[IEEE 2019年第44届国际红外、毫米波和太赫兹波会议（IRMMW-THz） - 法国巴黎（2019.9.1-2019.9.6）] 2019年第44届国际红外、毫米波和太赫兹波会议（IRMMW-THz） - 冷却绝缘体上硅二极管温度计：迈向太赫兹被动成像

摘要： 太赫兹被动成像需要高灵敏度探测器，其最小可探测功率（MDP）需低于皮瓦量级。采用横向类PIN二极管作为测温元件的天线耦合冷却微测辐射热计可能成为解决方案。首先需研究此类二极管的性能，特别是电流温度系数（TCC）和低频噪声。研究团队在绝缘体上硅（SOI）4英寸晶圆（活性硅层厚度50纳米）上制备了原型器件，通过测量81K至室温的I-V特性及噪声参数，推导出未来测辐射热计的电学最小可探测功率——在10帧/秒帧率下已达到6.6皮瓦。