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《AIP会议论文集》[作者 2018年第六届生产、能源与可靠性国际会议：世界工程科技大会（ESTCON）-马来西亚吉隆坡（2018年8月13-14日）] - 氮等离子体与甲烷等离子体改性氧化石墨烯的电学与光学特性
摘要： 研究了经氮气和甲烷等离子体处理的还原氧化石墨烯（rGO）的电流-电压（I-V）特性和光响应。I-V特性测量显示，等离子体处理后的样品在光照（白炽灯）下，原本线性的特性曲线会出现弯曲。在±10V电压下，开灯与关灯时的电流差值可达100微安。该过程的弛豫时间约为1秒。观测到的效应取决于等离子体处理条件以及薄膜厚度。当氧化石墨烯（GO）薄膜厚度为20纳米至60-80纳米时，光响应值最大。
关键词： 甲烷等离子体、氧化石墨烯、氮等离子体、光响应、电流-电压特性
更新于2025-09-09 09:28:46
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《AIP会议论文集》[作者 第六届生产、能源与可靠性国际会议2018：世界工程科学与技术大会（ESTCON）-马来西亚吉隆坡（2018年8月13-14日）] - 氮和硼掺杂碳点薄膜的光电特性研究
摘要： 研究了两种掺杂氮和硼原子的碳点（CDs）的光学性质，以及由所得碳点在聚乙烯醇（PVA）基质中制成的薄膜的电学性质。采用水热处理法合成了碳点。所得碳点具有晶体结构，边缘和表面带有官能团（碳点的横向尺寸范围约为7-28纳米）。通过旋涂法在电惰性聚合物PVA基质内，由碳点的水悬浮液制得薄膜。测量了该薄膜的电流-电压特性。
关键词： 光学性能、聚乙烯醇基体、电流-电压特性、碳点、电学性能、旋涂法、水热处理、氮掺杂、硼掺杂
更新于2025-09-09 09:28:46
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[IEEE 2018年第19届微纳技术与电子器件青年专家国际会议(EDM) - 俄罗斯阿尔泰共和国埃尔拉戈尔 (2018.6.29-2018.7.3)] 2018年第19届微纳技术与电子器件青年专家国际会议(EDM) - 电流-电压特性二阶导数测量的外差法仿真
摘要： 给出了测量电流-电压特性二阶导数的外差法分析与仿真。获得了硅二极管的模型电流-电压特性及其通过外差法求得的一阶和二阶导数。所得特性与电流-电压特性数值微分的结果高度吻合，这表明外差法可用于测量电流-电压特性的一阶和二阶导数。
关键词： 外差法，二阶导数，非线性，电流-电压特性
更新于2025-09-09 09:28:46
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基于非极性取向AlGaN/GaN异质结构的共振隧穿二极管性能
摘要： 基于非极性取向AlGaN/GaN异质结构的共振隧穿二极管（RTDs）性能已通过数值模拟进行理论研究。模拟结果表明：沿非极性取向生长的RTDs可产生电流-电压（I-V）特性，其峰值电流、峰谷比（PVCR）和峰值电压分别比传统极性取向生长的RTDs高出约3.5倍和1.5倍、低约1.1倍。结果还显示出优异的对称性、I-V特性高重复性以及高本征响应频率。
关键词： 电流-电压特性、共振隧穿二极管、数值模拟、AlGaN/GaN异质结构、非极性取向
更新于2025-09-04 15:30:14
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[2018年IEEE第六届宽禁带功率器件与应用研讨会(WiPDA) - 美国佐治亚州亚特兰大市(2018.10.31-2018.11.2)] 2018年IEEE第六届宽禁带功率器件与应用研讨会(WiPDA) - 基于栅极电荷测量的宽禁带功率场效应管非线性输入电容测定方法
摘要： 本文讨论了SiC和GaN功率场效应管输入电容Cgs与Cgd的测量方法，旨在建立能更精确反映开关过程中漏源电压vds和漏极电流id变化的仿真模型。基于感性负载条件下采用不同漏极电流值和温度设置测得的栅极电荷特性，将栅极电流分配至栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs的充电过程。通过该方法可确定栅源电压vgs和栅漏电压vgd全工作范围内的电容特性Cgs(vgs)与Cgd(vgd)。
关键词： 宽带隙半导体、极间电容、动态测量、CGS（厘米-克-秒单位制）、电容-电压特性、CGD（栅极-漏极电容）
更新于2025-09-04 15:30:14
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[2018年IEEE第19届电力电子控制与建模研讨会(COMPEL) - 意大利帕多瓦(2018.6.25-2018.6.28)] 2018年IEEE第19届电力电子控制与建模研讨会(COMPEL) - 衬底电位对功率GaN-on-Si HEMT器件动态与静态特性影响的表征与建模
摘要： 采用导电硅衬底生长的氮化镓功率晶体管如今已实现栅极驱动器与半桥电路的单片集成。其中，衬底电位引发的反向栅极效应给电路设计者带来挑战，阻碍了这项前景广阔技术的发展。本文通过测试商用氮化镓功率HEMT器件，系统表征了衬底电位对其IV特性的影响?；谑挡馐萏崛×烁慕鍭SM-HEMT紧凑型晶体管模型，该模型能描述衬底电位对IV特性及部分CV特性的影响。通过对适配晶体管模型进行瞬态仿真，研究了体电位对硅基氮化镓HEMT器件动态与静态特性的影响。
关键词： 衬底电位、功率半导体器件、半导体器件建模、氮化镓、电流-电压特性、高电子迁移率晶体管
更新于2025-09-04 15:30:14