[2018年IEEE第六届宽禁带功率器件与应用研讨会(WiPDA) - 美国佐治亚州亚特兰大市(2018.10.31-2018.11.2)] 2018年IEEE第六届宽禁带功率器件与应用研讨会(WiPDA) - 热触发SiC MOSFET老化效应对传导电磁干扰的影响

摘要： 本文研究了热触发SiC MOSFET老化效应对基于SiC的升压PFC变换器传导EMI的影响。现有EMI评估与抑制研究大多基于健康状态的功率器件。本研究针对连续导通模式(CCM)Boost PFC变换器中使用的SiC MOSFET，在不同健康状态下进行了全面EMI评估。为此，通过热应力加速老化SiC MOSFET样本并触发电相应退化。为研究不同健康状态下的器件特性，测试过程中持续评估被测器件(DUT)的电气参数和开关瞬态，以支撑基于SiC的AC/DC变换器传导EMI讨论。分别详细探讨了器件老化对差模(DM)噪声和共模(CM)噪声变化的影响。搭建800W单相CCM升压PFC原型机，在B频段(150kHz~30MHz)通过实验测试评估DM和CM噪声。研究表明，SiC MOSFET经热老化后高频噪声出现衰减。