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oe1(光电查) - 科学论文

8 条数据
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  • 锶掺杂锰氧化物薄膜的磁光特性与输运特性之间的相关性

    摘要： 利用1.1-4.2 eV能区的磁圆二色性(MCD)研究了不同厚度的La0.7Sr0.3MnO3、Pr0.8Sr0.2MnO3和Pr0.6Sr0.4MnO3多晶薄膜的电子结构特征，并测试了样品电阻的温度特性。发现高锶含量(0.3和0.4)的薄膜表现为高温半导体，在电阻率温度曲线的峰值处，样品会在特定温度TM-S转变为金属态（该转变温度因薄膜厚度而异）。低锶含量(0.2)的薄膜在所用温区内呈现绝缘体特性。通过将MCD谱分解为高斯线型，并对比各谱线强度的温度依赖性与薄膜磁化强度及导电类型的关系，揭示了半导体薄膜中四条特定高斯线的差异性温度行为。对于绝缘型Pr0.8Sr0.2MnO3样品，三条高斯线强度的温度变化规律与磁化强度变化一致。研究表明镧系元素(La/Pr)类型对同导电类型薄膜的MCD谱形貌无影响，且建立了MCD数据与导电类型的关联。结合文献中已知但超出本谱区范围的吸收带进行综合分析后，成功将所研究锰氧化物薄膜的MCD谱峰归属为不同本质的电子跃迁。

    关键词： 磁圆二色性、薄膜、电子性质、电输运、晶体结构、锰氧化物

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 由三种电子角动量构成的系统：光激发π-自由基亚铁氰化双酞菁铽单分子磁体中的J-S-L三重态

    摘要： 我们研究了光激发中性双酞菁铽单分子磁体（Pc2Tb，其中Pc2?表示酞菁阴离子）中源自不同途径的三种电子角动量——自旋角动量、轨道角动量和总角动量的相互作用。通过对中性Pc2Tb配体侧最高占据分子轨道-最低未占据分子轨道电子跃迁进行变温变磁场磁圆二色性（MCD）测量，揭示了由具有自旋角动量S的π自由基、具有总角动量J的4f体系以及具有光诱导轨道角动量L的环状π共轭体系组成的量子系统本质。我们构建了一个新理论模型，其定量吻合MCD的温度和磁场依赖性。理论分析表明该系统存在八种可表示为|JzSzLz?=|±±±?的量子态（三个角动量均沿四重对称轴量子化），从而首次证实了三种角动量间磁相互作用的存在并定量确定了其强度。

    关键词： 单分子磁体、电子角动量、量子态、磁圆二色性、磁相互作用

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 硼(III)咔唑并次酞菁：核扩展的反芳香性硼(III)次酞菁类似物

    摘要： 将1,8-二氨基-3,6-二氯咔唑与一系列二取代的1,3-二亚氨基异吲哚啉缩合后，再用BF3·OEt2处理，得到了相应的核扩展硼(III)次酞菁类似物。这些空气稳定的π共轭硼(III)咔唑次酞菁具有两个含硼七元环单元和16π电子骨架，光谱和理论研究证实它们是首例反芳香性硼(III)次酞菁类似物。其中一种化合物的分子结构也通过单晶X射线衍射分析得到明确确定。与典型的锥形结构硼(III)次酞菁不同，该化合物的π骨架几乎呈平面构型。

    关键词： 磁圆二色性、硼、亚酞菁、反芳香性、环扩张

    更新于2025-09-23 22:37:33

  • 具有磁等离子体纳米粒子和双粒子团簇的介质中的法拉第效应和磁圆二色性

    摘要： 研究了含有铁磁核与等离子体壳层球形层状纳米颗?；蛴商庞氲壤胱犹迥擅卓帕Ｗ槌傻乃帕Ｍ糯氐慕橹手械姆ɡ谛痛旁捕裕∕CD）。在电动力学的准静态近似下，计算了这些体系的光学吸收光谱、MCD光谱、偏振椭圆的取向角以及光波的椭圆率。研究表明，含磁等离子体包涵体的介质其磁光响应取决于包涵体中铁磁组分的尺寸。此外，这种依赖性在层状颗粒中更为显著，且在贵金属等离子体共振区域的响应强于双颗粒团簇。

    关键词： 磁圆二色性、法拉第旋转、双粒子团簇、磁光现象、磁等离子体纳米粒子、偶极动态极化率

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 利用磁圆二色光谱研究AgInS2/ZnS量子点

    摘要： 近年来，基于三元金属硫属化合物的量子点因其独特性质和广泛潜在应用备受关注。本文综述了AgInS?/ZnS量子点光学性质的最新研究进展，重点阐述其理论建模，并报道了对常规吸收光谱中不可见电子跃迁的研究成果。通过分析不同尺寸亲水/疏水性AgInS?/ZnS量子点的吸收谱、光致发光激发谱（PLE）及磁圆二色谱（MCD），我们确定了这些量子点中电子跃迁的位置。研究表明：相较于吸收谱的二阶导数，PLE谱二阶导数能更明确地反映能量跃迁位置；MCD谱分析显示，与传统Cd基量子点仅关联激发态能级简并解除不同，磁场会诱导AgInS?/ZnS量子点产生能级混合。

    关键词： AgInS2/ZnS、电子跃迁、磁圆二色性、AIS、三元量子点

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 核壳结构金@银纳米棒与多种荧光团J-聚集体强耦合体系中的双拉比分裂

    摘要： 强耦合区多个组分相互作用产生多重拉比分裂，为多模杂化与能量转移研究开辟了重要途径，在基础科学与应用科学领域均具有重要价值。本研究证实：金核银壳纳米棒与两种不同染料的J-聚集体这三种组分可集成于单一杂化结构中，形成强集体激子-等离激元耦合，并产生总强度达338 meV的双模拉比分裂。通过磁圆二色谱技术，我们验证了这种多组分等离子体纳米结构中的强耦合效应，并观测到由此耦合产生的三种杂化态均表现出显著磁光活性。两种非磁性染料的J-聚集体与金属纳米颗粒高效相互作用，通过三组分体系中电子激发的杂化作用实现了磁性特征。

    关键词： 磁圆二色性、双拉比劈裂、J-聚集体、激子极化激元、强耦合、磁光活性

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 基于CoPt肖特基势垒半导体异质结构的圆偏振辐射探测器

    摘要： 本文展示了基于CoPt层磁圆二色效应的平面光电阻器实现圆偏振辐射探测器实用化的可能性，以及利用CoPt层对光生自旋极化电荷载流子进行自旋过滤的结构。研究表明，该自旋过滤过程可使探测效率提升至1.3%。

    关键词： 半导体异质结构、自旋过滤、磁圆二色性、圆偏振辐射探测器、CoPt层

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 由于扩展的环π共轭作用导致卟啉分子B带和Q带角动量的差异淬灭

    摘要： 我们合成了一种新型卟啉，其π体系通过在对位meso位引入两个额外的碳碳三键，并同时融合一个萘环单元（该萘环桥接第三个meso位与其中一个吡咯的β碳）得以扩展。我们报道了融合与非融合反式萘自由碱及锌卟啉的吸收、磁圆二色谱、发射及理论光谱数据。其中一个萘环的融合显著改变了吸收光谱，且非常特殊的是，桥接meso-β吡咯的融合导致卟啉B带（S2）中MCD法拉第伪A项的猝灭。这种独特效应被解释为源自第二激发态（B态）电子结构的成因。非对称扩展共轭的π环电子效应使x和y偏振完全混合。对MCD信号起源的分析表明，这种新型混合偏振的存在使得关键B态中的角动量可忽略不计。据我们所知，这是首次报道卟啉强吸收B带中的磁矩被猝灭，而第一激发态Q带的角动量仍保持正常。这意味着B态的光物理性质很可能与Q态截然不同，这对应用（尤其是非线性光谱学）具有新颖且重要的意义。

    关键词： TD-DFT计算，扩展卟啉，磁圆二色性（MCD），Q带，B带，角动量

    更新于2025-09-04 15:30:14