电纺CuS/PVP纳米线及其在热屏蔽应用中优异的近红外过滤效率

摘要： 选择性过滤近红外（NIR）波段对通过热屏蔽实现节能至关重要。然而，在柔性基底上均匀涂覆高效纳米材料仍极具挑战性。本研究开发了新型材料加工与制备工艺，通过电纺硫化铜/聚乙烯吡咯烷酮（CuS/PVP）纳米线实现增强型热屏蔽效能。电纺技术能在热屏蔽薄膜中形成均匀分散的CuS纳米颗粒——这是常规溶液涂覆工艺无法实现的。经氟化处理降低界面静电排斥后，可直接在柔性聚合物膜上沉积CuS/PVP纳米线。对封装盒体表面CuS/PVP纳米线薄膜的原位温度监测显示其具有优异的NIR屏蔽效率（87.15%）。将该薄膜直接集成于模型汽车并暴露于阳光直射下，其屏蔽效率较商用氧化钨薄膜提升约两倍。综合纳米材料制备、表面处理及集成技术的研究，最终制得兼具高柔性与可靠性的热屏蔽薄膜。