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基于II型结构的(1-x)Ba<sub>0.6</sub>(Ca<sub>1/2</sub>Sr<sub>1/2</sub>)<sub>0.4</sub>Ti<sub>0.5</sub>Fe<sub>0.5</sub>O<sub>3</sub>+(x)Ni<sub>0.40</sub>Zn<sub>0.45</sub>Cu<sub>0.15</sub>Fe<sub>1.9</sub>Eu<sub>0.1</sub>O<sub>4</sub>复合材料的固相反应法合成及多铁性研究
摘要： 通过标准二次烧结陶瓷法（在空气中1200°C烧结3小时），制备了一系列多铁性复合材料：(1-x)Ba0.6(Ca1/2Sr1/2)0.4Ti0.5Fe0.5O3+(x)Ni0.4Zn0.45Cu0.15Fe1.9Eu0.1O4 ((1-x)BCSTFO+(x)NZCFEO)，其中x=0.0、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、1.0。X射线衍射图谱显示，这些多铁材料及母体陶瓷样品均结晶为简单立方结构，晶格参数略有畸变。随着铁氧体含量增加，X射线密度和本体密度升高，孔隙率相应降低，表明结晶度改善。介电常数呈下降趋势，而相对品质因数(RQF)随铁磁相NZCFEO含量增加显著提升。M-H磁滞回线表明，添加Ni0.40Zn0.45Cu0.15Fe1.9Eu0.1O4(NZCFEO)增强了铁磁性。当x=10%时矫顽力达最大值~92 Oe，x=50%时饱和磁化强度达峰值~1.37 emu/g。此外，x=30%时磁导率最高，继续掺杂则下降。室温电阻率因跳跃传导机制减弱而升高，样品电阻率随温度升高呈下降趋势。掺杂浓度对激活能也产生显著影响。综合测量的磁性和铁电性能表明，(1-x)BCSTFO+(x)NZCFEO的多铁性能得到显著改善。
关键词： 多铁性复合材料、电阻率、介电常数、磁导率、铁磁性
更新于2025-09-04 15:30:14
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温度对ZnO薄膜光学和电学性能的影响
摘要： 采用射频磁控溅射法在玻璃基底上沉积氧化锌薄膜，研究了基底温度对薄膜微观结构、光学及电学性能的影响。通过X射线衍射和原子力显微镜分析了薄膜的晶体结构和表面形貌。XRD图谱与AFM图像显示，随着基底温度升高，薄膜结晶度和晶粒尺寸均增大。采用霍尔效应测量评估了薄膜的电学性能，实验结果表明薄膜电阻率随基底温度升高而降低。该氧化锌薄膜在400-800 nm可见光波段具有84%的高透过率，且该特性与基底温度无关。本研究表明：通过提高基底温度可实现氧化锌薄膜高透明与低电阻性能的协同优化。
关键词： 电阻率、氧化锌薄膜、透射率、衬底温度
更新于2025-09-04 15:30:14
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与CMOS兼容的石墨烯
摘要： 基于互补金属氧化物半导体（CMOS）的集成电路使用金属互连导线（最初采用铝，近年来改用铜）来实现各电路元件间的电气连接。随着技术节点不断缩小以在每平方英寸硅片上集成更多器件，互连导线的横截面积也需相应缩减，这导致电阻率升高、发热及电迁移问题加剧。近期对熔点高于铜的金属（如钴和钌）的研究显示出良好的抗电迁移稳定性，但其较高的电阻率可能限制其仅适用于短程局部互连。同样，尽管高导电性石墨烯具有潜力，但因其制备需高温处理（与CMOS技术不兼容），相关应用尝试迄今仍受限。加州大学圣塔芭芭拉分校的Kaustav Banerjee团队现已开发出一种在CMOS工艺热约束条件下制备插层掺杂石墨烯纳米带互连的方法。该基于压力辅助固相扩散的技术将生长温度降至300°C，研究人员成功在SiO2基底上制备出20纳米宽的多层石墨烯互连。其电阻率低于同截面尺寸的金属互连，结果表明若替代钴/钌基互连，电路延迟可降低四倍。此外，稳定性和可靠性分析表明不存在任何电迁移相关问题。
关键词： 互连、CMOS、电阻率、电迁移、石墨烯
更新于2025-09-04 15:30:14