通过扫描拉曼光谱法测量的升华生长SiC层厚度

摘要： 我们在导电碳化硅衬底上生长了同质外延高阻碳化硅层。我们开发了一种通过扫描共焦拉曼光谱（SCRS）测定生长层厚度的方法。同时我们在碳化硅层上生长外延石墨烯以标记样品顶面，并将顶面位置与瑞利散射（RS）相关联。通过纵光学声子（LO）向耦合LO声子-等离子体激元拉曼模式的转变来探测高阻碳化硅层与导电碳化硅衬底之间的界面。采用椭圆偏振法和二次离子质谱（SIMS）对层厚测量结果进行了验证。研究表明，SCRS方法具有优异的横向和纵向分辨率，能避免基于临时模型得出的错误结论，且易于实施。