低温暗退火作为多晶硅中LeTID的预处理方法

摘要： 光照和高温诱导衰减（LeTID）目前是晶体硅光伏技术中的一个严重问题，这促使人们开展了大量工作来理解其机理并加以缓解。我们发现，在典型太阳能电池制备流程的最后一步进行低温暗退火会显著影响LeTID特性，包括衰减强度和衰减动力学。虽然在200-240°C温度范围内进行相对较短的退火可能因使衰减强度翻倍而对LeTID产生不利影响，但在300°C下进行的优化退火则呈现相反趋势，为消除LeTID提供了有效手段。此外，我们证明暗退火过程中金属沉淀与溶解的模拟复合活性与实验结果相关，这为LeTID机理提供了一种可能的解释。