使用Nd:YAG激光快速反应烧结碳化硅

摘要： 采用连续波Nd:YAG激光作为热源研究了碳化硅(SiC)的反应烧结过程。实验中在氩气氛围下，用激光辐照化学计量比的Si与C粉末混合压坯。当激光功率适当时，会形成由100-500纳米晶粒构成的致密SiC层，该层厚度达数微米。激光功率较低时，会形成细小的SiC晶粒并分散在未反应的Si-C基体中；而功率较高时，则会形成较大的多面体SiC晶粒(1-3微米)。