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oe1(光电查) - 科学论文

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  • 基于界面电场调控的Z型Bi2WO6/CuBi2O4异质结用于高效可见光催化降解四环素

    摘要： 为去除废水中的四环素（TC），通过溶剂热法将Bi2WO6（BWO）纳米颗粒负载于CuBi2O4（CBO）纳米棒上，合成了一种高效的二元Bi2WO6/CuBi2O4 Z型异质结光催化剂。所得Bi2WO6/CuBi2O4复合材料对TC的光催化降解活性是纯CBO纳米棒的五倍以上。循环实验表明，即使在四次循环后，最优Bi2WO6/CuBi2O4光催化剂仍能在60分钟内光降解超过91%的TC。SEM、瞬态光电流响应和EIS测试结果表明，BWO负载的溶剂热过程可在CBO表面引入具有高密度负电荷的粗糙表面，有助于高效的光生载流子转移。XPS、Mott-Schottky曲线和PL光谱揭示，BWO的负载及界面电荷重排可诱导Z型异质结界面电场的形成，赋予Bi2WO6/CuBi2O4复合材料优异的氧化还原能力。光催化机理研究表明，空穴（h+）和超氧自由基（?O2?）是光降解过程中的主要活性氧物种（ROS）。该研究为制备高效Z型光催化剂用于光催化降解提供了新途径。

    关键词： 电荷转移、Z型异质结、环境材料、界面电场、光催化、四环素降解

    更新于2025-11-21 10:59:37

  • [IEEE 2018年国际半导体会议（CAS）- 罗马尼亚锡纳亚（2018.10.10-2018.10.12）] 2018年国际半导体会议（CAS）- 二次谐波产生：一种介质-半导体界面的无损表征方法

    摘要： 本文综述了二次谐波产生（SHG）技术在微电子和光伏领域中用于表征介电-半导体界面的应用?；诜窍咝怨庋г恚梅椒ň哂形匏鹛匦?，因而特别适用于薄膜材料。理论基础表明，该技术能够探测界面处的电场，从而实现对氧化物中界面态密度或固定电荷的无损测量。文中将展示两个更详细的SHG表征应用实例：采用薄膜沉积氧化铝钝化硅材料，以及绝缘体上硅衬底的界面分析。

    关键词： 界面态、介质-半导体界面、固定氧化物电荷、界面电场、二次谐波产生

    更新于2025-09-04 15:30:14