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oe1(光电查) - 科学论文

6 条数据
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  • 短周期GaAs/Al<sub>x</sub>Ga<sub>1?x</sub>As分布布拉格反射镜的实测与模拟光学特性详细对比

    摘要： 已生长出6周期的GaAs/Al0.9Ga0.1As分布式布拉格反射镜（DBR），并测量和模拟了其光学特性。通过逐步改进模拟方法，使其能够考虑内部一致性误差、层厚度偏差以及衬底掺杂导致的吸收，从而提高模拟精度。采用二次离子质谱（SIMS）测得组分深度分布显示铝组分平均值为88.0%±0.3%。研究发现，尽管透射光能量远低于GaAs带隙，n型掺杂GaAs衬底的吸收仍显著影响透射振幅。透射光谱中特征峰波长主要受DBR层厚度影响，而透射光谱对铝组分变化表现出较强耐受性。

    关键词： 光学模拟，砷化铝镓，分布式布拉格反射器，二次离子质谱，横截面，电信，垂直腔

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 引导二次谐波

    摘要： 来自意大利、法国和澳大利亚的研究团队现已实现了对AlGaAs纳米盘天线产生的二次谐波辐射的相位控制与整形。Lavinia Ghirardini及其同事通过电子束光刻技术，在非线性纳米天线两侧制备了一对光栅。通过相位调控技术，能够重定向并控制该光学泵浦结构产生的二次谐波光发射角度。采用不同对称性的光栅或改变光学泵浦光束的偏振态，可精确设计发射角度。控制发射方向具有重要意义——这意味着可从天线平面收集高出两个数量级的功率，而任意发射角度对特定应用颇具价值。另一关键点在于，AlGaAs结构相比金属纳米天线具有更低损耗，从而提升效率。这种非线性光束的高效整形技术可应用于单光子源及非线性成像等领域。

    关键词： 相位控制，砷化铝镓，纳米天线，二次谐波，非线性成像

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 伽马射线辐照下P-N结内建电场对Ir-LED电阻的影响

    摘要： 已知向砷化镓和磷化铟二极管的肖特基势垒中引入辐射缺陷的速率与电场的存在有关。本研究的主要目的是探究p-n结内建电场对伽马射线辐照下双AlGaAs异质结构红外发光二极管电阻的影响。研究发现，在p-n结存在内建电场或反向偏压的情况下，缺陷引入速率显著低于无电场中性区域的缺陷引入速率。随后探讨了提高红外发光二极管抗辐射性能的可能途径。

    关键词： 异质结构、p-n结、砷化铝镓、发光二极管、伽马射线

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • [2019年德国慕尼黑国际激光与光电会议暨欧洲量子电子学会议(CLEO/Europe-EQEC) - 2019.6.23-2019.6.27] 2019年欧洲激光与光电会议暨欧洲量子电子学会议(CLEO/Europe-EQEC) - AlGaAs纳米柱中二次谐波产生的全光超快控制

    摘要： 全介质纳米光子学近期因其高介电常数介质纳米颗粒在可见光及近红外波段展现出可忽略的耗散损耗与强磁多极共振[1-4]而备受关注。我们近期报道了在氧化铝基底氮化镓铝纳米盘（Al0.18Ga0.82As-on-AlOx）中实现波长1554 nm处二次谐波转换效率超过10^-5（泵浦强度约1.6 GW/cm2，脉宽约150 fs，重复频率80 MHz）[5-7]。该卓越效率源于同时匹配泵浦光与二次谐波波长的磁电共振效应。此外，将泵浦光（因而二次谐波波长约777 nm）选择在材料带隙能量以下，有效抑制了泵浦光的双光子吸收与二次谐波再吸收。本文展示了二次谐波全光调制潜力：首先研究纳米天线在低于带隙能量（3.2 eV，405 nm波长）的低功率（<300 μW）连续激光共照下的二次谐波信号变化，观测到纳米天线二次谐波产率最大60%的调制（图1a展示变半径纳米柱阵列的二次谐波差分图，图1b显示整体强度（虚线）与半径相关的调制曲线（蓝实线）——小尺寸纳米柱（r=205 nm）在300 μW连续泵浦下二次谐波降低约60%，而r=220 nm纳米柱则增强30%）。通过泵浦-探测实验进一步研究超快调制（泵浦采用510 nm超短脉冲激发瞬态等离子体，1550 nm延迟探测脉冲产生二次谐波），图1c显示二次谐波随延迟时间的变化轨迹，测得<0.5 ps的超快猝灭过程与10-100 ps的慢速恢复过程（强烈依赖于纳米柱共振特性）。该成果深化了对纳米尺度非线性发光光物理的理解，为基于氮化镓铝绝缘体全介质平台实现数据存储用纳米非线性光子器件全光调控奠定基础。

    关键词： 二次谐波产生、全光调制、纳米柱、全介质纳米光子学、砷化铝镓、二次谐波

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 高压对AlGaAs/GaAsP/AlGaAs纳米异质结构光学特性的影响

    摘要： 在沿[001]和[100]方向施加外压的n-Al0.45Ga0.55As/GaAs0.84P0.16/p-Al0.45Ga0.55As纳米级异质结构中，为求解载流子波函数、局域态及子带色散关系，采用6×6 K-L哈密顿量进行计算。同时计算了光学矩阵元与动量矩阵元，并进一步求得沿[001]和[100]方向施压时的TE与TM模式光增益。通过模拟结果的定量分析表明：在近红外波段，沿[001]方向施加外压的TE模式是有效提升该n-Al0.45Ga0.55As/GaAs0.84P0.16/p-Al0.45Ga0.55As纳米级异质结构激光器增益特性的优选方案之一。

    关键词： 压力、异质结构、砷化铝镓、磷砷化镓、光学增益、I型

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • [IEEE 2018年第13届欧洲微波集成电路会议(EuMIC) - 西班牙马德里(2018年9月23日-2018年9月25日)] 2018年第13届欧洲微波集成电路会议(EuMIC) - 基于Ka波段PIN二极管的数字移相器

    摘要： 移相器是下一代5G无线通信网络所依赖的相控阵天线的重要组成部分。本文介绍了一款工作在27.5至29.5GHz频段（该频段正被考虑用于5G通信）的4位和6位数字移相器，具有极低损耗和高功率处理能力。这是通过采用MACOM AlGaAs P-I-N二极管工艺中的全并联P-I-N二极管开关与延迟线组合实现的。芯片集成了偏置网络，并能与MACOM的MADR-009443四路驱动器良好配合。

    关键词： 单片微波集成电路、砷化铝镓、电磁分析、5G移动通信、P-I-N二极管

    更新于2025-09-04 15:30:14