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硅单晶中钴杂质微夹杂物的形成
摘要： 通过电子探针微分析研究了硅中钴杂质微夹杂的结构和化学成分，所用n型和p型Si〈Co〉样品采用扩散掺杂法制备，并在扩散退火后以不同速率冷却。研究表明，扩散退火后的冷却速率对样品的结构参数及所形成杂质微夹杂的尺寸具有显著影响。杂质微夹杂的尺寸与形状决定了它们在样品本体中的分布情况。
关键词： 钴微粒夹杂、硅化钴、冷却速率、电子探针显微分析
更新于2025-09-23 15:23:52