基于n型InGaAs的金属-氧化物-半导体栅堆叠中电容-电压弱反型"驼峰"现象物理机制的确定

摘要： 基于n型InGaAs的金属氧化物半导体（MOS）结构中广泛存在弱反型区电容-电压（C-V）"驼峰"现象。该现象的产生机制尚存争议。C-V驼峰可解释为界面态与半导体能带中的一个或两个相互作用所致。每种假说机制都对C-V驼峰给出不同诠释。通过构建相关等效电路模拟这些机制，计算了MOS结构的电容与电导特性并与实验结果对比，最终确定了导致C-V驼峰的机制。