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oe1(光电查) - 科学论文

69 条数据
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  • 稀土Pr掺杂对电沉积纳米晶Cu2O薄膜核心特性的影响：一种用于光电技术的薄膜

    摘要： 采用电沉积法制备了未掺杂及不同镨(Pr)掺杂浓度(0、1、3和5 wt%)的Cu?O纳米晶薄膜。通过研究这些薄膜，探究了Pr掺杂浓度对薄膜形成、形貌、光学及光响应特性的影响。沉积的Cu?O:Pr薄膜结构分析表明其具有立方晶体结构和多晶特性。随着Pr掺杂浓度增加，晶粒尺寸从54 nm减小至29 nm。拉曼光谱在110、147、215、413和633 cm?1处的特征峰证实了Cu?O物相，且与XRD结果高度吻合。形貌研究表明，金字塔状颗粒在薄膜表面均匀分布。5% Pr掺杂薄膜因具有最大厚度而表现出更高的吸收率。计算得出Cu?O:Pr薄膜的带隙值随Pr掺杂水平升高从2.06 eV降至1.90 eV。光致发光(PL)光谱显示617 nm处存在高强度发射峰，证实了Cu?O晶格的近带边(NBE)发射。折射率(n)和消光系数(k)值随掺杂浓度从0增至5%而提高。光敏性分析表明，光照电流对应的响应行为呈现增强趋势。

    关键词： 电沉积、结构、光学和电学性能、形貌

    更新于2025-11-21 11:18:25

  • 脉冲频率对电沉积法制备InSb薄膜理化性质的影响

    摘要： 本研究聚焦于脉冲频率对电沉积InSb薄膜结构、光学及电学性能的显著影响（该因素常被忽视）。通过调控电沉积过程中的脉冲频率，可获得具有较高电导率的化学计量比纳米晶光滑薄膜，或富含锑元素、近乎绝缘的超光滑薄膜。研究发现：通过降低脉冲频率实现双倍相干畴尺寸缩减时，薄膜电阻率会提升六倍；进一步延长脉冲导通时间可使材料电阻率增至约540 Ω·cm。基于FTIR和SPV测试证实，所得材料具有小带隙和p型导电特性。此外，采用10 ms脉冲导通时间制备的化学计量比超光滑InSb薄膜兼具高光伏电压幅值、较长充电时间常数与较高电导率，是光电设备的优质低成本候选材料。

    关键词： 脉冲频率，电沉积，InSb，p型半导体

    更新于2025-11-14 15:19:41

  • 电沉积纳米结构Bi2Te3薄膜的电化学与表面形变研究

    摘要： 本文采用双曝光数字全息干涉测量技术（DEDHI），研究了电沉积法制备Bi2Te3薄膜过程中的表面形变及全息图记录。通过结构、形貌、电化学、润湿性及表面形变等手段对所制Bi2Te3薄膜进行了表征。研究过程中通过改变电解液浓度，在电沉积阶段同步记录全息图，并根据干涉条纹计算出应力、沉积质量与膜层厚度。结果表明：电解液浓度变化会引起干涉条纹宽度、薄膜沉积质量及基底应力的改变。该技术被证实是电沉积过程中测量厚度的可靠方法。电化学阻抗谱（EIS）研究证实所沉积材料具有高导电性。

    关键词： Bi2Te3，电化学阻抗谱，全息术，直接电沉积氢化铟，电化学性能，电沉积

    更新于2025-11-14 15:16:37

  • 通过SnSex + Se气氛中Cu/Zn金属层反应退火制备Cu2ZnSnSe4薄膜的反应机制

    摘要： 采用两步法制备了Cu2ZnSnSe4（CZTSe）薄膜：先通过电沉积形成Cu/Zn金属堆叠前驱体，再在含Se+Sn的气氛中进行反应退火。我们研究了Se分压、SnSex（x=1,2）分压及退火温度对CZTSe薄膜形貌、结构和元素分布的影响。线扫描能谱（EDS）测量显示，在较高SnSex分压和较低退火温度条件下制备的CZTSe薄膜背吸收区存在富锌第二相。降低SnSex分压并提高退火温度可减少该富锌相。X射线衍射（XRD）和掠入射X射线衍射（GIXRD）测量证实CZTSe与Mo界面间存在极薄的MoSe2薄膜。这些测量表明工艺参数变化对第二相的形成与聚集具有显著影响。我们提出了CZTSe薄膜可能的反应机理。通过对SnSex分压和反应退火工艺进行初步优化，成功制备出效率为7.26%的太阳能电池。

    关键词： 性及SnSex（x = 1,2）分压、退火温度、金属堆叠前驱体、Cu2ZnSnSe4（CZTSe）、电沉积

    更新于2025-11-14 15:15:56

  • 用于功率电子器件的高击穿强度电沉积氧化锌肖特基二极管

    摘要： 通过优化的电沉积法合成ZnO薄膜，实现了800 kV/cm的临界电场强度。该数值比单晶硅高出2至3倍，源自铂基底上电沉积柱状结构ZnO薄膜垂直肖特基二极管的应用。该器件展现出2.5×10^15 cm^-3的自由载流子浓度、3×10^8的整流比以及1.10的理想因子——这一数值在溶液法制备的ZnO中极为罕见。高击穿强度与高厚度加工能力使这种环保工艺成为电力电子和能量收集领域的重要选择。

    关键词： 击穿电压、电沉积、氧化锌、临界电场、溶液法制备、肖特基二极管、功率二极管、理想因子

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 一步电沉积法制备CuZnSn金属合金前驱体薄膜及后续合成Cu2ZnSnS4与Cu2ZnSnSe4光吸收薄膜和异质结器件

    摘要： 在富锌电解液中以低沉积速率于钼基底上电沉积制备了CuZnSn金属合金前驱体薄膜，该前驱体通过硫化与硒化工艺转化为光伏吸收层薄膜Cu2ZnSnS4和Cu2ZnSnSe4。采用X射线衍射、拉曼光谱及光电流光谱技术对薄膜进行物相鉴定，扫描电子显微镜用于分析薄膜表面形貌、均匀性与致密性。结果表明前驱体与吸收层薄膜均具有均匀致密的结构，前驱体薄膜由Cu3Sn、Cu6Sn5和Cu5Zn8相组成且其晶粒尺寸随阴极电位紧密变化。通过X射线衍射图谱、拉曼位移及光学跃迁能量验证了前驱体向Cu2ZnSnS4和Cu2ZnSnSe4的转化过程。为评估吸收层薄膜的器件性能，制备了CdS/Cu2ZnSnS4和CdS/Cu2ZnSnSe4异质结二极管并测定其器件参数：理想因子1.3-1.9、整流比约120、反向饱和电流约30-60μA/cm2。利用二极管短路光电流的光电流光谱技术测定了吸收层薄膜的带隙能量及其他光学跃迁能量。

    关键词： 电沉积，铜锌锡硫（CZTS），铜锌锡硒（CZTSe），光电流，拉曼

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 基于胆碱氯化物的离子液体中硒化铅薄膜的电沉积

    摘要： 该论文展示了在70℃条件下，以胆碱氯化物（ChCl）为基础的两种离子液体中电沉积PbSe薄膜的实验结果，这两种离子液体分别为胆碱氯化物-乙二醇（ILEG）和胆碱氯化物-尿素（IL）共晶混合物，其中PbCl?和SeO?作为前驱体。本文详细研究了二元半导体化合物PbSe以及单一元素Pb和Se在电沉积过程中涉及的阴极过程。含有Pb2?+Se??的离子液体的循环伏安曲线阴极支依次显示了Se欠电位沉积、Se本体沉积、Pb沉积，随后形成PbSe半导体化合物。然而，在最负电位下，最终膜层中的Se含量因Se的部分电化学溶解（还原为可溶性Se2?物种）而降低。在70℃下通过恒电位控制对铜或镍基底进行0.5-4小时的PbSe薄膜电沉积。采用SEM-EDX和XRD技术对附着均匀的沉积物进行了表征。SEM图像显示沉积物附着良好且呈灰色，具有均匀的形貌和立方PbSe晶体。EDX元素分析表明其化学计量比约为Pb?.?Se。XRD证实形成了PbSe化合物，显示出纳米晶结构，晶粒平均尺寸在10-35纳米范围内。

    关键词： DES离子液体、电沉积、硒化物半导体、硒化铅、循环伏安法

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 电沉积Bi2Se3薄膜的生长、形貌与晶体结构：衬底的影响

    摘要： 在本研究中，我们探究了n-Si、Au和Ru基底上电沉积Bi2Se3薄膜的生长、形貌及晶体结构，确定了能生长出高质量化学计量比薄膜的电位范围。通过成核与生长初期的扫描电镜图像发现，三种基底上的薄膜形成都遵循Volmer-Weber生长模式。在Si基底上可生长出受硅基底外延影响的纯正交相Bi2Se3，其法拉第效率约为90%；而Au和Ru基底上主要形成三方相薄膜，法拉第效率相对较低（分别为68%和78%）。在更负电位下于Au基底生长的Bi2Se3薄膜显示出三方晶相的改善。低温退火能使正交相或混合相晶体结构转变为纯三方相，原位拉曼光谱测定显示Au基底上混合相Bi2Se3薄膜的相变起始温度约为125°C。除温度外，热处理时长对该相变过程也起关键作用?；谑椅鲁粱难芯拷峁颐堑贸鼋崧郏篠i基底上易形成纯正交相，而Au和Ru基底上可获得三方相或混合相的Bi2Se3薄膜。

    关键词： 拉曼、退火、电沉积、晶体结构、衬底外延、Bi2Se3、生长

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 铁酞菁薄膜的超分子排列对儿茶酚胺氧化的影响

    摘要： 铁酞菁(FePc)在薄膜中形成具有厚度、分子排列、形貌和结晶度等特征的独特超分子结构的能力，可用于调控儿茶酚胺的电化学氧化过程，使其成为极具前景的传感材料。本研究采用Langmuir-Schaefer(LS)和电沉积(ED)技术在ITO电极上制备了具有不同超分子结构的FePc薄膜。评估了这两种修饰电极对水溶液中L-多巴、多巴胺(DA)、去甲肾上腺素(NEp)和肾上腺素(Ep)的电化学氧化性能，同时考察了扫描速率、电位范围、氧气存在及pH值对儿茶酚胺电化学氧化的影响。FePc/ED修饰电极在DA/L-多巴和DA/Ep混合体系中呈现两个明显氧化峰，而FePc/LS修饰电极则观察到氧化波重叠现象，这揭示了FePc超分子结构对儿茶酚胺氧化的影响。FePc/LS修饰电极对DA和L-多巴的检测限分别为0.024 μmol L-1和0.168 μmol L-1，FePc/ED修饰电极的检测限则分别为0.288 μmol L-1和0.564 μmol L-1。这些FePc薄膜展现出作为儿茶酚胺传感器应用的优良特性。

    关键词： 电沉积、朗缪尔 - 舍费尔法、铁酞菁、儿茶酚胺

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 通过XPS表征的N,N-二甲基甲酰胺分子镀制钐薄膜

    摘要： 采用赛默飞世尔科技K-Alpha型X射线光电子能谱仪，对以镜面或拉丝工艺处理的不锈钢基体上、通过N,N-二甲基甲酰胺溶液分子镀制获得的钐薄膜进行了表征。两种样品的宽谱扫描显示存在钐、碳和氧元素，并含有微量钠元素。随后对Sm 3d、O 1s和C 1s区域进行了高分辨谱检测。发现两个样品的化学成分高度相似，主要差异在于两种碳物种的相对含量。本文报道了宽谱扫描及Sm 3d、O 1s和C 1s区域窄区高分辨扫描的谱图结果。

    关键词： 薄膜、电沉积、钐、分子电镀

    更新于2025-09-23 15:22:29