电子和质子辐照对空间光伏用SiC钝化p型掺杂锗晶圆中少数载流子寿命的影响

摘要： 我们报道了电子和质子辐照对p型锗晶圆中有效少数载流子寿命（τeff）的影响。采用微波光电导衰减法（μW-PCD）评估少数载流子寿命，研究了1 MeV能量下τeff与p型掺杂浓度及电子/质子辐射注量的关系。通过辐照前后的τeff测量值估算少数载流子扩散长度——该参数对太阳能电池性能至关重要。当锗掺杂浓度介于1×101?至1×101? cm?3时，测得τeff范围为50-230微秒，对应扩散长度约500-1400微米。通过辐照不同厚度的锗寿命样品，实现了体寿命与表面复合速度的分离研究?；谖南鬃柿咸致哿丝赡艿姆溆盏既毕?。