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铕/镱共掺杂硫氧化钆上转换纳米棒：形貌、物理化学及光学性能评估
摘要： 在本研究中，我们开发了一种新型制备上/下转换Eu3?/Yb3?共掺杂氧硫化物纳米棒的方法，该材料在可见光（460 nm）或近红外（976 nm）激发下可呈现620 nm处的强红色发射。通过系统分析镧系离子浓度、成核剂类型、反应温度及压力等合成参数，揭示了它们对材料形貌与光致发光性能的影响。研究表明，乙醇胺作为成核剂可替代常用的三乙胺，具有毒性更低的显著优势。透射电镜（TEM）、傅里叶变换红外光谱（FTIR）及Zeta电位分析表明，纳米棒在热处理与硫化过程中表面化学性质发生演变但未引起形貌改变。下转换（DC）与上转换（UC）发光强度均呈现掺杂离子浓度依赖性：当Yb3?/Eu3?浓度比为0.25时获得最强DC发射，而UC发光峰值出现在4的比值条件下；反之，当采用4和0.25的Yb3?/Eu3?浓度比时分别出现DC与UC猝灭现象，证实发光中心既受化学环境也受离子掺杂比例的显著影响。研究证明双光子吸收是UC过程中红色发射的主要机制。
关键词： 纳米棒、稀土合金与化合物、上转换、氧硫化物
更新于2025-11-19 16:56:35
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有序硅酸镧镓矿La3Ga5MO14:Eu3+ (M = Zr, Hf, Sn)作为红色发光LED荧光粉
摘要： 研究了掺杂高达20% Eu3?的三种有序硅酸镧镓晶体La?Ga?ZrO??（LGZr）、La?Ga?HfO??（LGHf）和La?Ga?SnO??（LGSn）的温度依赖性发光行为。通过未掺杂化合物的漫反射测量确定了其带隙能量分别为4.32 eV（LGZr）、4.43 eV（LGHf）和4.46 eV（LGSn）。采用激发光谱、发射光谱（77-500 K）和发光寿命测量（77-300 K）研究了结构差异对这三种硅酸镧镓晶体发光性能的影响。三者的猝灭温度存在差异，这些温度是通过电荷转移带（300 nm）和4f能级（394 nm）不同激发波长获得的。LGSn:Eu 20% Eu3?展现出最佳的温度性能，在500 K时其强度保持为300 nm激发下77 K强度的85%和394 nm激发下的67%。在室温及394 nm激发波长下，LGZr:Eu 20% Eu3?、LGHf:Eu 20% Eu3?和LGSn:Eu 20% Eu3?分别达到最大量子效率41%、58%和68%。观察到的猝灭行为通过半定量构型坐标图得到解释。基于这些结果及高红色纯度，将这些硅酸镧镓晶体与发射波长为394 nm的（In,Ga）N芯片集成制成LED，以测试其作为红色LED荧光粉的适用性。
关键词： 无机材料、光学性能、稀土合金与化合物、荧光粉、氧化物材料、发光
更新于2025-09-11 14:15:04