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扩展法利科夫-金博尔模型中激子绝缘体电荷密度波态的相结构热涨落
摘要： 通过应用无限制哈特里-?？私?，研究了包含电子-声子相互作用的二维扩展法利科夫-金博尔模型中激子绝缘体（EI）失稳伴随电荷密度波（CDW）态的现象。我们在同等处理库仑吸引作用与电子-声子耦合的基础上，推导出一组自洽方程，由此可同时确定激子绝缘体序参量与晶格位移。相结构分析表明：库仑相互作用与电子-声子耦合共同促成EI-CDW态的形成，该态根据相互作用竞争关系具体表现为声子型CDW或激子型CDW态。在给定低温条件下，EI-CDW态存在于库仑相互作用的两个临界值之间。随着电子-声子耦合增强，凝聚态窗口范围扩大。根据温度和库仑相互作用的不同，体系中确立了EI-CDW态的巴丁-库珀-施里弗-玻色-爱因斯坦凝聚（BCS-BEC）交叉行为。在声子效应影响下，BCS-BEC交叉向更高库仑相互作用方向偏移，而正常态中的半金属-半导体转变依然存在。
关键词： 半金属-半导体转变、电荷密度波、无限制哈特里-?？私?、激子凝聚
更新于2025-09-23 15:23:52
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K<sub>0.3</sub>MoO<sub>3</sub>电荷密度波态中的相干光致声子发射
摘要： 我们报道了准一维电荷密度波（CDW）体系——蓝青铜（K0.3MoO3）在超短近红外光脉冲激发下产生相干太赫兹（THz）辐射的观测结果。该辐射包含因光生德姆伯效应产生的宽带低频成分（存在于30-300 K全研究温区），以及中心频率为1.5 THz的窄带双峰（仅出现于CDW态，源自垂直于非公度CDW b轴极化的相干横光学声子生成）。由于K0.3MoO3具有中心对称性，能解释该声子发射偏振依赖性的最低阶产生机制需涉及静态表面场或表面光场梯度导致的四极项。该声子特征也存在于基态电导率中，其强度随温度升高而衰减，在远低于CDW相变温度的T~100 K以上消失。声子发射的时间行为可通过双耦合模式初始反相振荡的简易模型良好描述。
关键词： 电荷密度波、太赫兹发射、相干声子、K0.3MoO3、光德姆伯效应
更新于2025-09-23 15:23:52
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角分辨光电子能谱揭示的
摘要： 我们利用波长为6.3电子伏特的微聚焦激光高分辨角分辨光电子能谱技术，重新研究了典型准一维材料NbSe3中的电荷密度波（CDW）行为。该研究详细揭示了这个复杂多能带体系的电子结构，并明确解析出费米能级（EF）处的CDW能隙。通过紧束缚模型分析，我们认为这些能隙源于材料中主要分布于不同一维链上的电子态之间的带间耦合。研究发现两个局域态与一个跨越多个一维链的电子态发生耦合，这表明更高维度的相互作用对该材料中CDW序的稳定具有重要作用。此外，由CDW周期性导致的链内能隙在远低于EF处的温度演化规律偏离了嵌套驱动的派尔斯型机制预期——重整化CDW色散关系的上下能带保持固定峰间距，而能隙在高温下逐渐消失。这说明长程相位相干性的逐步丧失是降低CDW序参量的主导因素，可能对应着耦合链之间相干的消失。值得注意的是，其中一个能隙出现在体材料和表面CDW转变温度之上，暗示着短程非相干CDW序的持续存在。这种更高维度相互作用的影响很可能在多种低维体系中发挥重要作用。
关键词： 角分辨光电子能谱、紧束缚模型、电荷密度波、相位相干性、带间耦合、准一维、NbSe3
更新于2025-09-23 15:21:01
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通过角分辨光电子能谱、扫描隧道谱和密度泛函理论
摘要： 在可变温度角分辨光电子能谱（ARPES）、扫描隧道谱（STS）和密度泛函理论（DFT）计算的框架下，研究了呈现金属-绝缘体转变及一系列不同电荷密度波（CDW）相变的1T-TaS2电子结构。对于公度电荷密度波相（CCDW），估算出莫特能隙为0.4 eV，并观测到能量间隙（(cid:2)CCDW,1、(cid:2)CCDW,2、(cid:2)B3-HHB、(cid:2)B4-B3）。在近公度电荷密度波相（NCCDW）中，识别出高/低能哈伯德带的残余态以及布里渊区Γ点抛物线型能带相关的显著电子态。非公度电荷密度波相（ICCDW）显示费米能级处具有较高的局域态密度，且在费米能级上方0.15-0.20 eV范围内存在非常显著的金属表面态边缘。所获STS与ARPES结果与包含自旋轨道耦合的DFT理论计算结果一致。
关键词： STS、1T-TaS2、电荷密度波、角分辨光电子能谱、密度泛函理论、金属-绝缘体转变
更新于2025-09-23 15:21:01
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暴露其激子特性
摘要： 最新实验表明，激子自由度在促使1T-TiSe?发生电荷密度波（CDW）相变中起重要作用?；诿芏确汉⑷爬砺鄱缘缱雍蜕悠捉邢低臣扑愫?，我们发现预测的CDW相临界掺杂浓度比实验值高出1个数量级。相比之下，通过独立自洽的多体计算激子序参量与重整化能带结构，能够以极佳的定性与定量吻合度重现实验相图。这证明电子-电子相互作用及直接电子-空穴耦合引发的激子不稳定性，对于准确描述该体系中CDW的本质至关重要。这对理解该体系及相关材料在CDW相内超导态的涌现具有重要启示意义。
关键词： 电荷密度波，1T-TiSe2，电子-电子相互作用，超导性，激子不稳定性
更新于2025-09-23 15:21:01
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采用11电子伏特激光脉冲的高分辨率时间与角度分辨光电子能谱技术
摘要： 在高动量条件下进行时间与角度分辨光电子能谱（tr-ARPES）测量需要极紫外激光脉冲，这类脉冲通常通过高次谐波产生（HHG）技术获得。尽管近期取得进展，基于HHG的装置仍需大脉冲能量（数百微焦至毫焦量级），且其能量分辨率仅达数十毫电子伏特。本研究展示了一种新型11电子伏特tr-ARPES装置，该装置可产生5×101?光子/秒的通量，并实现前所未有的16毫电子伏特能量分辨率。在输入脉冲能量低至3微焦时，该装置仍能以高达250千赫兹的重复频率运行。我们通过在电荷密度波材料ErTe?两个相距甚远的动量空间区域同步捕捉能量与动量分辨的动力学过程，验证了这些独特性能。这一新型装置为研究固体非平衡态能带结构提供了契机，可在高重复频率下实现卓越的能量与时间分辨率。
关键词： 能量分辨率、时间与角度分辨光电子能谱、高次谐波产生、时间分辨角分辨光电子能谱、电荷密度波、高重复频率、高次谐波产生、ErTe3、11电子伏特激光脉冲
更新于2025-09-23 15:19:57
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[IEEE 2019年第44届国际红外、毫米波与太赫兹波会议（IRMMW-THz）- 法国巴黎（2019年9月1日-2019年9月6日）] 2019年第44届国际红外、毫米波与太赫兹波会议（IRMMW-THz）- 光激发电荷密度波系统中的相干耦合模声子发射
摘要： 用近红外飞秒脉冲光激发准一维电荷密度波（CDW）体系——蓝青铜（K0.3MoO3），在CDW态下低于约100 K时会产生两种辐射：一种是由光生德姆效应引发的低频宽带太赫兹表面辐射，另一种是中心频率为1.5 THz的横光学（TO）声子双峰窄带辐射。声子辐射的偏振依赖性表明其激发机制源于表面场/四极矩作用，这与其它材料中常见的声子辐射机制存在本质差异。通过建立具有瞬态模式耦合抑制效应的耦合振子模型，可精确复现该辐射过程的时间与光谱特征。
关键词： 电荷密度波、光生德姆伯效应、耦合振子模型、太赫兹发射、相干声子发射
更新于2025-09-16 10:30:52
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通过薄膜的量子振荡揭示的结构与电荷序的相互作用
摘要： 在空穴掺杂和电子掺杂铜氧化物家族中发现量子振荡现象，凸显了费米面在铜氧化物超导中的重要性。虽然这两个家族观测到的量子振荡都揭示了重构费米面的存在，但两者仍存在重要差异：空穴掺杂铜氧化物中的振荡被认为源于电荷密度波效应，而电子掺杂铜氧化物中的振荡则源自反铁磁重构费米面——尽管这些振荡是在远离假定反铁磁临界点的过掺杂化合物中观测到的。本研究通过退火精细调控表观掺杂量的Pr2CuO4±δ薄膜，实现了对临界点附近样品量子振荡的研究。结果表明：尽管准粒子存在质量增强效应，但费米面本身仅发生微小变化，这表明电荷有序更可能是其起源，且电子关联效应与结构参数密切相关。
关键词： 反铁磁临界点、费米面、铜氧化物超导性、量子振荡、电荷密度波
更新于2025-09-12 10:27:22
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库仑耦合的InAs/InGaSb双层结构中电调谐多体态
摘要： 我们研究了由势垒分隔的InAs/InGaSb量子阱构成的电子-空穴双层结构的输运特性。通过调节顶部和底部栅极对载流子（电子n和空穴p）密度进行调控，重点测量了霍尔条样品四端电阻率随载流子密度的变化关系。在零磁场条件下，我们清晰观测到在电荷中性点（临界载流子密度n=p<1×1011 cm?2以下）出现的绝缘相，该相特征表现为狭窄的热激活电阻峰和反常霍尔电阻。这一发现强化了我们先前关于激子绝缘体的研究结论。值得注意的是，当层间载流子密度失衡（此处p?n）时，会出现更宽的电阻峰。我们结合可能存在的（理论预测的）电荷密度波基态对此相进行了讨论。这两种相均能在约25K以上温度保持稳定，表明电子-空穴双层中存在强关联效应。
关键词： 电子-空穴双分子层、激子凝聚、InAs/InGaSb量子阱、量子自旋霍尔效应、电荷密度波
更新于2025-09-12 10:27:22
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过渡金属二硫化物表面的三聚体键合态
摘要： 我们报道了关于室温下TaTe2表面结构和电子性质的全面研究。通过低能电子衍射强度-电压曲线和密度泛函理论计算两种方法研究了表面结构。两种方法获得的弛豫结构高度吻合，与体相结构非常相似，均保持了双锯齿形三聚体链。态密度计算表明，该结构源自Ta的dxz和dxy轨道三聚体成键态。本研究将为理解TaTe2在低温下的电荷密度波相变提供新的见解。
关键词： 表面结构、低能电子衍射、密度泛函理论、电荷密度波、二碲化钽
更新于2025-09-10 09:29:36