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[2019年IEEE光子学会议(IPC) - 美国德克萨斯州圣安东尼奥(2019.9.29-2019.10.3)] 2019年IEEE光子学会议(IPC) - 直接生长于CMOS兼容硅衬底上的O波段量子点半导体光放大器
摘要： 我们首次报道了直接生长于与CMOS兼容的轴向硅衬底上的O波段量子点半导体光放大器(QD-SOA)。该QD-SOA长度为3600微米，从4微米渐变至5.5微米，可实现29分贝的片上增益和22.8分贝毫瓦的饱和输出功率，同时具有最低7分贝的光纤到光纤噪声系数。
关键词： 半导体光放大器、分子束外延、硅上直接生长、量子点器件
更新于2025-09-11 14:15:04