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oe1(光电查) - 科学论文

10 条数据
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  • 硒纳米线经Ni??离子辐照后结构、电学及光学性能的变化

    摘要： 本研究探讨了镍离子辐照对直径80纳米硒纳米线的影响。采用电沉积技术在聚碳酸酯膜中制备硒纳米线，通过X射线衍射、紫外-可见光谱及电流-电压特性分别研究了原始样品与辐照样品的结构、光学和电学性能变化。X射线衍射分析证实衍射峰强度发生变化但峰位未移动，清晰观察到织构系数与晶粒尺寸的改变——这是晶面取向变化、辐照诱导晶粒生长及晶粒碎裂共同作用的结果。由于导带与价带附近间隙能态的形成，导致光学带隙减小。电流-电压特性曲线也显示出电导率的变化，这源于高能离子入射产生的载流子效应。

    关键词： 离子辐照、光学分析、硒纳米线、阻抗、电学性能、结构分析

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 用高电荷离子穿孔独立式二硫化钼单层膜

    摘要： 多孔单层二硫化钼（MoS2）是DNA测序和海水淡化等应用的潜力材料。本研究采用高电荷离子（HCIs）辐照技术，在MoS2中制备出结构明确的孔洞。令人惊讶的是，我们发现孔洞形成效率在较宽的势能范围内呈线性增长。与原子尺度模拟对比揭示：缺陷形成过程中，离子通过电子激发向材料传递能量起关键作用，并表明低势能离子至少会使孔洞边缘附近出现钼元素富集现象。原子级分辨率扫描透射电镜分析显示，孔洞尺寸与入射离子势能明确相关，证实高电荷离子辐照能有效制备孔径分布窄（约0.3-3纳米）、尺寸可控的孔洞。

    关键词： 二维材料、穿孔、离子辐照、分子动力学模拟、二硫化钼、高电荷态离子、扫描透射电子显微镜

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 磁通钉扎对带有磁通集中器的曲折形超导量子干涉滤波器直流特性的影响

    摘要： 超导量子干涉滤波器（SQIF）是一类极具前景的高灵敏度磁力计，其零输入磁通下具有高度尖锐且对称的磁响应特性。该器件可用于磁力测量领域，例如宽带应用场景。通过在其设计中加入超导磁通集中器（SFC），可简单有效地进一步提升其灵敏度。我们采用离子辐照工艺，设计了一种带有SFC增强的曲折形SQIF结构，使SQIF传输系数提升了8.4倍。然而高温超导（HTSc）器件易受磁通钉扎影响，这会严重阻碍其响应性能。一方面，HTSc技术减轻了低温系统的负担；另一方面，只有在深入理解磁通如何影响器件特性的基础上，才能实现在噪声干扰和未屏蔽环境中使用SFC的应用。我们研究了SQIF天线冷却过程（后称"冷却场"）中存在的磁场与其直流响应演变之间的关系，建立了简明的唯象模型并成功复现了SQIF响应性能的退化现象。本工作证明了基于离子辐照结的SFC增强型SQIF在严苛条件（特别是未屏蔽环境）中的实用性，同时也揭示了此类环境对SFC普遍应用的影响机制。

    关键词： 离子辐照、磁通钉扎、磁强计、磁通集中器、超导量子干涉滤波器

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 银-二氧化钛-聚乙烯醇纳米复合薄膜的形貌、结构、光学及光催化性能的离子束工程调控

    摘要： 具有可调光学和光催化性能的等离子体纳米复合涂层的开发对多种技术应用具有重要意义。本文报道了8 MeV Si3+离子辐照对Ag-TiO2-PVA纳米复合薄膜微观结构、光学及光催化性能的改性研究。采用溶胶-凝胶法与旋涂工艺相结合的方法，在石英玻璃上制备了Ag-TiO2-PVA纳米复合薄膜。通过原子力显微镜和场发射扫描电子显微镜研究了离子辐照诱导的薄膜形貌演变，发现随着离子注量增加，纳米结构的尺寸分布呈现显著变化。当离子辐照剂量达到1×1013 ions/cm2时，Ag-TiO2-PVA纳米复合薄膜对亚甲基蓝的降解光催化效率显著提升。研究探讨了离子辐照导致Ag-TiO2-PVA纳米复合薄膜微观结构、形貌、光学特性、等离子体特性改变及光催化效率增强的机理。

    关键词： 离子辐照、表面等离子体共振、纳米复合材料、光催化、银-二氧化钛-聚乙烯醇

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 200 MeV 86Kr17+离子辐照ZnO单晶的微观结构特性研究

    摘要： 采用一系列理论计算、拉曼光谱及透射电镜测试等方法，对经200 MeV能量86Kr17+离子辐照的ZnO单晶材料进行了分析。经200 MeV 86Kr17+离子辐照后，材料出现两个宽化的振动吸收峰，其他特征峰无明显变化。通过测量垂直于和平行于晶体z轴入射光的拉曼光谱，证实526 cm-1至600 cm-1的振动吸收峰由氧空位（VO）相关缺陷引起。实验数据充分证明ZnO单晶具有良好的抗辐照性能，这些数据对ZnO材料未来在各类新型器件中的应用具有重要意义。

    关键词： 氧化锌，透射电子显微镜，拉曼光谱，86Kr17+离子辐照

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 荧光纳米金刚石 || 制备荧光纳米金刚石

    摘要： 宝石行业中，彩色天然钻石通常被称为花式钻石或彩钻。它们稀有而美丽，在珠宝市场上部分甚至标价惊人。相比之下，微米和纳米级钻石粉末无论是否带色或荧光，价格都较为低廉。自古以来，这些粉末主要因其卓越的硬度被用作研磨和抛光磨料。几个世纪以来，人们几乎未关注纳米钻石的其他特性，如与生俱来的生物相容性和发光能力。2005年荧光纳米钻石（FND）的发明彻底改变了这一领域，开创了钻石研发的新方向。过去十年对FND的实验表明，表面功能化的FND在物理、化学、生物和医学等多元领域展现出各种应用前景。值得注意的是，正如玛丽·居里发现镭元素（第3.2节）那样，FND堪称"居里夫人的宝石"，当之无愧是科学家的最佳伙伴。

    关键词： 荧光纳米金刚石、磁调制荧光、荧光寿命、尺寸减小、FND、离子辐照、H3色心、氮空位色心、电子辐照、NV色心

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 通过Zr辐照和低温后处理制备的GdBa2Cu3O7-δ涂层导体中临界电流密度J的场依赖性

    摘要： 我们报道了6 MeV Zr??辐照及辐照后退火（200°C）对共蒸发法制备的1.3微米厚GdBa?Cu?O?-δ涂层导体临界电流密度Jc场依赖性的影响。样品经6 MeV Zr??辐照，注量范围为2.3×1011 cm?2至3×1012 cm?2。分析了超导临界温度Tc与Jc场依赖性的关联。此外，200°C热退火降低了辐照引入的无序性。实验分析表明：最佳辐照处理（通过退火减少无序性）使自场Jc降低约10%，而在5 T左右磁场下Jc增强近两倍。观测到Tc、无序性与自场Jc之间存在明确关联。额外无序性和纳米团簇会系统性抑制Tc，并在中等温度区增大磁通蠕变弛豫（降低特征玻璃态μ值）。

    关键词： E. 离子辐照，A. 涂层导体，D. 临界电流密度

    更新于2025-09-22 21:23:54

  • III-V族半导体表面的离子辐照：从自组装纳米结构到等离子体晶体

    摘要： 半导体表面的离子辐照已成为制备多种自组织纳米结构的有前景方法。此外，聚焦离子辐照与分子束外延的结合，在制备过程中为混合材料的表面与界面提供了原子级前所未有的设计与控制能力。本综述阐述了从纳米岛到纳米棒再到三维纳米粒子阵列的定向自组装。首先讨论III-V族表面的聚焦离子辐照——该过程会导致V族元素优先溅射，继而形成富III族金属纳米结构。当辐照剂量超过阈值后，纳米粒子的演化将由溅射产额和局部离子束入射角决定，从而形成纳米粒子阵列、纳米棒或纳米粒子链。除描述通过聚焦离子束制备的纳米粒子阵列外延生长获得密排嵌入式Ga:GaAs纳米复合材料外，我们还探讨了纳米粒子阵列的表面等离子体共振效应，以及表面与埋入式纳米粒子阵列对GaAs光致发光效率的影响。最后讨论了"等离子体晶体"在等离激元增强光电子学中的应用潜力。

    关键词： 自组装纳米结构、离子辐照、等离子体晶体、分子束外延、III-V族半导体、纳米粒子阵列、表面等离子体共振、光致发光效率、聚焦离子束

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 退火后C+和H2+共注入6H-SiC的微观结构研究

    摘要： 采用掠入射X射线衍射(GIXRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对C+和H2+离子注入退火后的单晶6H-SiC微结构进行了表征。退火后，在C+离子注入样品表面观察到裂纹形成；而在H2+离子注入并退火的样品表面则出现圆形团簇状气泡。与单一离子注入样品相比，C+和H2+离子共注入样品表面同时出现了形态各异的裂纹和气泡。共注入样品中的气泡与剥落缺陷的形貌及分布比H2+单离子注入样品更为不规则且不均匀，这归因于退火过程中形成的随机分布柱状晶。这些柱状晶的晶界可作为氢迁移通道，从而影响退火过程中样品表面气泡与剥落缺陷的尺寸演变。

    关键词： 微观结构、碳化硅、退火、表面形貌、离子辐照

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 富锑GaSb薄膜的离子辐照效应

    摘要： 我们展示了通过磁控溅射法制备非晶态、非化学计量比的GaSb薄膜，以及离子辐照对该薄膜的影响。在室温条件下，采用磁控溅射技术在SiO2/Si衬底上沉积了厚度为20-300纳米的GaSb薄膜，并随后以不同注量进行17 MeV Au+7离子辐照。通过X射线衍射、卢瑟福背散射谱、X射线光电子能谱、扫描电子显微镜和X射线吸收精细结构分析等方法，对薄膜的结构、成分和形貌进行了表征。研究证实，在上述整个厚度范围内，薄膜均呈非晶态，且Sb含量过剩（Ga:Sb比例为1:2）。初始致密的薄膜经辐照后呈现泡沫状结构，并产生显著膨胀——该现象与初始薄膜厚度相关：薄膜越厚，膨胀越明显。过剩Sb根据薄膜厚度呈现不同氧化态，这影响了薄膜最终密度进而改变膨胀程度。我们还研究了Ga原子周围的局域原子结构，发现随着辐照注量增加，Ga-Sb散射贡献逐渐降低；当辐照注量超过1×1014 at/cm2时，Ga-O散射贡献则随之增强。

    关键词： XPS（X射线光电子能谱）、XAFS（X射线吸收精细结构）、RBS（卢瑟福背散射）、GaSb薄膜、离子辐照、XRD（X射线衍射）、磁控溅射

    更新于2025-09-09 09:28:46