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碘掺杂对酞菁锰薄膜结构、形貌及物理性能的影响
摘要： 卤素离子掺杂是改变金属酞菁（MPcs）性质、尤其是有机半导体磁性和电学特性的常用方法，这些特性在自旋电子或电子器件中具有重要应用。本研究选择平面磁性MPc——锰(II)酞菁（MnPc）薄膜进行碘掺杂研究，通过考察原始与碘掺杂MnPc薄膜的光学、磁学及电学性能，发现这些性质与其分子结构直接相关。二维掠入射同步辐射X射线衍射显示：碘注入导致MnPc薄膜出现结构无序化，有序的边缘取向分子构型随机转变为倾斜和面朝取向构型。相应地，薄膜形貌也发生改变，原本均匀的晶粒以无序方式重新排列。原始薄膜的铁磁性因碘物种作用而减弱，并倾向于形成反铁磁耦合。室温下的导电原子力显微镜研究表明，碘掺杂引发的无序性会使薄膜电导率提升，且该效应与膜厚无关。
关键词： 薄膜、电学性质、结构重排、酞菁锰、碘掺杂、磁学性质
更新于2025-09-09 09:28:46
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未掺杂和铋掺杂n型Cu2Se薄膜的化学浴沉积及其光电性能
摘要： 引言：研究了化学浴沉积法制备的未掺杂及Bi3?掺杂Cu?Se薄膜中Bi3?掺杂对微观结构和性能的影响。方法：这些薄膜的平均紫外-可见光透过率约为73.29-84.10%，且随Bi3?含量增加而提高。根据光谱计算的光学带隙也随Bi3?含量增加而增大。同时观察到约629 nm处的强带隙发射。此外，这些薄膜的实际Se/Cu比值小于2且呈n型导电性。结果：方块电阻值约4.13-96.44×10?3 Ω·cm随Bi含量增加先减小后增大。结论：通过紫外-可见光光谱估算了薄膜的各种光学常数。
关键词： 薄膜沉积、光学性质、电学性质、掺杂、Cu2Se、半导体
更新于2025-09-09 09:28:46
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GaAs/AlAs超晶格中点缺陷的第一性原理研究：相稳定性及其对能带结构和载流子迁移率的影响
摘要： 先进的半导体超晶格在未来航空航天、高能物理、引力波探测、天文及核相关等关键高科技领域具有重要应用价值。在强辐射等极端环境下，这类半导体超晶格易产生多种缺陷并最终导致器件失效。然而对于GaAs/AlAs超晶格而言，点缺陷的相稳定性及其对器件性能的影响至今尚未明确。当前计算表明：在GaAs/AlAs超晶格中，反位缺陷的能量形成势垒低于空位和间隙缺陷；AsX（X=Al或Ga）与XAs缺陷总会引发超晶格金属化，而GaAl和AlGa反位缺陷对电子结构影响较?。缓湎痘蛉毕莸腉aAs/AlAs超晶格会出现显著带隙缩减或金属化现象。进一步计算显示，间隙与空位缺陷会大幅降低电子迁移率，反位缺陷影响相对较小。这些成果深化了对GaAs/AlAs超晶格辐射损伤效应的认知，为设计极端环境用高稳定耐久型半导体超晶格电子/光电子器件提供了理论指导。
关键词： 点缺陷、电学性质、GaAs/AlAs超晶格、杂化密度泛函理论
更新于2025-09-04 15:30:14
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添加石墨烯的DNA混合薄膜的化学和物理性质调控
摘要： 虽然DNA和石墨烯的特性已有充分研究，但由于制备方法的局限性，关于嵌有石墨烯的DNA与十六烷基三甲基氯化铵修饰DNA（CT-DNA）杂化薄膜（HTFs）的化学物理性质鲜少被探讨。本研究开发了一种简便的滴铸法构建添加石墨烯纳米粉（GNP）的DNA及CT-DNA杂化薄膜，并系统表征了其结构、元素组成、自旋态与化学官能团、结合相互作用、振动/伸缩模式、紫外可见吸收、光致发光及电学特性等特征。含GNP的DNA杂化薄膜能谱显示C、N、O、Na和P元素在特征能量处出现峰位。X射线光电子能谱表明GNP通过物理吸附作用于DNA，导致O 1s和P 2p核心能谱峰位偏移与抑制。拉曼与傅里叶变换红外光谱的强度变化揭示了GNP通过吸附、静电作用及π-π堆叠与DNA/CT-DNA形成杂化结构。紫外可见吸收和光致发光光谱显示GNP对DNA/CT-DNA杂化薄膜具有显著影响。较高[GNP]含量的DNA/CT-DNA杂化薄膜因GNP互联网络的形成，表现出明显的电流增强效应。
关键词： 光谱学、DNA、电学性质、混合薄膜、石墨烯
更新于2025-09-04 15:30:14