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黑磷与石墨烯片之间的近场辐射热传递
摘要： 黑磷（BP）的低热导率使得基于黑磷的电子或光电器件难以散热，因此亟需为黑磷基纳米器件开发有效的冷却策略。我们通过理论研究了黑磷片层之间以及黑磷与石墨烯之间的近场辐射热传递。研究发现，黑磷片层间的热传递由其电子掺杂水平决定——不同方向的等离子体激元在不同电子掺杂条件下主导热传递过程。当电子掺杂处于最优值时，黑磷片层间的热传递显著增强。而黑磷与石墨烯间的热传递则同时取决于黑磷的电子掺杂和石墨烯的化学势。通过调控石墨烯的化学势，可实现石墨烯等离子体激元与黑磷等离子体激元的强耦合，从而大幅增强两者间的热传递。本研究成果不仅对控制黑磷基结构间的热传递具有重要意义，也为开发黑磷基纳米器件的冷却策略提供了重要参考。
关键词： 近场辐射热传递、等离子体激元、石墨烯、黑磷、化学势、电子掺杂
更新于2025-09-23 15:21:01
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用于甚长波红外探测的II类超晶格材料载流子减少研究
摘要： 目前持续致力于研发II类超晶格（SL）材料以应用于极长波红外（VLWIR）探测器领域。然而这类超晶格存在受生长条件影响的高残余电子本底掺杂密度，导致其少数载流子寿命短于理论预测值且性能参数偏低。本研究对比了InAs/GaInSb与InAs/GaSb超晶格在降低电子掺杂水平方面的技术优势。我们的变温电输运测量显示：相同带隙条件下，InAs/GaInSb超晶格设计具有更低的电子密度（其电子密度/迁移率量级约为10^11 cm?2量级/25000 cm2/V·s）。由于小周期InAs/GaInSb超晶格在给定VLWIR带隙下比大周期InAs/GaSb超晶格能产生更强的俄歇复合抑制效应，该材料有望成为未来极长波红外器件中长寿命红外材料的更优选择。
关键词： 极长波红外、迁移率、InAs/GaSb、俄歇复合、InAs/GaInSb、II型超晶格、载流子减少、电子掺杂
更新于2025-09-22 20:39:49
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通过电子掺杂实现Au@CdS核壳纳米晶从n型到p型导电性的转变，推动无辅助光电化学水分解
摘要： 我们在此展示了一种基于阳离子交换实现电子掺杂来调控金属@半导体杂化纳米晶（HNCs）协同电学特性的新策略。作为示范案例，通过向CdS壳层引入铜掺杂剂，将Au@CdS核壳HNCs的导电特性从n型转变为p型。结合光电化学（PEC）研究揭示了HNCs中掺杂浓度对导电类型的依赖关系。此外，我们制备了由未掺杂Au@CdS光阳极和经助催化剂修饰的铜掺杂Au@CdS光阴极组成的串联PEC电池，在无辅助的PEC全水分解中展现出稳定的氢气和氧气析出性能。
关键词： 光电化学水分解、电子掺杂、阳离子交换、金属@半导体杂化纳米晶
更新于2025-09-16 10:30:52
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CuO<sub>4±δ</sub>超薄晶体的结晶特性
摘要： 通过直流溅射技术制备了电子掺杂化合物Nd2?x Cex CuO4±δ（NCCO）的超薄膜。这些薄膜既生长在（001）取向的SrTiO3上，也生长在具有富钛缺陷的非化学计量比SrTiO3上。此外，由于与NCCO相比晶格参数失配极小且沉积条件兼容，还采用NCO母体化合物（即Nd2CuO4）作为缓冲层以改善晶体性能。通过表面分析技术和X射线衍射对多个样品进行了形貌和结构表征，以优化生长工艺。
关键词： 薄膜、溅射、X射线衍射、超导性、电子掺杂（e-掺杂）化合物
更新于2025-09-09 09:28:46