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oe1(光电查) - 科学论文

11 条数据
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  • 有机金属卤化物钙钛矿(CH<sub>3</sub>NH<sub>3</sub>PbI<sub>3</sub>)薄膜的形貌与光电及电学性能之间的关联 （注：原文中"MH<sub>3</sub>"疑似笔误，根据钙钛矿材料常识修正为"PbI<sub>3</sub>"。若需严格按原文直译，可作"(CH<sub>3</sub>NH<sub>3</sub>MH<sub>3</sub>)"，但此化学式不符合已知钙钛矿结构。）

    摘要： 有机金属卤化物钙钛矿正成为光电子应用领域中一类极具前景的材料。晶体形貌对于提升有机-无机铅卤钙钛矿半导体在光电器件、电子器件及光伏器件中的性能至关重要。因此研究晶体形貌变化如何影响半导体行为具有重要意义。本研究评估了不同沉积方法与所得有机金属卤化物钙钛矿薄膜光电及电学特性之间的关系，采用单步溶液沉积法和两步溶液沉积法制备钙钛矿薄膜，通过改变浓度、退火温度和浸渍涂布时间来调控钙钛矿的结构与形貌。研究发现：随着浓度、退火温度和浸渍涂布时间的改变，所制薄膜呈现不同形貌；单步溶液沉积法制备样品的光学带隙能量分别为2.23 eV、2.13 eV和2.09 eV，两步溶液沉积法制备样品则为1.57 eV、1.55 eV和1.52 eV；方阻值随浓度、退火温度和浸渍涂布时间的增加而降低。光学带隙能量的减小与方阻的降低是高性能光伏器件的优异特性。

    关键词： 钙钛矿、薄层电阻率、激活能、带隙、薄层电阻、光谱学

    更新于2025-11-19 16:56:35

  • 紫外和γ射线辐照下掺Eu2?和Er3?硅酸盐磷光体的热释光行为

    摘要： 本文报道了采用传统固相反应法合成的Eu2?和Er3?离子激活的ASiO?（A=Ca、Ba、Sr）荧光粉的结构、形貌及热释光特性研究。Eu2?与Er3?杂质离子浓度变化范围为0-1 mol%。通过粉末X射线衍射（PXRD）分析了合成荧光粉的晶体学特征，证实其具有晶体特性、相纯度及良好的均匀性。场发射扫描电子显微镜（FESEM）和透射电子显微镜（TEM）揭示了其独特的形貌与表面特征。研究测定了紫外（UV）辐照与γ射线辐照的ASiO?:Eu2?,Er3?（A=Ca、Ba、Sr）荧光粉的热释光（TL）行为，并通过计算机化发光曲线解卷积（CGCD）技术和峰形法估算了多种动力学参数。UV与γ辐照荧光粉均呈现二级动力学特征，较高的激活能值（~3 eV）证实电子被捕获于深陷阱中心。掺杂离子进入基质晶格导致替代位点发生非价态取代，增加了荧光粉中的缺陷与空位数量，从而产生更多陷阱中心，增强的TL强度与高温发光峰证实了这一现象。所合成荧光粉展现出优异的TL特性、高效的陷阱机制及低衰减效应，这些特性表明其适用于TL成像与传感应用。

    关键词： 碱土金属硅酸盐，热释光，激活能，陷阱深度，动力学级数。

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • GaN和Si?N?钝化层对带栅极边缘终端的AlGaN/GaN二极管性能的影响

    摘要： 本文分析了AlGaN势垒层顶部GaN与Si3N4钝化（或称"盖层"）对带栅极边缘终端（GET-SBDs）肖特基势垒二极管性能与可靠性的影响。两种盖层器件具有相似的直流特性，但SiO2/GaN界面处更高的陷阱密度和/或接入区总介电常数增加导致GaN盖层器件呈现更高的RON离散性。两类器件在中/低温区的漏电流显示出两个与电压无关的低能级激活能，表明热电子发射与场致发射过程共同主导导电机制。此外，GaN盖层器件在高温区从低电压即出现电压相关的激活能，这限制了其击穿电压（VBD）。时变电介质击穿测试显示Si3N4盖层器件具有更集中的分布（威布尔斜率β=3.3），优于GaN盖层器件（β=1.8）。通过不同盖层的等离子体增强原子层沉积（PEALD）-Si3N4电容器补充测量及TCAD仿真发现：在GET拐角处的PEALD-Si3N4介质内存在强电场峰值，该效应可能加速渗流路径形成，即使在低应力电压下也会引发GaN盖层SBDs器件击穿。

    关键词： Si3N4盖层，GaN盖层，AlGaN/GaN肖特基二极管，可靠性，击穿电压，钝化层，关态，激活能

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • X射线辐照β-Ga2O3:Mg中的浅能级与深能级陷阱

    摘要： 研究了X射线辐照下未掺杂和Mg2?掺杂β-Ga?O?单晶的热释光（TSL）与光电导（PC）特性。未掺杂晶体热释光曲线中观察到116 K、147 K和165 K三个低温峰，而Mg2?掺杂晶体以354 K和385 K高温TSL峰为主导。研究建立了Mg2?离子掺杂与β-Ga?O?本征结构缺陷局域能级（这些缺陷导致TSL峰和PC现象）的关联性，并探讨了TSL峰本质及对应的光电导激发能带。

    关键词： 光电导性，β-氧化镓，单晶，激活能，陷阱能级，热释光

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 银掺杂对热解氧化镉薄膜结构和光电性能的影响

    摘要： 我们采用化学喷雾热解法（CSP）制备了CdO及掺银CdO薄膜，研究了其结构、形貌与光电特性。X射线衍射（GIXRD）分析证实CdO样品为高度多晶的立方结构。原子力显微镜（AFM）观测显示CdO与Ag-CdO薄膜表面均较光滑。直接带隙能量随薄膜中银含量变化于2.25至2.50电子伏特之间。光学带隙中的乌尔巴赫能量反转现象表明费米能级上方或导带附近存在多个局域态。折射率、光学电导率及非线性光学极化率等光学特性均与银含量相关。掺银后观察到对CdO输运特性的综合影响：银掺杂使CdO薄膜类金属导电性在临界温度Tc前消失；随着银含量增加，n型载流子浓度降低至约10^20 cm^-3量级。

    关键词： 带隙、激活能、薄膜、X射线衍射、乌尔巴赫尾

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • [IEEE 2019年第16届第四届族光子学国际会议(GFP) - 新加坡，新加坡(2019.8.28-2019.8.30)] 2019年IEEE第16届第四届族光子学国际会议(GFP) - 绝缘体上锗平台垂直p-i-n光电探测器暗电流分析

    摘要： 分析了绝缘体上锗平台垂直p-i-n光电探测器的暗电流。在反向偏压下，测得其激活能为0.15至0.36电子伏特。通过肖克利-里德-霍尔效应和陷阱辅助隧穿效应解释了暗电流的产生机制。本研究为绝缘体上锗光电探测器提供了理论阐释，并为抑制硅基锗光电探测器的暗电流生成提出了替代方案。

    关键词： 绝缘体上锗、光电探测器、激活能、直接晶圆键合

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 传感器、电路与仪器系统（2018）|| 非晶硅锗光电探测器光电特性研究

    摘要： 开发电子设备的成本考量至关重要。降低光伏器件和探测器生产成本的一个简单方法是采用非晶硅和锗等低成本材料。这两种半导体具有不同的光电特性，如能隙、光电导率和吸收系数。通过将硅与特定比例的锗混合形成合金，可制备出具有更优电子特性和光电导率的探测器。采用热真空蒸发技术制备了多种不同锗含量的非晶硅锗合金薄膜，计算并分析了样品的导电机制与激活能。对这些样品的I-V特性、光生电流及探测率进行了测量与讨论，并通过霍尔测量计算了样品的霍尔I-V特性、霍尔迁移率、载流子浓度及类型鉴定。

    关键词： 非晶硅锗光电探测器、光电导率、探测率、霍尔测量、激活能、导电机制

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • AIP会议录 [美国物理联合会出版社第15届聚光光伏系统国际会议（CPV-15） - 摩洛哥非斯（2019年3月25-27日）] 第15届聚光光伏系统国际会议（CPV-15） - 在恒定注入条件下测定Cz-Si和FZ-Si中与BO-LID和LeTID相关的激活能

    摘要： 文献中关于BO-LID再生效应的活化能数据差异显著。除其他因素外，推测存在两个可能原因导致公开数据离散：一方面，若忽略反应过程的注入依赖性可能导致结果偏差；另一方面，LeTID的并行发生可能产生影响。本研究表明，在退化与再生处理过程中保持恒定注入量可消除首因影响，但通过提取缺陷密度及注入依赖性寿命数据证实，LeTID确实存在于Cz-Si中并影响其退化再生过程。对于仅受LeTID影响的FZ-Si，测得其退化与再生活化能分别为Ea,deg = 0.78±0.09 eV和Ea,reg = 0.62±0.09 eV（与烧结温度无关）。Cz-Si的退化活化能则轻微依赖烧结温度，这可能是BO-LID与LeTID叠加效应所致。FZ-Si与Cz-Si的再生活化能在测量误差范围内保持一致。研究同时表明，BO-LID与LeTID的叠加效应并非导致文献中活化能范围宽泛的主因。

    关键词： Cz硅、FZ硅、恒定注入条件、激活能、光热诱导衰减（LeTID）、硼氧光致衰减（BO-LID）

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 高速锗光电探测器的可靠性表征与建模

    摘要： 理解硅光子高速光电探测器性能退化的起源及诱发协议，是评估这些器件可靠性的关键问题。通过先进表征技术发现，在10^6秒电压应力作用下，二极管的暗电流、光电流和截止频率均可能发生退化，最终导致器件性能显著漂移甚至失效?；诘缪Ч鄄馓匦酝嘶慕馐捅砻鳎喊档缌饔胂煊Χ鹊耐嘶肥悼赏üヒ辉亓髯邮倜ゼ跄Ｐ屠疵枋觯孟窒蠊橐蛴诒砻娓春纤俾实囊馔庠黾?；而光电流的变化则超出该模型预期。通过提取应力前后暗电流的激活能，实验结果得到了验证。对退化机理的深入物理认知有望缩短硅光子器件的测试流程。

    关键词： 载流子寿命电学特性表征、硅光子学、激活能、锗光电探测器可靠性

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • [IEEE 2019年第16届第四组光子学国际会议(GFP) - 新加坡，新加坡(2019.8.28-2019.8.30)] 2019年IEEE第16届第四组光子学国际会议(GFP) - 绝缘体上锗平台垂直p-i-n光电探测器暗电流分析

    摘要： 分析了绝缘体上锗平台垂直p-i-n光电探测器的暗电流。在反向偏压下，测得其激活能为0.15至0.36电子伏特。通过肖克利-里德-霍尔效应和陷阱辅助隧穿效应解释了暗电流的产生机制。本研究为绝缘体上锗光电探测器提供了理论阐释，并为抑制硅基锗光电探测器的暗电流生成提出了可行方案。

    关键词： 绝缘体上锗、光电探测器、激活能、直接晶圆键合

    更新于2025-09-11 14:15:04