度780微米、最小间距30微米、约27,000个凸点的菊花链式上下芯片键合。

    关键词： 吞吐量、非导电膜、激光辅助键合、键合性能、TCB（热压键合）、热压键合、NCF（非导电膜）、LABC（激光辅助键合）、压缩

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • [2019年IEEE第69届电子元件与技术会议（ECTC）- 美国内华达州拉斯维加斯（2019.5.28-2019.5.31）] 2019年IEEE第69届电子元件与技术会议（ECTC）- 面向先进"3.5D"芯片封装的垂直激光辅助键合技术

    摘要： 本工作将激光辅助键合（LAB）工艺与热压键合（TCB）进行对比，分析了两者在倒装芯片堆叠组装中的优缺点。研究发现，LAB具有更快的加工速度、可忽略的压缩力，并在芯片堆叠中产生更小的内部应力。文中提出了"3.5D"堆叠新概念，该技术可实现芯片/半导体与芯片堆叠侧面的垂直键合。通过垂直键合部件可直接实现层间互连，从而无需单独设置硅通孔（TSVs）。

    关键词： 三维封装、硅中介层、热压键合（TCB）、金属间相（IMC层）、激光辅助键合（LAB）、系统级封装（SOP）、激光束调制、垂直倒装芯片键合

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • [2019年IEEE第69届电子元件与技术会议（ECTC） - 美国内华达州拉斯维加斯（2019.5.28-2019.5.31）] 2019年IEEE第69届电子元件与技术会议（ECTC） - 采用激光辅助键合与批量回流技术的精细间距倒装芯片封装中7nm芯片-封装相互作用研究

    摘要： 由于移动应用中新技术特性的快速增长，7纳米制程硅器件需要采用更小尺寸封装设计、更低功耗及其他效率提升的新型封装解决方案。倒装芯片技术（如fcCSP倒装芯片芯片级封装）已被广泛采纳为满足这些严苛要求的主要（或首选）移动设备解决方案。倒装芯片CSP封装通过结合锡银凸点铜柱、嵌入式走线基板(ETS)技术以及批量回流芯片贴装与模塑底部填充(MUF)工艺，提供了高性价比的解决方案。 虽然批量回流芯片贴装工艺为倒装芯片组装提供了经济高效的解决方案，但随着凸点间距设计日益精细化（逃逸走线铜线宽度和线距(LW/LS)持续减?。沟阌胱呦叨搪贩缦杖匀唤细?。为降低该风险，本文探索采用激光辅助键合(LAB)方法研究具有60微米凸点间距及逃逸走线设计的7纳米芯片-封装互连(CPI)特性。针对搭载7纳米制程硅实芯片的14x14毫米精细间距fcCSP极低k(ELK)性能测试，我们采用雷击测试、双倍批量回流后快速温度循环(QTC)以及峰值温度260°C的多回流锤击测试工艺。 结果表明：虽然两种芯片贴装方法均能通过雷击和锤击测试的常规要求，但采用LAB技术可进一步增强ELK强度，从而获得更优的良率表现。由此我们认为LAB不仅能保证组装良率，还能降低评估中7纳米制程硅fcCSP的ELK损伤风险。此外研究证实LAB技术适用于采用更精细LW/LS基板逃逸走线设计的7纳米制程硅器件及凸点间距缩减场景。

    关键词： 7纳米硅节点、芯片-封装相互作用、激光辅助键合、快速温度循环测试、大规?；亓骱?、嵌入式走线基板、锤击测试

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 倒装芯片封装激光辅助键合工艺的开发与优化

    摘要： 在精细间距倒装芯片封装中，近期研发出激光辅助键合（LAB）技术以克服传统批量回流焊（MR）和热压键合技术的可靠性与产能问题。本研究通过数值传热与热力学分析，探究了采用铜柱凸点的倒装芯片封装LAB工艺。键合过程中，硅芯片表面温度均匀分布，并在数秒内升至280°C（足以熔化焊料）。芯片热量通过铜柱凸点迅速传导至基板，而基板温度始终保持较低且恒定。因此该工艺能快速形成稳定的焊料互连，同时使封装承受的应力与热损伤最小化。研究发现基板厚度、铜凸点数量及键合台温度是影响封装传热行为的关键因素：采用更薄的基板、更多铜凸点及更低键合台温度时，芯片温度会降低。若芯片温度不足，传递至焊料的热量不足以使其熔化，将导致焊点形成不完全。热力学分析同时表明，LAB工艺产生的翘曲与热机械应变均低于传统MR工艺。这些结果表明，采用选择性局部加热的LAB工艺有助于降低精细间距倒装芯片封装的热机械应力并提升产能。

    关键词： 激光辅助键合、铜柱凸点、热机械分析、倒装芯片封装、传热

    更新于2025-09-11 14:15:04