标题
- 标题
- 摘要
- 关键词
- 实验方案
- 产品
中文（中国）
▾
-
[2019年IEEE光子学会议(IPC) - 美国德克萨斯州圣安东尼奥 (2019.9.29-2019.10.3)] 2019年IEEE光子学会议(IPC) - 提高硅衬底上InAs量子点激光器的可靠性
摘要： 利用关联电子显微镜技术，我们表征了InAs量子点（QD）结构中的光电特性和位错结构属性。结果表明，尽管位错显著影响量子点的发光性能，但与量子阱结构相比，位错攀移增强的复合速率在老化过程中明显减缓。
关键词： 量子点激光器、扫描透射电子显微镜（STEM）、位错、硅光子学、阴极荧光、硅基III-V族半导体
更新于2025-09-11 14:15:04