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[2018年IEEE国际未来电子器件会议（IMFEDK）- 日本京都（2018年6月21日-2018年6月22日）] 2018年IEEE关西国际未来电子器件会议（IMFEDK）- 直接键合SiC/Si结特性与键合温度的关系
摘要： 我们测量了直接键合的n-4H-SiC/p+-Si结的电学特性和芯片剪切强度，重点研究其与键合过程中退火条件的关系。在键合工艺中，我们首先进行低温退火，随后进行高温退火。通过提高第一步退火温度，C-V测试获得的杂质浓度更接近SiC本征杂质浓度，且键合强度更大。这些结果表明：直接键合SiC/Si结的特性取决于键合工艺中第一步（低温）退火温度。
关键词： 直接键合、表面处理、硅、碳化硅、退火
更新于2025-09-23 15:22:29
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一种利用真空紫外光照射实现单晶碳化硅与硅、二氧化硅及玻璃直接键合的简便方法
摘要： 单晶碳化硅是功率电子器件的理想材料。然而，由于热膨胀系数和晶格常数存在显著差异，实现碳化硅与传统硅基材料（如硅、二氧化硅和玻璃）的直接键合具有挑战性。为解决这一瓶颈，我们提出一种简便的真空紫外（VUV）表面辐照直接键合方法，可在低温（≤200℃）下实现碳化硅与硅、二氧化硅及玻璃的牢固结合。研究还探究了VUV辐照促进碳化硅与硅基材料键合的机理。表面表征显示，VUV辐照能形成光滑且亲水的表面，这有利于潮湿空气中的直接键合。透射电镜证实了碳化硅/硅、碳化硅/二氧化硅和碳化硅/玻璃之间形成了致密无缺陷的键合界面。特别值得注意的是，VUV辐照过程中硅原子的氧化和溅射作用会在碳化硅侧形成富碳过渡层，这可能改善键合界面并增强键合强度。此外，碳化硅/玻璃键合对在紫外-可见光范围内表现出较高的光学透明度。因此，单晶碳化硅与异质硅基材料的直接键合技术，在高性能功率电子器件及微/纳流体器件领域具有重要应用潜力。
关键词： 直接键合、真空紫外、界面、碳化硅
更新于2025-09-23 15:21:21
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[IEEE 2018第七届电子系统集成技术会议(ESTC) - 德国德累斯顿(2018.9.18-2018.9.21)] 2018年第七届电子系统集成技术会议(ESTC) - 紫外辅助晶圆级芯片直接转移键合(CoW DTB)
摘要： 提出了一种采用紫外辅助芯片转移机制的晶圆上芯片直接转移键合（CoW DTB）技术，适用于包括III-V/Si、2.5D/3D/扇出集成在内的高精度直接键合应用。利用玻璃键合工具进行了芯片转移过程的基础实验，该工具可通过载体薄膜压紧芯片背面并对紫外剥离型粘合层进行紫外照射。实验结果表明，通过优化载体薄膜、玻璃键合工具设计以及紫外照射强度和时间等参数，该新工艺实现了稳定的芯片转移。
关键词： 氧化物键合、III-V族/硅、晶圆上芯片（CoW）、直接键合、三维集成电路（3DIC）、扇出型（FO）
更新于2025-09-04 15:30:14
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亚碲酸盐玻璃薄膜与硅酸盐玻璃的光学键合
摘要： 通过直接键合（DB）方法，成功将碲酸盐玻璃薄膜键合在硅酸盐玻璃基板上。该玻璃薄膜（厚度1-3微米）采用吹制玻璃技术制备，键合过程在室温下进行，相对湿度（RH）分别为62%和15%。通过Obreimoff-Metsik法测得15%和62%RH条件下键合玻璃薄膜的表面粘附强度分别为250和96 mJ/m2。采用傅里叶变换红外光谱分析了薄膜与硅酸盐玻璃界面间的羟基（-OH）官能团。在62%RH时，碲酸盐薄膜与硅酸盐玻璃间的主要键合力为氢键；而在15%RH时，则主要涉及碲酸盐玻璃中的Te与硅酸盐玻璃中的O之间的键合。这些由Si-OH贡献的键合力对62%RH下的键合形成至关重要。热重分析表明，硅酸盐玻璃表面存在大量水分和OH基团，这导致62%RH条件下的键合过程较弱。本研究将为集成光路中日益需要的高通量数据传输提供可靠、高完整性的组件。
关键词： 玻璃薄膜，碲酸盐玻璃，羟基，粘接强度，直接键合
更新于2025-09-04 15:30:14