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[IEEE 2018第四届IEEE新兴电子国际会议(ICEE) - 印度班加罗尔 (2018.12.17-2018.12.19)] 2018第四届IEEE新兴电子国际会议(ICEE) - 沉积后退火ZrO?绝缘层对GaN金属-半导体-金属紫外光电探测器性能的影响
摘要： 成功制备了无退火和有退火ZrO2绝缘层的GaN金属-半导体-金属（MSM）紫外光电探测器。研究发现，氧化层退火后暗电流降低了3倍。GaN MSM光电探测器表现出较大的内部增益，这可通过考虑氧化层中存在空穴陷阱来解释。此外，ZrO2层退火后探测器增益降低和瞬态响应时间增加表明，退火步骤显著减少了浅陷阱态密度。值得注意的是，虽然所有状态响应都受退火影响，但光响应的快速分量受到较为严重的阻碍。本研究表明，降低暗电流并非改善光电探测器性能的唯一标准。相反，在评估光电探测器的整体性能时，还应考虑器件的瞬态响应（即器件带宽）以及漏电流和增益。
关键词： 光响应、氮化镓、肖特基二极管、响应度、电流-电压特性
更新于2025-09-16 10:30:52
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超高太阳光浓度下多结太阳能电池光伏特性的异常现象
摘要： 研究了三结GaInP/GaAs/Ge及相应双结GaInP/GaAs太阳电池在超高光强（超过2000倍太阳光）入射光下光伏特性出现的异常现象。分析了不同光强比下的光电流-电压特性以及开路电压与光生电流的关系。研究表明，该异常现象是由于连接在GaInP和GaAs子电池之间的反向串联隧道二极管所导致。该二极管吸收穿透GaInP层的光子并产生反向光生电压。
关键词： 隧道二极管、多结太阳能电池、光伏特性、聚光太阳光、反电动势、电流-电压特性
更新于2025-09-16 10:30:52
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基于Cu(In, Ga)Se2薄膜层的太阳能电池
摘要： 本文展示了硒化铜镓铟（Cu(In,Ga)Se?）太阳能电池的光谱特性、暗态电流-电压特性及光照负载特性的实验研究结果。通过光谱、光电及暗态电流-电压特性，确定了光活性半导体层Cu(In,Ga)Se?的主要基本参数，包括带隙宽度、层电阻率、平衡多数载流子浓度、少数载流子寿命以及非平衡少数载流子的迁移率与寿命乘积（μnτn）?；诙圆煌舴涔β剩?0-1000 W/m2）下光照负载电流-电压特性的分析，确定了p-n结的主要参数、非理想因子及反向二极管饱和电流值；证实了在所研究太阳辐射范围内存在以扩散机制为主的载流子光生机制，其中光活性层内的载流子复合效应影响甚微。研究发现，在实际太阳光照条件（Prad=50-1000 W/m2）下，太阳能电池的输出参数——短路电流、开路电压及最大输出功率均随Prad增大而提升。光照电流-电压特性的填充因子（FF）在Prad≈200 W/m2时达到最大值，而转换效率则在Prad≈600 W/m2时取得峰值。观测到的FF与效率变化规律可通过串联电阻（Rser）和并联电阻（Rsh）随Prad的变化关系解释。为使基于Cu(In,Ga)Se?薄膜层的太阳能电池在高辐射与低太阳辐射条件下均保持高效能，需确保Rser随Prad降低且Rsh不随Prad改变。
关键词： 光活性薄膜层、串联电阻、太阳能电池、铜铟镓硒（Cu(In, Ga)Se?）、填充因子、短路电流、太阳辐射功率、光电流-电压特性、效率、开路电压、分流电阻
更新于2025-09-16 10:30:52
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关于独立锗（Ge）太阳能电池的全面研究
摘要： 已对温度对独立锗(Ge)太阳能电池性能参数[短路电流密度(JSC)、开路电压(VOC)、填充因子(FF)和转换效率(g)]的影响进行了理论研究。虽然JSC随温度升高而增加，但由于VOC下降及随之而来的FF降低，g值减小。通过电流-电压(I-V)测量确定了所制备独立Ge太阳能电池的性能参数JSC、VOC、FF和g。理论数据与实验数据之间的显著差异可能与理论研究中采用理想化案例以及考虑的损耗机制对所制备独立Ge太阳能电池性能产生不利影响有关。
关键词： 电流-电压特性、温度、锗太阳能电池、太阳能电池性能
更新于2025-09-12 10:27:22
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研究具有A?B?和A?B?半导体量子点的单层膜特性
摘要： 本研究对A2B6和A3B5等多元化合物基半导体量子点进行了实验与理论研究。通过扫描隧道显微镜探究了这些纳米粒子的电子能谱特性。分析结果使我们能够估算所研究纳米对象电子能谱中前三个能级的位置。实验结果与理论估算取得了良好的定性与定量一致性。该研究方法可解决逆向问题——当纳米对象的化学成分精确已知时，可确定其尺寸大小。
关键词： 电子能量、单层膜、电流-电压特性、量子点
更新于2025-09-12 10:27:22
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AIP会议论文集 [AIP出版 第二届材料科学、智能结构及应用国际会议：ICMSS-2019 - 印度埃罗德（2019年11月21-22日）] 第二届材料科学、智能结构及应用国际会议：ICMSS-2019 - 基于InAs/GaAs异质界面的近红外光电探测器光学特性建模
摘要： 已建立含单层InAs量子点的InAs/GaAs异质结光学与功能特性模拟数学模型。模拟显示量子点主光学跃迁峰值为1.2 eV（模拟值）和1.12 eV（实验值）。实验光致发光峰半高宽（0.13 eV）大于模拟值（0.06 eV）。观测到实验峰红移约65 meV，表明实际异质结中量子点存在尺寸差异。90K零偏压下模拟暗电流-电压特性分布显示暗电流密度为10^-7 A/cm2，比实测值（10^-6 A/cm2）低一个数量级。负向与正向偏压下依赖分布图谱差异与较大尺寸量子点存在相关。
关键词： 量子点，InAs/GaAs异质结界面，光致发光，暗态电流-电压特性
更新于2025-09-12 10:27:22
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[IEEE 2019年第54届国际大学电力工程会议(UPEC) - 罗马尼亚布加勒斯特 (2019.9.3-2019.9.6)] 2019年第54届国际大学电力工程会议(UPEC) - 背接触电池定制光伏组件制造过程中的质量检测
摘要： 对光伏（PV）发电机组进行电致发光（EL）分析和电流-电压（I-V）曲线测定是最常用的缺陷检测方法。本研究将这些测试应用于制造后可定制形状的交叉背接触（IBC）光伏组件。大量组件中检测到缺陷，表明问题与半自动制造流程相关。为此开展了详细分析以定位缺陷成因，并提出预防措施以降低制造过程中的缺陷发生率。
关键词： 背面接触、电致发光、光伏、电接触、电流-电压特性、缺陷、叉指状结构
更新于2025-09-11 14:15:04
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改进型扰动观察法对光伏/电池供电三端口DC-DC变换器最大功率点跟踪的影响
摘要： 本文提出了一种改进的扰动观察法（P&O）最大功率点跟踪（MPPT）技术，适用于光伏/电池混合系统中由光伏供电的三端口直流-直流变换器。该MPPT方法通过额外引入电流变化量（ΔI）数据（除传统P&O算法所用数据外），有效缓解了常规MPPT方法中存在的漂移问题。文中清晰展示了漂移现象及其影响，并通过对比不同工况下传统P&O算法，验证了所提P&O方法解决该问题的能力。性能评估指标包括峰值超调、调节时间、MPP比值及稳定性。实验采用DSPIC30F4011微控制器进行验证。分析结果表明：改进型P&O法在最大功率跟踪精度、跟踪耗时、MPP比值以及变工况下漂移抑制等方面均展现出更优性能。
关键词： 直流-直流电源转换器、电流-电压特性、光伏系统、漂移、功率需求、脉宽调制
更新于2025-09-10 09:29:36
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[IEEE 2018年国际俄罗斯自动化会议（RusAutoCon）- 俄罗斯索契（2018.9.9-2018.9.16）] 2018年国际俄罗斯自动化会议（RusAutoCon）- 基于A<inf>3</inf>B<inf>5</inf>共振隧穿二极管的射频识别无源标签供电系统可靠性预测
摘要： 开发了一种预测射频识别（RFID）无源标签供电系统可靠性的方法。该可靠性通过参数失效进行评估，这种失效与谐振隧穿二极管（RTD）的I-V特性漂移相关——作为标签整流器组成部分的RTD在外部因素超出耐受极限时会出现此类漂移。研究提出了基于最小允许范围准则计算RFID无源标签供电系统失效时间的可靠性方法。该方法可用于设计无源UHF和SHF标签的RFID系统，以预测其在特定工作条件下的可靠性。所开发的算法和软件?？榭杉芍料嘤AD系统中。
关键词： 被动标签、共振隧穿二极管、退化、射频识别、电流-电压特性、可靠性、电源系统
更新于2025-09-10 09:29:36
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[2018年IEEE第38届电子与纳米技术国际会议（ELNANO）- 基辅（2018.4.24-2018.4.26）] 2018年IEEE第38届电子与纳米技术国际会议（ELNANO）- 乙醇、丙酮和水分子吸附下的ITO-纳米二氧化钛气体传感器
摘要： 采用电容-电压特性测量和电容动力学方法研究了ITO-纳米结构二氧化钛异质结中传感器响应的物理原理。研究针对乙醇、丙酮和水蒸气在不同探测信号频率下进行。结果表明，表面态再充电过程对所研究异质结的总电容贡献最大，并在形成对所用分析物分子的传感器响应中起主要作用。
关键词： 二氧化钛、表面态、吸附、电容-电压特性、电容动力学、气体传感器、电子陷阱、迟滞现象
更新于2025-09-10 09:29:36