修车大队一品楼qm论坛51一品茶楼论坛,栖凤楼品茶全国楼凤app软件 ,栖凤阁全国论坛入口,广州百花丛bhc论坛杭州百花坊妃子阁

oe1(光电查) - 科学论文

2 条数据
?? 中文（中国） ▾

  • 盖革模式4H-SiC雪崩光电二极管的被动淬灭电子学

    摘要： 我们设计并制备了具有正斜角台面的4H-SiC紫外雪崩光电二极管(APD)，该器件在盖革模式下工作时表现出低漏电流和高雪崩增益。通过采用无源淬灭电路研究了SiC APD的单光子计数性能?；诠庾蛹剖龀宓某跏汲鱿?，提出了一种确定APD精确击穿电压的新方法。同时评估了APD的光子计数率和暗计数率随淬灭电阻的变化关系。

    关键词： 4H-SiC、单光子计数、被动淬灭、盖革模式、雪崩光电二极管、击穿电压

    更新于2025-09-23 01:15:40

  • 用激光束扫描硅光电倍增管

    摘要： 硅光电倍增管（SiPM）是一种能探测单光子的新型半导体光探测器。它由多个以盖革模式工作的微单元（像素）构成。目前这类器件主要有两种设计：表面像素结构和深埋像素（微孔）结构。这种单元结构会降低器件的有效感光面积，即几何填充因子。在开发高像素密度的新结构时必须考虑这一因素，而高像素密度对提升动态范围至关重要。一般认为深微孔SiPM的填充因子接近1。本研究展示了通过微米级激光光斑扫描（移动）技术研究不同SiPM区域响应的方法及结果。结果表明，在检测红光（λ=632纳米）时，深微孔SiPM的几何填充因子低于100%。

    关键词： 硅光电倍增管、盖革模式、几何填充因子、激光扫描、深微阱硅光电倍增管、硅光电倍增管

    更新于2025-09-16 10:30:52