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[2018年IEEE日本CPMT研讨会(ICSJ) - 日本京都 (2018.11.19-2018.11.21)] 2018年IEEE日本CPMT研讨会(ICSJ) - 面向数据中心应用的混合集成硅中介层实现的400G多模与单模光发射器
摘要： 我们基于硅中介层实验性验证了400G多模（MM）与单模（SM）光引擎，该中介层实现了激光芯片、光学元件和光纤阵列的混合集成。通过硅体微加工技术制成的中介层使引擎结构极为紧凑，并凭借内置硅材料的精密加工特性实现便捷组装。测试结果显示：多模光引擎中50Gb/s垂直腔面发射激光器（VCSEL）和单模光引擎中100Gb/s电吸收调制激光器（EML）分别获得了TDECQ为1.7dB和2.7dB的清晰光眼图。
关键词： 光学引擎、混合集成、垂直腔面发射激光器（VCSEL）、光子子组件（OSA）以及电吸收调制激光器（EML）、硅中介层、硅光子学
更新于2025-09-23 15:22:29
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[2019年IEEE国际电子器件与固态电路会议(EDSSC) - 中国西安 (2019.6.12-2019.6.14)] 2019 IEEE国际电子器件与固态电路会议(EDSSC) - 半导体激光器偏振测量方法
摘要： 本文提出了一种用于芯片间通信的高密度低功耗并行I/O方案。该接口包含低功耗收发器和低成本高密度硅中介层。链路架构采用单端信号与电容终端、发射端无源均衡及CMOS逻辑电路以降低功耗。为实现高凸点/连线效率，采用单端信号传输。实验制作了四层铝硅中介层，在原型收发器间实现2.5毫米和3.5毫米链路。收发器原型采用28纳米STM FD-SOI CMOS工艺制造，包含3个发射器和3个接收器。该并行接口在2.5毫米和3.5毫米信道上分别以20Gb/s/线和18Gb/s/线速率运行，相对于直流具有5.9dB和7.7dB损耗（总损耗10.7dB和13.5dB），不计时钟电路时每比特功耗分别为0.30pJ和0.32pJ。
关键词： 芯片间通信、高速I/O、硅中介层、裸片间通信、终端匹配、单端信号传输、无源均衡器、低功耗收发器
更新于2025-09-19 17:13:59
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[2019年IEEE第69届电子元件与技术会议（ECTC）- 美国内华达州拉斯维加斯（2019.5.28-2019.5.31）] 2019年IEEE第69届电子元件与技术会议（ECTC）- 面向先进"3.5D"芯片封装的垂直激光辅助键合技术
摘要： 本工作将激光辅助键合（LAB）工艺与热压键合（TCB）进行对比，分析了两者在倒装芯片堆叠组装中的优缺点。研究发现，LAB具有更快的加工速度、可忽略的压缩力，并在芯片堆叠中产生更小的内部应力。文中提出了"3.5D"堆叠新概念，该技术可实现芯片/半导体与芯片堆叠侧面的垂直键合。通过垂直键合部件可直接实现层间互连，从而无需单独设置硅通孔（TSVs）。
关键词： 三维封装、硅中介层、热压键合（TCB）、金属间相（IMC层）、激光辅助键合（LAB）、系统级封装（SOP）、激光束调制、垂直倒装芯片键合
更新于2025-09-16 10:30:52
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[2019年IEEE第69届电子元件与技术会议（ECTC）- 美国内华达州拉斯维加斯（2019年5月28日-5月31日）] 2019 IEEE第69届电子元件与技术会议（ECTC）- 面向未来3D-LSI/IC封装的高可靠性全填充细间距硅通孔（TSV）高深宽比>10中介层
摘要： 采用化学镀镍（EL Ni）作为阻挡层和种子层，已成功制备出具有10微米宽度、100微米深度的硅通孔（TSV）硅中介层，并对其电阻特性进行了表征。通过精细调节化学镀镍溶液的化学成分，实现了TSV侧壁的共形镍沉积?？牟馐韵允?，该铜TSV链每个通孔的电阻值为36毫欧，证明化学镀镍层能有效作为优质种子层，确保后续电镀铜工艺可完全填充高深宽比TSV通孔。
关键词： 阻挡层/籽晶层，硅中介层，铜通孔（TSV），化学镀镍，铜扩散
更新于2025-09-12 10:27:22