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基于n型InGaAs的金属-氧化物-半导体栅堆叠中电容-电压弱反型"驼峰"现象物理机制的确定
摘要： 基于n型InGaAs的金属氧化物半导体（MOS）结构中广泛存在弱反型区电容-电压（C-V）"驼峰"现象。该现象的产生机制尚存争议。C-V驼峰可解释为界面态与半导体能带中的一个或两个相互作用所致。每种假说机制都对C-V驼峰给出不同诠释。通过构建相关等效电路模拟这些机制，计算了MOS结构的电容与电导特性并与实验结果对比，最终确定了导致C-V驼峰的机制。
关键词： 界面态、等效电路、n型铟镓砷、金属氧化物半导体、电容-电压驼峰
更新于2025-11-14 17:28:48
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热影响对0.15微米栅长AlGaN/GaN/SiC微波用HEMT器件S22扭结行为的研究
摘要： 针对0.15微米栅长AlGaN/GaN/SiC高电子迁移率晶体管，在宽温度范围内开展了S22参数扭结行为的温度影响研究。通过评估偏置条件与温度对S22扭结效应的幅度及形态特征的影响，主要发现该器件S22参数受两个扭结点影响：首个扭结点出现在约19GHz处，第二个扭结点则出现于约43GHz附近。研究通过分析本征电路参数对S22扭结现象的作用机制来评估其贡献度，并创新性地提出以"扭结区域"（即含扭结效应与不含扭结效应的S22曲线间区域面积）作为量化此类现象的新方法。该研究的价值在于：对这些异常现象进行全面表征，可使射频工程师在模型建立和器件设计时有效考量其影响。
关键词： 散射参数测量，温度，0.15微米栅长碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管，等效电路，两个S22拐点
更新于2025-09-23 15:23:52
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基于氮化铝镓的深紫外发光二极管中反直觉的结温行为
摘要： 结温是严重影响发光二极管（LED）性能的关键参数之一，在工作过程中会因器件内部产生的热功耗而升高。因此，在相同驱动条件下，特性较差的LED器件预期会有更高的结温。本研究呈现了一个与这一预期相反的观察结果：在相同输入电功率下，具有优异电学特性的深紫外LED器件比特性较差的器件显示出更高的结温。通过构建包含二极管、串联电阻和并联元件的简易等效电路，并考虑LED器件内部可能的热源，阐明了这一反直觉现象。研究发现，结温主要受二极管功耗支配，而非包括电阻元件焦耳热效应在内的其他潜在热源。
关键词： 结温、焦耳热、基于AlGaN的深紫外发光二极管、功率耗散、等效电路
更新于2025-09-23 15:21:01
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采用薄OMO背电极的透明非晶硅薄膜组件激光图形化工艺与模块设计的优化
摘要： 采用氧化物-金属-氧化物（OMO）电极作为背电极制备了透明氢化非晶硅薄膜太阳能组件，适用于建筑一体化光伏应用。该组件由外层铝掺杂氧化锌和内层银构成约110纳米厚的薄型OMO电极，方阻为6.8 Ω/□，在400-800纳米可见光范围内平均透射率约88%。通过时域有限差分法研究了吸收层厚度对电池外量子效率和平均透射率的影响，发现电池光学损耗主要源于前电极在紫外区的吸收以及OMO在红外区的自由载流子吸收。针对采用薄OMO电极的透明组件，介绍了532纳米短脉冲高功率激光划片工艺的实施要点。通过观察划刻边缘形貌并测量分流电阻，展示了P2和P3激光工艺的功率优化方案。此外基于PSpice等效电路模型对电池宽度进行了优化。在500-800纳米波段范围内，组件最高转换效率与平均透光率分别达到5.6%和15.2%，单电池短路电流密度、填充因子和开路电压分别为10.8 mA/cm2、62.7%和0.830 V。
关键词： 激光图案化、透明非晶硅光伏、等效电路、建筑一体化光伏、电池几何结构、氧化物-金属-氧化物电极
更新于2025-09-23 15:21:01
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极性与非极性氧化锌表面形成的石墨/氧化锌肖特基势垒特性研究
摘要： 作者证明，通过沉积胶体石墨制备的肖特基结的电学性质强烈依赖于ZnO衬底的晶体取向。电流-电压、电容-电压和阻抗测量表明，在c面衬底上形成了近乎理想的肖特基结，而在a面和m面衬底上，结呈横向不均匀性。这种行为归因于非极性ZnO衬底近表面区域本征点缺陷浓度较高。作者进一步提出了一个扩展的等效电路模型，该模型与结的实际结构相对应，并阐明了其电输运特性。
关键词： 阻抗谱、石墨、等效电路、氧化锌、晶体极性、肖特基接触
更新于2025-09-23 15:21:01
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波导阵列量子阱二极管激光器中800纳米处的频率梳生成
摘要： 一种电容-压电复合换能器结合了电容与压电两种机制，在实现机电耦合的同时获得了单一机制无法达到的更高品质因数Q值。该技术成功研制出工作频率1.2GHz、Q值>3000的氮化铝(AlN)环形轮廓模谐振器（其性能与迄今报道的1GHz以上d31模式纯压电AlN谐振器最高水平相当），以及Q值高达12000的50MHz圆盘阵列谐振器。其核心创新在于：通过微小间隙将压电谐振器与金属电极隔离，既消除了被认为会限制薄膜压电谐振器Q值的金属材料及金属-压电界面损耗，又保持了足够强的电场强度以维持显著压电效应。虽然Q值提升会导致机电耦合系数降低，但k2·Q乘积仍可实现整体增长。更重要的是，该电容-压电换能器允许设计者通过牺牲部分机电耦合来换取更高Q值，这为窄带射频(RF)信道选择滤波器（此类应用中Q值优先于耦合系数）的参数定制提供了有效手段。该方案无需直流偏置电压，且可采用更厚的电极来降低串联电阻而不增加谐振结构质量负载——随着谐振器及其支撑结构向更高频段发展，这一特性尤为重要。
关键词： 机电耦合、振荡器、微机械谐振器、自对准、小间隙、氮化铝、等效电路、品质因数、滤波器
更新于2025-09-19 17:13:59
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[2019年欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议(CLEO/Europe-EQEC) - 德国慕尼黑(2019.6.23-2019.6.27)] 2019年欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议(CLEO/Europe-EQEC) - 长环形激光器中的暗脉冲
摘要： 一种电容-压电复合换能器结合了电容与压电两种机制，在实现机电耦合的同时获得了单一机制无法达到的更高Q值。该技术成功研制出工作频率1.2GHz、Q值>3000的氮化铝(AlN)环形轮廓模谐振器（其性能与迄今报道的1GHz以上d31模式纯压电AlN谐振器最高值相当），以及Q值高达12000的50MHz圆盘阵列谐振器。其核心创新在于通过微小间隙将压电谐振器与金属电极隔离，既消除了被认为会限制薄膜压电谐振器Q值的金属材料及金属-压电界面损耗，又保持了足够强的电场强度以维持显著压电效应。虽然Q值提升会导致机电耦合系数降低，但k2·Q乘积仍可实现整体增长。更重要的是，该电容-压电换能器允许设计者通过牺牲机电耦合来换取Q值提升，为窄带射频(RF)信道选择滤波器（此类应用中Q值优先于耦合系数）提供了定制Q值与耦合特性的有效方法。该方案无需直流偏置电压，且可采用更厚的电极来降低串联电阻而不增加谐振结构质量负载——随着谐振器及其支撑结构向更高频率发展，这一特性尤为重要。
关键词： 机电耦合、振荡器、微机械谐振器、自对准、小间隙、氮化铝、等效电路、品质因数、滤波器
更新于2025-09-19 17:13:59
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[IEEE IECON 2018 - 第44届IEEE工业电子学会年会 - 美国华盛顿特区 (2018.10.21-2018.10.23)] IECON 2018 - 第44届IEEE工业电子学会年会 - 考虑电流谐波的LED灯泡稳态等效电路
摘要： 如今，发光二极管（LED）灯泡已成为照明系统设计中的优选方案之一。LED灯具的电气模型必须考虑其非线性特性——包括对电网电流造成的畸变。为此，研究人员构建了模拟LED灯泡电流特性的等效电路。本实验测试了不同灯具在可变供电电压下的表现，通过将PSpice仿真结果与实测数据进行对比发现：采用线性插值法（以电网电压为变量函数）估算各次谐波电流幅值，能有效推导出总电流波形的准确估计。
关键词： LED灯泡、功率转换、LED灯具、电流谐波、等效电路、照明、总谐波失真、电能质量
更新于2025-09-19 17:13:59
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适用于低压配电网典型电压总谐波畸变的LED灯泡电路模型
摘要： 在照明系统设计中，LED灯泡技术相较以往方案正展现出越来越多的优势。但另一方面，照明系统设计师必须应对该技术在电网电能质量恶化方面引发的特殊问题。掌握灯具电气模型是实现照明系统最优设计的关键，但制造商通常不提供此类模型。此外，由于负载波动及分布式可再生能源发电量的变化，电网电压可能全天波动。因此，适用的电气模型必须能根据电压变化模拟灯具行为。本文提出了一种LED灯泡的等效电路模型，其元件参数通过简易电气测量确定。该电路尤其能模拟电网电压波动时的电流波形。验证结果表明：当电网电压存在畸变（总谐波失真符合IEEE-Std-519标准）时，仿真电流波形与实验数据高度吻合。该验证还针对元件参数测定所用电压值以外的工况进行了测试。
关键词： 电流谐波、功率转换、优化设计、建模、电能质量、照明、等效电路
更新于2025-09-12 10:27:22
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量子点LED的等效电路及有源层载流子寿命的获取
摘要： 我们提出了一种量子点发光二极管（QLED）的等效电路模型，其中电阻和电容参数均通过QLED的物理特性表示。该等效电路的有效性已通过实测数据验证。通过对比QLED的实测频率响应与等效电路的计算频率响应，我们能够推导出QLED有源层中的载流子寿命。该等效电路模型的建立有助于简化QLED电学特性的分析过程。
关键词： 量子点发光二极管、频率响应、载流子寿命、等效电路
更新于2025-09-12 10:27:22