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通过负载二硫化钼提升P型硅纳米线阵列的光电化学析氢性能
摘要： 为改善硅纳米线（SiNWs）的光电化学性能，采用两步法制备了MoS2/SiNWs复合材料。首先通过金属催化无电蚀刻（MCEE）法合成SiNWs，再利用直接热分解法将MoS2沉积于其表面。MoS2既作为光吸收材料又充当析氢反应（HER）催化剂，同时与SiNWs形成促进电荷分离的异质结。该MoS2/SiNWs在55 mV起始电位下展现出优异的析氢催化活性，在模拟太阳光照射下-1.0 VRHE电位获得25 mA cm?2的光电流密度（约为纯SiNWs的6倍），且载流子浓度提升100倍。其增强的光催化析氢性能源于界面肖特基结——既能促进光生电子-空穴对的产生，又可抑制电荷复合，使其成为极具前景的贵金属基光阴极HER替代材料。
关键词： 二硫化钼，P型硅线阵列，热分解，氢气生成，异质结
更新于2025-09-10 09:29:36
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表征单根n-i-n-n<sup>+</sup>:GaN纳米线的电击穿特性
摘要： 通过扫描电子显微镜（SEM）内的原位纳米探针技术，研究了单根n-i-n-n?氮化镓（GaN）纳米线（NWs）的电输运特性和击穿行为。通过提高纳米线顶部n?-GaN段的硅掺杂浓度，纳米探针接触电阻显著降低。实验定量测定了纳米线击穿参数（即击穿电压、功率和电流密度）与n?-GaN硅掺杂浓度及纳米线直径的依赖关系，并通过纳米线的局部热分解机制进行了解释。得益于低纳米线-纳米探针接触电阻，实现了4.65 MA/cm2的击穿电流密度和96.84 mW的击穿功率，均为目前报道的GaN纳米线测量结果中的最高值。
关键词： 硅掺杂、电击穿、氮化镓纳米线、热分解、纳米探针
更新于2025-09-10 09:29:36
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氧化铒纳米晶的合成与表征
摘要： 本文描述了一种通过硝酸铒五水合物(Er(NO3)3·5H2O)与甘氨酸原位形成瞬态配合物并热分解制备氧化铒纳米晶(nano Er2O3)的方法。该配合物约在(250±10)°C发生分解，由此获得超细浅粉色氧化铒纳米晶粉末。采用X射线粉末衍射分析对所得纳米晶进行表征，显示其晶粒尺寸为10 nm。通过扫描电镜和透射电镜观察了纳米晶的形貌，透射电镜中观察到的电子衍射图谱与X射线衍射分析结果相符。能谱(EDS)分析证实了产物的元素组成。
关键词： 氧化铒，扫描电子显微镜，X射线衍射，透射电子显微镜，纳米晶粒，热分解
更新于2025-09-04 15:30:14
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一种制备具有可见光催化活性的Cu2O-TiO2 NTA异质结的简便方法
摘要： 基于高度有序的二氧化钛纳米管阵列（NTAs），我们首次通过简单的热分解工艺成功制备了Cu2O-TiO2 NTA异质结。阳极氧化生成的TiO2 NTAs同时充当"纳米容器"和"纳米反应器"，用于负载并合成具有窄带隙的Cu2O纳米颗粒。负载的Cu2O将TiO2 NTAs的吸收光谱从紫外区拓展至可见光区。研究发现，Cu2O-TiO2 NTA异质结薄膜对甲基橙（MO）的光催化降解表现出可见光活性。当Cu2O浓度在0.05至0.3 mol/L范围内时，其光催化能力随Cu2O含量增加而增强。这可归因于异质结形成时产生了更多电子-空穴对且复合率降低。本文提出这一具有前景的方法，期望能推动Cu2O-TiO2 NTA异质结的大规模生产和应用。
关键词： 二氧化钛纳米管、可见光催化、热分解、氧化亚铜、异质结
更新于2025-09-04 15:30:14