玻璃基底上沉积的碲化镉薄膜性能随基底温度的变化

摘要： 本研究探讨了采用电子束和热真空蒸发法在不同衬底温度下沉积的碲化镉（CdTe）薄膜性能变化，重点研究了衬底温度对CdTe薄膜结构、形貌、光学及电学特性的影响。通过掠入射X射线衍射技术进行结构表征发现，200°C沉积的薄膜比室温沉积样品具有更显著的结晶特性。研究计算了两种制备条件下CdTe薄膜的平均晶粒尺寸（D）、晶格应变（ε）、单位面积晶粒数（N）及织构系数TC(hkl)等参数。扫描电子显微镜观测显示薄膜表面形貌呈均匀特征。紫外-可见分光光度计与光致发光测试表明，在200°C衬底温度下，电子束和热蒸发制备的薄膜样品带隙值均有所降低。采用双探针法进行的电学测量显示，电子束蒸发法在200°C衬底温度下制备的CdTe薄膜具有最大电流值。