[2019年IEEE第46届光伏专家会议（PVSC）- 美国伊利诺伊州芝加哥（2019年6月16日-2019年6月21日）] 2019年IEEE第46届光伏专家会议（PVSC）- 通过插入金属硒化物薄膜在Si(111)衬底上生长GaAs

摘要： 本研究探讨了金属（镓或铟）硒化物薄膜上生长的砷化镓晶体质量改进问题。我们发现，在In2Se3表面顶层不可避免地存在镓与硒的键合现象。此外，通过同时用砷、镓和硒辐照Ga2Se3表面，改善了砷化镓晶核的润湿性。通过在In2Se3上引入Ga2Se3并进行后续（砷-镓-硒）处理，在In2Se3/Si（111）4°偏切至[11-2]晶面上实现了1μm砷化镓的双晶域比例低于2%。