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F4-TCNQ在无机基底和纳米结构上的生长机制
摘要： 有机半导体四氟四氰基醌二甲烷（F4-TCNQ）是掺杂有机半导体、二维材料及无机化合物（如氧化锌）的理想候选材料，同时能有效增强有机电子器件接触界面的载流子注入能力。为评估其作为功能化材料或器件中电活性组分的适用性，我们系统研究了F4-TCNQ在不同无机基底上超过首层单分子膜后的生长模式——这些基底具有广泛的物理、化学及形貌表面特性差异。所用材料包括硅、碳化硅、硅基石墨烯、蓝宝石、纳米晶金刚石，以及氮化镓（GaN）薄膜和纳米线阵列。虽然表面终止状态会影响所有被研究基底上形成的F4-TCNQ岛状结构的形貌，但未观察到生长模式与基底掺杂类型及浓度存在显著关联。研究发现GaN纳米线会作为F4-TCNQ岛的成核位点，并被数层F4-TCNQ覆盖形成闭合同轴壳层。结论表明：F4-TCNQ通过包含不同尺寸/形状单分子膜与岛状结构的Stranski-Krastanov生长模式成核。本研究成果为将F4-TCNQ作为纳米线应用的功能化材料提供了基础生长依据。
关键词： 氮化镓纳米线、表面功能化、生长模式、有机半导体、有机电子学、表面掺杂、F4-TCNQ
更新于2025-09-23 15:21:01
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6H-SiC衬底极性对不同V/III比下HVPE法生长AlN薄膜形貌与微观结构的影响
摘要： 研究了在Si面和C面6H-SiC衬底上通过高温氢化物气相外延(HVPE)生长的AlN薄膜。分析了衬底极性与不同V/III比对异质外延AlN薄膜生长模式、结构特征及结晶质量的影响。随着V/III比增大，Si面6H-SiC衬底上生长的AlN从台阶流生长模式转变为三维岛状生长，表面形貌相应变粗糙；而C面衬底上的AlN始终保持三维生长模式并维持相对粗糙的表面，且会形成高密度纳米管——每个纳米管由{01 0}晶面构成的六边形侧面组成，位于表面V型坑底部?；赬RD、拉曼和TEM分析发现，在V/III比为10时Si面6H-SiC衬底上获得的AlN层质量最佳。
关键词： 晶体质量、形貌、位错、衬底极性、纳米管、生长模式
更新于2025-09-11 14:15:04
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金与Bi2Se3(0001)表面接触时的生长、形貌及稳定性
摘要： 我们报道了对沉积在Bi2Se3(0001)单晶表面的金进行联合显微与光谱研究。室温下金以Volmer-Weber生长模式形成岛状结构。退火至100°C时金沉积物不稳定，会聚集成更大更厚的岛状结构。Bi2Se3的拓扑表面态受金存在的影响较弱。与其他金属（如银或铬）不同，可排除金/铋硒界面存在强烈化学不稳定的情况。核心能级分析显示铋向金岛表面扩散（与先前发现一致），而金与原子硒的化学相互作用仅限于界面区域。在研究的金覆盖度范围内，Au/Bi2Se3异质结构在低压（10^-8毫巴）条件下对一氧化碳和二氧化碳暴露呈现惰性。
关键词： 金属与拓扑绝缘体接触、化学性质、光电子能谱、生长模式、电子性质、显微镜技术
更新于2025-09-09 09:28:46