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基于应变硅的波导结构用氮化硅和碳氮化硅薄膜
摘要： 基于应变硅并采用碳氮化硅和氮化硅薄膜作为包覆层，成功制备了波导微结构?？⒊鲆恢值壤胱犹逶銮炕喑粱际酰稍诒∧ぶ惺迪衷?00兆帕的高本征机械应力值。通过扫描过程中的显微拉曼光谱对应变波导结构进行表征，结果表明：沉积碳氮化硅和氮化硅薄膜会在硅波导中引入压应力，这体现为硅LO声子散射主峰最大值向更高波数方向偏移。经估算，包覆氮化硅与碳氮化硅层的硅波导中分别产生350兆帕和250兆帕的压应力，该应力水平足以激发硅的非线性光学特性（泡克耳斯效应）。
关键词： 拉曼光谱、应变硅、碳氮化硅、氮化硅、平面光波导
更新于2025-09-19 17:13:59
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采用富碳硅氮烷前驱体对低k值硅碳氮化物薄膜进行宽带紫外辅助热退火处理
摘要： 采用富碳硅氮烷前驱体N-甲基-氮杂-2,2,4-三甲基硅杂环戊烷(SiC7NH17)，通过等离子体增强化学气相沉积法在100°C下制备了低k介电常数硅碳氮化物(SiCxNy)薄膜。对SiCxNy薄膜进行400°C、5分钟的热退火和宽带紫外辅助热退火(UV退火)后处理。与单纯热退火相比，UV退火能同时改善低k值SiCxNy薄膜的介电性能和机械性能。热退火处理下薄膜表现出优异的热稳定性但结构变化微??；而UV退火过程中大部分Si-H和N-H键断裂，促使更多Si-N交联形成并使Si-C基质转化为Si-N基质。Si-(CH2)2-Si中的乙烯桥结构保持完整，但Si-(CH2)2-N和Si-CH2-CH3键中的非桥接烃类在UV退火过程中完全分解。这些变化使得薄膜介电常数从3.6降至3.2，杨氏模量提升21%达到7.4GPa?？泶贤馔嘶鹱魑嵘蚹介电屏障SiCxNy薄膜性能的后处理方法展现出良好应用前景。
关键词： 低k电介质、碳氮化硅、紫外辅助热退火、等离子体增强化学气相沉积、机械性能
更新于2025-09-10 09:29:36