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锗注入硅经干法氧化后的富锗外延硅层
摘要： 我们采用CMOS标准工艺流程制备了SixGe1-x外延层。Ge掺杂剂在Si与SiO2中固溶度的竞争过程是实现氧化物-Si界面处原子级陡峭、低缺陷超薄外延层的关键。通过调控氧化时间来控制掺杂Ge离子在Si/氧化物界面及氧化物层中的分布。将注入样品（35 keV、1×1016 Ge+/cm2）在1050°C下氧化30-90分钟，RBS沟道分析显示氧化后Ge存在两个对应不同深度的独立峰。结合高分辨显微分析与元素成分测定，确定首峰为SiO2/Si界面处富集的SixGe1-x层——该小于10纳米的外延生长界面层缺陷极少，且Ge离子完全替代了基质晶格位置。次峰源自Ge向SiO2的扩散，形成含Ge的氧化物薄膜偏析层。本研究针对CMOS应用中通过标准工艺路线构建SixGe1-x层的技术需求展开探讨。
关键词： 高分辨电子显微镜、点缺陷、锗硅合金、离子注入、固相外延
更新于2025-09-09 09:28:46
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[2018年IEEE国防光子学研究与技术应用会议(RAPID) - 美国佛罗里达州米拉马尔海滩(2018.8.22-2018.8.24)] 2018年IEEE国防光子学研究与技术应用会议(RAPID) - 硅注入同质外延生长氮化铝的电学与结构特性研究
摘要： 氮化铝（AlN）是紫外光电子学和高功率器件应用中极具吸引力的材料；然而，实现高n型导电性仍是一项挑战。离子注入可能为获得适合器件运行的电导率提供途径。本文提出了一种修复晶格损伤的新型退火工艺。
关键词： 损伤与恢复、退火、离子注入
更新于2025-09-04 15:30:14
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氧终止轻掺硼化学气相沉积单晶金刚石上的欧姆石墨-金属接触
摘要： 开发出一种在氧终端轻掺硼化学气相沉积（CVD）单晶金刚石薄膜上制备欧姆接触的方法。样品采用传输线模型（TLM）构型通过钛/金金属焊盘进行接触，这些电接触被设置在CVD硼掺杂层上制备的台面结构上。其中一个样品额外进行了10千电子伏氦离子注入，在接触前诱导金刚石表面下方形成石墨层以改善电导率。通过TLM方法对两种器件的电学性能进行表征和对比：金属电极样品呈现微弱非线性导电特性，而石墨/金属接触则表现出欧姆行为——当掺杂水平为10^17 cm^-3量级时，其比接触电阻低至3.3×10^-4 Ω·cm2。该方法为制备本征或低掺杂金刚石的高效欧姆接触开辟了新途径，这对电子器件和探测器的研发至关重要。
关键词： 氧终止，石墨化，欧姆石墨-金属接触，轻度硼掺杂CVD金刚石薄膜，离子注入
更新于2025-09-04 15:30:14