采用硼注入边缘终端增强金刚石肖特基势垒二极管的击穿特性

摘要： 硼离子注入边缘终端技术已被证实可提升金刚石肖特基势垒二极管（SBD）的击穿电压和稳定性。该边缘终端通过硼离子注入形成位于肖特基接触边缘下方的非导电非晶区域实现。直流测量表明注入区域未对正向电流产生贡献，在-5V偏压下获得了约4000A/cm2的高电流密度。采用硼离子注入边缘终端后，虽然观察到漏电流有所增加，但器件平均击穿电压从79V显著提升至125V（增幅超过50%）。此外，无边缘终端器件的击穿电压在重复测量后快速衰减，而具有边缘终端的器件稳定性大幅提高，未出现明显的击穿电压下降。