OLED性能因暴露于紫外线照射而退化

摘要： 有机发光二极管（OLED）显示屏极易受到户外恶劣环境条件的影响，如阳光直射、紫外线辐射及存储温度等，会导致亮度与使用寿命下降、像素收缩以及面板永久性损伤和/或功能故障。本研究采用Yb:LiF(1:1,2nm)/Ag:Mg(10:1,16nm)和Mg:LiF(1:1,2nm)/Ag:Mg(10:1,16nm)阴极单元制备了顶发射OLED（TEOLED），并通过紫外线辐射测试器件性能。标准Mg:LiF(1:1,2nm)电子注入层（EIL）与Ag:Mg(16nm)阴极构成的红色TEOLED（对照器件）经300小时紫外线照射后，在10mA cm?2电流密度下亮度迅速衰减且驱动电压快速上升。而采用Yb:LiF(1:1,2nm)EIL与Ag:Mg(10:1,16nm)阴极的单元在同等照射条件下，300小时内未出现亮度损失或驱动电压上升。通过提升FIB-TEM技术和EDS元素分布分析发现：300小时紫外线照射后，对照器件中银原子向阴极中心迁移、镁原子向CPL层迁移且EIL区域未检测到镁原子；而Yb基阴极单元则呈现（1）银原子无明显迁移且保持阴极中心分布、（2）镁原子未向CPL层迁移、（3）镱原子位置稳定。此外，Mg:LiF(1:1,2nm)EIL的红色TEOLED在照射后出现（1）电子注入发光层（EML）能力下降及EIL/金属界面电阻升高、（2）J-V曲线显著右移；而Yb:LiF(1:1,2nm)EIL器件几乎未发生此类变化。经300小时照射后，Yb基器件的RGB像素发光区域保持基本一致。这些结果表明镱有望成为阴极单元的优选材料，在提升器件抗恶劣环境稳定性的同时兼具优异的电子注入特性。